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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌，NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。

2025-02-08 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.1k 0

DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。特別是在DRAM市場(chǎng)方面，春...

2025-02-06 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.3k 0

西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫(kù)存

近日，據(jù)外媒報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)市場(chǎng)中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù)，已經(jīng)正式向其客戶(hù)發(fā)出了減產(chǎn)通知。這一決定旨在縮減當(dāng)前庫(kù)存水平，以應(yīng)對(duì)市...

2025-02-06 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 948 0

NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略

根據(jù)知名研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦（TrendForce）最新發(fā)布的研究報(bào)告，NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)在2025年將持續(xù)面臨需求疲弱與供給過(guò)剩的雙重嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一...

2025-01-24 標(biāo)簽：NAND FlaSh 1.3k 0

SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑

近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過(guò)于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。為應(yīng)對(duì)這一不利局面，各大存儲(chǔ)器廠商紛紛...

2025-01-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器晶圓 1.3k 0

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。當(dāng)前，全球NAND閃存...

2025-01-14 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 1k 0

韓廠首傳減產(chǎn)消息，NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期

近期，NAND Flash市場(chǎng)再次迎來(lái)重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Fla...

2025-01-07 標(biāo)簽：NAND 美光 SK海力士 961 0

TrendForce預(yù)測(cè)2025年Q1 NAND Flash價(jià)格將大幅下跌

近日，知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布預(yù)測(cè)報(bào)告指出，2025年第一季度，NAND Flash市場(chǎng)將面臨前所未有的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。據(jù)其調(diào)查與分析，該季度...

2025-01-02 標(biāo)簽：NAND FlaSh 閃存存儲(chǔ) 1.5k 0

美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩

近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿，公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ar...

2024-12-26 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶圓 1k 0

3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿(mǎn)足對(duì)各種類(lèi)型內(nèi)存...

2024-12-19 標(biāo)簽：NAND 3D 堆疊 1.7k 0

關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

前言作為一名電子專(zhuān)業(yè)的學(xué)生，半導(dǎo)體存儲(chǔ)顯然是繞不過(guò)去的一個(gè)坎，今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識(shí)。這里十分感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主...

2024-12-17 標(biāo)簽：芯片 Nand 存儲(chǔ) 1.8k 0

鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn)，或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)

存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布，計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并有望促使價(jià)格止跌回升。

2024-12-03 標(biāo)簽：NAND FlaSh 鎧俠 1.4k 0

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 光刻膠 1.1k 0

江波龍自研SLC NAND Flash出貨量破億

江波龍?jiān)诖鎯?chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得了顯著成果，自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計(jì)能力，專(zhuān)注于SLC NAND Fla...

2024-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片 slc 1.7k 0

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言，三星計(jì)劃在2024年底現(xiàn)貨市場(chǎng)停止銷(xiāo)售...

2024-11-20 標(biāo)簽：閃存 NAND MLC 1.6k 0

美光科技推出新款存儲(chǔ)解決方案

隨著人工智能（AI）不斷改變行業(yè)并推動(dòng)創(chuàng)新，數(shù)據(jù)中心需要能夠跟上存儲(chǔ)解決方案的發(fā)展步伐。為滿(mǎn)足這一需求，我很高興地宣布推出新款存儲(chǔ)解決方案——美光955...

2024-11-18 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 1.2k 0

SD NAND工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的新選擇

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長(zhǎng)表明，全球NAND...

2024-11-17 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ) 892 0

Solidigm發(fā)布全球最大容量QLC eSSD

全球NAND閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Solidigm，近日宣布了一項(xiàng)重大突破——成功推出全球首款超大容量的PCIe固態(tài)硬盤(pán)（SSD），即122TB的So...

2024-11-14 標(biāo)簽：NAND PCIe 固態(tài)硬盤(pán) 1.3k 0

鎧俠預(yù)測(cè)2028年NAND Flash需求將激增2.7倍

存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠近日發(fā)表了一項(xiàng)令人矚目的預(yù)測(cè)，稱(chēng)在人工智能需求的強(qiáng)勁推動(dòng)下，到2028年，全球?qū)AND Flash的需求將增加2.7倍。這一預(yù)測(cè)不僅展...

2024-11-12 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片鎧俠 1.2k 0

三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)重大舉措，計(jì)劃出售位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計(jì)將對(duì)全球半導(dǎo)體市...

2024-11-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 1.8k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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