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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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美光：DRAM價格下降放緩，NAND閃存正上升

美光科技公司在2019年面臨中美貿(mào)易挑戰(zhàn)。隨著華為被列入美國政府的實體名單，芯片制造商不得不暫停向華為發(fā)貨。鑒于需求疲軟和供過于求，美光面臨的另一個挑戰(zhàn)...

2019-12-27 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.8萬 0

旺宏攪局3D NAND 預(yù)計明年投資新臺幣87億元

新聞主體：旺宏電子于 1989 年創(chuàng)立于臺灣新竹科學(xué)園區(qū)，是全球少數(shù)能夠提供從 512Kbit 至 2Gbit 完整 Serial NOR Flash ...

2019-12-25 標(biāo)簽：NAND 1k 0

浦科特M9P Plus AIC固態(tài)硬盤推出，搭載東芝原廠96層3D NAND顆粒

作為市面位數(shù)不多的AIC固態(tài)，浦科特M9P AIC固態(tài)硬盤也推出了Plus版本，還是原來的設(shè)計，顆粒、主控以及NVMe協(xié)議獲得更新。

2019-12-23 標(biāo)簽：東芝 nand 硬盤 4k 0

受5G的影響 DRAM與NAND將迎來增長

12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬...

2019-12-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 1k 0

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于...

2019-12-23 標(biāo)簽：NAND NAND閃存 5.2k 0

隨著存儲產(chǎn)業(yè)行情回暖美光預(yù)計2020年DRAM和NAND Flash行業(yè)也將改善

美光科技公布截至2019年11月28日的2020財年第一季度業(yè)績，營收及盈利均超市場分析師預(yù)期，分析師此前平均預(yù)期營收為49.9億美元，平均預(yù)期每股收益...

2019-12-20 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲 1.1k 0

5G通信引領(lǐng)，DRAM和NAND閃存市場需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)...

2019-12-20 標(biāo)簽：dram nand 5g 4k 0

美光：沖刺2020財年 DRAM，NAND有望Q3恢復(fù)

美光科技公司（Micron）于昨日宣布了截至2019年11月28日的2020財年第一季度業(yè)績。 12月18日下午4:30（美國東部時間），美光舉行了最新...

2019-12-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.7萬 0

三星擴大西安3D NAND工廠設(shè)施，新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報道，三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。

2019-12-18 標(biāo)簽：nand 三星電子 3.6k 0

增資80億美元！三星促進中國NAND閃存芯片生產(chǎn)

三星電子是消費者級產(chǎn)品的最大知名品牌之一。但是，大多數(shù)人都不知道這家韓國科技巨頭的實際規(guī)模和經(jīng)營規(guī)模，其中還包括其他智能手機OEM的芯片制造工藝?，F(xiàn)在，...

2019-12-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 4.9k 0

三星加大投資明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈

據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資，以促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計，由于供應(yīng)有限，以及對5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升...

2019-12-13 標(biāo)簽：NAND 三星電子內(nèi)存 729 0

三星持續(xù)投資閃存芯片加劇與NAND市場的差異化

12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲芯片項...

2019-12-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 788 0

三星打造全球最大閃存生產(chǎn)基地大力投資西安占據(jù)中國市場

三星是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商，僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額，不過韓國本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了，三星這幾年來大力投資中...

2019-12-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 1.5k 0

中國芯國產(chǎn)進程加速刺激了NAND Flash和DRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊，2020 年 SK 海力士將進行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組，為實現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理，會將 DRAM 和 ...

2019-12-10 標(biāo)簽：DRAM NAND 2.1k 0

明年內(nèi)存平均銷售價格或?qū)⑸仙?0% 2020年下半年中才能夠恢復(fù)正常

臨近年底，內(nèi)存行業(yè)分析師給出了許多關(guān)于明年內(nèi)存價格上漲的預(yù)警，其中DigiTimes引用業(yè)界消息稱明年內(nèi)存的平均銷售價格將上升30%。

2019-12-07 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 6.5k 0

SK海力士2020年合并DRAM和NAND Flash業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒報道，SK海力士將在2020年進行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及...

2019-12-07 標(biāo)簽：DRAM NAND SK海力士 4.9k 0

明年的NAND Flash市場或?qū)妱菰鲩L 存儲行業(yè)即將迎來曙光

IC Insights 表示，2020 年預(yù)測成長最快 IC 產(chǎn)品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。今年這兩項商品的市場崩盤，201...

2019-12-06 標(biāo)簽：NAND 存儲 847 0

2020年IC市場增長有望恢復(fù) NAND Flash保持領(lǐng)漲

15日，根據(jù)IC Insights發(fā)布的《2020 McClean報告》數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計至2020年33種IC產(chǎn)品類別中的26種將恢復(fù)增長。本文中將著重介...

2019-12-05 標(biāo)簽：DRAM IC Nand 1.6萬 0

2019年第三季度NAND閃存出貨量增長中國存儲產(chǎn)業(yè)仍然弱小但迎發(fā)展機遇

第三季度全球NAND閃存市場明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲）、美光等主要存儲廠商的出貨量均有較大幅度增長。在此情況下，各大廠商之間加緊了競爭卡位，以期...

2019-12-04 標(biāo)簽：NAND 存儲 3.3k 0

內(nèi)存行業(yè)衰退未來是否會恢復(fù)市場尚未可知

由于將 NAND 作為固態(tài)硬盤上的巨額支出，業(yè)界最新一次的周期波動很大。此外，DRAM 的支出也不小，邏輯芯片代工廠都保持了相當(dāng)不錯的發(fā)展速度。

2019-12-02 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 1.1k 0

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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