NAND與DRAM漲幅繼續(xù)？下半年供應(yīng)會更緊張

DRAM 價格在今年開年以來不斷上漲。自從 1 月初的三星工廠停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血

2020-03-15 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 909 0

175℃高溫還能正常工作的存儲器是什么概念

首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內(nèi)存?是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的存儲器。 非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫...

2020-03-13 標(biāo)簽：NAND存儲器非易失性內(nèi)存 1.8k 0

NAND價格走勢平穩(wěn)，“疫情”影響擴(kuò)大，海外需求也“涼”了！

NAND Flash市場價格穩(wěn)定在高位，主要是因為原廠NAND Flash Wafer晶圓供應(yīng)一直短缺，尤其“疫情”向全球蔓延，導(dǎo)致國際物流延遲。

2020-03-11 標(biāo)簽：NAND三星電子LG 2k 0

三星半導(dǎo)體工廠發(fā)生火災(zāi) 并不會對生產(chǎn)DRAM和NAND產(chǎn)生影響

3 月 9 日訊，據(jù)韓媒報道，三星電子位于京畿道華城市半月洞的半導(dǎo)體工廠廢水處理廠發(fā)生火災(zāi)，幸運(yùn)的是，沒有人受傷。該廠主要用于生產(chǎn) DRAM 顆粒和 N...

2020-03-15 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.7k 0

NAND Flash市場逐漸供不應(yīng)求 服務(wù)器內(nèi)存需求增長有望達(dá)到20%

據(jù)分析機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對市場的帶動作用，2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%，市場逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價期，NAND...

2020-03-09 標(biāo)簽：NANDFlaSh數(shù)據(jù)中心 2.7k 0

SK海力士聲明未出現(xiàn)新冠肺炎病例 且沒有下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能的計劃

最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài)，極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前，內(nèi)存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船...

2020-03-05 標(biāo)簽：DRAMNANDSK海力士 2.6k 0

Intel大連公司破記錄 QLC 3D NAND存儲芯片產(chǎn)量突破1000萬

自2018年底以來，Intel公司的中國大連工廠已經(jīng)累計生產(chǎn)QLC NAND芯片超過1000萬個。

2020-03-03 標(biāo)簽：NANDintel存儲芯片 2.9k 0

2019年Q4季度NAND閃存芯片出貨量增長，2020年價格可能上漲

2月25日消息報道，NAND閃存芯片去年第四季度的出貨量環(huán)比有明顯增長，整體行業(yè)的營收也有提升。

2020-02-26 標(biāo)簽：芯片nand 2.9k 0

存儲器的發(fā)展及分支-高溫存儲器

存儲的發(fā)展時間線對應(yīng)的產(chǎn)物： 1打卡穿孔、打孔紙帶：在之前人們沒有電子產(chǎn)品記錄的時候用的是這種記錄辦法。 2磁鼓存儲器、磁帶：1960年時代開始磁帶興起...

2020-03-16 標(biāo)簽：NAND存儲器磁化 1.2k 0

2019年第四季NAND Flash營收季增8.5% 供應(yīng)商庫存水位已恢復(fù)正常

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，受惠于數(shù)據(jù)中心需求成長，2019 年第四季 NAND Flash 整體位元出貨量季增近 ...

2020-02-24 標(biāo)簽：NAND 645 0

數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁，2019年第四季NAND Flash營收季增8.5%

調(diào)查顯示，受惠于數(shù)據(jù)中心需求成長，2019年第四季NAND Flash整體位元出貨量季增近10%。供給面受6月鎧俠四日市廠區(qū)跳電影響，供不應(yīng)求使得合約價...

2020-02-23 標(biāo)簽：NAND三星電子數(shù)據(jù)中心 5.5k 0

NAND，DRAM的供應(yīng)不受冠狀病毒爆發(fā)的影響

對于DRAM模塊的全球價格有望今年由微軟公司和索尼互動娛樂公司。Xbox Series X和PlayStation 5將比以前的版本具有更強(qiáng)大的規(guī)格，并...

2020-02-13 標(biāo)簽：DRAMNAND 4.8k 0

SK Hynix將在2020年削減資本支出 加速過渡1z nm DRAM和128L 4D NAND

在2019年收入和利潤率大幅下降之后，SK Hynix宣布計劃削減其資本支出。盡管市場已經(jīng)顯示出復(fù)蘇的跡象，但該公司不確定對DRAM和NAND的需求，因...

2020-02-11 標(biāo)簽：DRAMNANDSK海力士 4.4k 0

憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢

BiCS5采用了廣泛的新技術(shù)和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進(jìn)的3D NAND。

2020-02-10 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù) 1.3k 0

英特爾665p SSD上架，售價20680日元

根據(jù)日本消息報道，英特爾新款665p SSD已經(jīng)到貨，升級為96層3D QLC NAND，容量為1TB起步，價格為20,680日元，約合人民幣1300元。

2020-02-07 標(biāo)簽：英特爾nandssd 4.4k 0

半導(dǎo)體行業(yè)迎來大跌幅 DRAM和NAND是重災(zāi)區(qū)

美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）在當(dāng)?shù)貢r間周一公布了 2019 年全球半導(dǎo)體行業(yè)的營收。

2020-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.8k 0

西部數(shù)據(jù)和Kioxia研發(fā)第五代BiCS 3D NAND成功，今年實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 ...

2020-02-04 標(biāo)簽：閃存nand西部數(shù)據(jù) 5.3k 0

搭載長江存儲3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。

2020-01-17 標(biāo)簽：nandssd長江存儲 6k 0

長江存儲64層3D NAND實現(xiàn)量產(chǎn) 意圖打破全球壟斷局面

1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司 副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品...

2020-01-16 標(biāo)簽：NAND存儲 1.6k 0

長江存儲64層閃存已量產(chǎn) 預(yù)計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片

長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。

2020-01-16 標(biāo)簽：閃存NAND存儲 2k 0