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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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NAND客戶備貨意愿提升存儲器價格預(yù)估持續(xù)跌至年底

存儲器市況不明，針對存儲器價格波動趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲器（NAND Flash）價格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約...

2019-05-06 標簽：NAND 存儲器 866 0

NANDFlash價格暴跌導(dǎo)致SSD也慘跌

臺零組件廠光寶科表示，盡管第2季包括云端、戶外照明、LED及AI仍將是主要動能，不過因為第1季NANDFlash價格暴跌，導(dǎo)致SSD（固態(tài)硬盤）也慘跌，...

2019-05-02 標簽：NAND SSD 1.6k 0

Micron可管理NAND 適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用...

2019-04-28 標簽：嵌入式 NAND 1.1k 0

SK海力士將著重轉(zhuǎn)換細微工程未來將停止生產(chǎn)成本相對高的3DNAND初期產(chǎn)品

SK海力士今年第一季財報和當初預(yù)期相同，受存儲器行情影響，營收和營益驟減，對此SK海力士準備以強化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對市場，預(yù)計今年NAND晶圓投入量將...

2019-04-26 標簽：NAND SK海力士 4.2k 0

SK海力士宣布停產(chǎn)36層和48層3D NAND 準備以強化技術(shù)應(yīng)對市場

2019-04-25 標簽：NAND SK海力士 1.1k 0

與DRAM領(lǐng)域不同長江存儲在NAND領(lǐng)域取得了進展

紫光集團旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久...

2019-04-18 標簽：DRAM NAND 2.6k 0

NAND閃存從去年開始降價,今年以來依然是“跌跌不休”

“現(xiàn)在長江存儲國產(chǎn)的芯片逐漸量產(chǎn)，但是國際上的芯片價格下降比較厲害，國際上是不是有打壓中國芯片崛起的意圖？”

2019-04-04 標簽：閃存 NAND 3k 0

IC Insights發(fā)表2019~2023全球晶圓產(chǎn)能報告

全球晶圓廠自2013年P(guān)roMOS關(guān)閉兩座晶圓廠后，造成當年12英寸廠數(shù)量減少，從那以后每年12英寸晶圓廠都持續(xù)增加。從2008年開始，12英寸晶圓廠開...

2019-04-04 標簽：閃存 NAND 晶圓廠 7.6k 0

長江存儲計劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶...

2019-04-01 標簽：閃存 NAND 存儲 2.1k 0

海派世通的FlashXE?可實現(xiàn)3D NAND的最大可靠性

最近推出的FlashXE生態(tài)系統(tǒng)通過一系列功能集確保了基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的最大可靠性，該功能包括廣泛的校準，出色的糾錯恢復(fù)，錯誤避免和刷新機制。

2019-03-29 標簽：NAND 3DNAND 海派世通 1.2k 0

三星第一季度業(yè)績低于市場預(yù)期面板和存儲市場都不理想

據(jù)消息，由于顯示面板和存儲芯片市場環(huán)境減弱，三星第一季度業(yè)績可能低于市場預(yù)期。

2019-03-26 標簽：NAND 三星電子存儲 643 0

IDC調(diào)整對NAND閃存的供需預(yù)測

IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。

2019-03-24 標簽：閃存 nand idc 952 0

諾獎＂選擇性失憶”的遺珠?NAND Flash 核心技術(shù)發(fā)明者—施敏

施敏發(fā)明的非揮發(fā)性存儲技術(shù)，是現(xiàn)今被全球各國視為關(guān)鍵戰(zhàn)略物資 NAND Flash 閃存芯片的基礎(chǔ)核心，可以說，若沒有施敏，手機不可能成為我們隨身帶著走...

2019-03-22 標簽：閃存 Nand 5.1k 0

NAND Flash價格綜合季跌幅近20% 第二季或有扭轉(zhuǎn)

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年...

2019-03-22 標簽：DRAM NAND 688 0

2019年和2020年的數(shù)量Bit Volumes現(xiàn)在將同比增長39％和38％

供需是影響客戶為其閃存存儲所支付的價格的兩個因素，需求增加推動價格上漲，促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果高估需求，這可能會導(dǎo)致價格過剩和價格下跌。

2019-03-20 標簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 5.9k 0

諾獎＂選擇性失憶”? 存儲技術(shù)研究總成遺珠

1960 年時代，當時主流的存儲技術(shù)為磁圈記憶體，但磁圈記憶體的體積大又耗電，拖累計算機的效能表現(xiàn)，那時施敏在貝爾實驗室的同事美籍韓裔科學(xué)家姜大元先研發(fā)...

2019-03-19 標簽：NAND 存儲技術(shù)核心技術(shù) 3k 0

新興記憶體已初露曙光長期或影響DRAM、NAND閃存？

依據(jù)von Neumann架構(gòu)，計算機中記憶體和控制單元是分離的，這也是目前計算機及相關(guān)的半導(dǎo)體零件制造的指導(dǎo)方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上，這...

2019-03-14 標簽：DRAM NAND 記憶體 6.4k 0

原廠庫存堆積如山，閃存產(chǎn)品部分卻在漲價，背后原因為何？

2018年原廠64層/72層3D NAND量產(chǎn)，使得NAND Flash市場供過于求，并影響價格大跌。2019年初96層3D NAND初露鋒芒，新一代技...

2019-03-05 標簽：閃存 NAND SSD 6.9k 0

手機市場疲軟存儲器廠商群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成

全球智能手機市場疲弱，車用電子、AIoT等逐漸成為市場矚目焦點。NAND Flash控制芯片及存儲解決方案廠群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成，今年大舉進軍AIoT、車載...

2019-03-02 標簽：NAND 存儲器 1k 0

2018年全球SSD出貨量突破2億臺大關(guān) 普及率有望再上一個臺階

2018年NAND Flash價格大幅下跌，隨著每GB價格跌到0．1美元，480GB－512GB的固態(tài)硬盤（SSD）與1TB的機械硬盤（HDD）價格相差...

2019-03-02 標簽：NAND SSD 3.8k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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