3D NAND技術(shù)的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)

在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。

2018-08-27 標(biāo)簽：nand3d晶圓 9.8k 0

隨著3D NAND產(chǎn)出的增加，2018年全球SSD出貨量有望沖刺2億臺(tái)

隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價(jià)后，2018年市場(chǎng)行情從缺貨轉(zhuǎn)向...

2018-08-31 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 2.8k 0

國(guó)內(nèi)研法的32層3DNAND閃存芯片已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)？對(duì)于國(guó)產(chǎn)你期待嗎？

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在出席首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)時(shí)透露，紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的1000人團(tuán)隊(duì)耗資10億美元，歷時(shí)2年研發(fā)成功了國(guó)內(nèi)第一顆32層3DN...

2018-08-26 標(biāo)簽：NAND閃存芯片紫光 1.1萬(wàn) 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年量產(chǎn)64層128Gb的存儲(chǔ)器，突破國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片“零”實(shí)現(xiàn)

繼2017年5月言辭犀利地抨擊了高通在華投資企業(yè)瓴盛科技后，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)在首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上又“懟”上了高通。

2018-08-25 標(biāo)簽：nand存儲(chǔ)器長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.2萬(wàn) 0

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)技術(shù)隆重亮相2018重慶智博會(huì)

2018年8月23日，首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“智博會(huì)”）在重慶國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。紫光集團(tuán)作為中國(guó)最大的綜合性集成電路企業(yè)，以“從芯到云，...

2018-08-24 標(biāo)簽：NANDAI紫光 2.2k 0

DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，三星上半年銷(xiāo)售額領(lǐng)先英特爾

8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷(xiāo)售額較英特爾高出...

2018-08-24 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 1.3k 0

內(nèi)存芯片需求持續(xù)增長(zhǎng) 三星反超英特爾

8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷(xiāo)售額較英特爾高出2...

2018-08-23 標(biāo)簽：英特爾DRAMNAND 4.4k 0

使用基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，NAND閃存的使用壽命將加倍

Altera公司開(kāi)發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲(chǔ)參考設(shè)計(jì)，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。...

2018-08-24 標(biāo)簽：FPGA閃存NAND 1.3k 0

NAND Flash市場(chǎng)供貨量增加，綜合價(jià)格指數(shù)已累計(jì)下滑28%

隨著Flash各家原廠紛紛升級(jí)到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAN...

2018-08-22 標(biāo)簽：NANDSSD 2.1k 0

3D NAND Flash技術(shù)將進(jìn)一步帶動(dòng)未來(lái)幾季市場(chǎng)對(duì)高容量的需求

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)CMR在2018年3月的統(tǒng)計(jì)報(bào)告《India Consumer Storage Flash Memory Market Review》，201...

2018-08-22 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 1.1k 0

美光業(yè)務(wù)分析和展望：將持續(xù)推進(jìn)DRAM和NAND Flash技術(shù)發(fā)展

在美光分析師及投資者大會(huì)上，美光針對(duì)其業(yè)務(wù)以及存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)行了分析和展望。美光認(rèn)為未來(lái)美光業(yè)務(wù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵在于數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)四大領(lǐng)域，且看好市...

2018-08-22 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 1.5k 0

英特爾與美光64層3D NAND備受關(guān)注，或?qū)⒓せ瓘S爭(zhēng)奪96層3D NAND技術(shù)

上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單...

2018-08-22 標(biāo)簽：英特爾NANDSSD 2.7k 0

隨著需求的不斷增長(zhǎng)，SSD市場(chǎng)需求正在快速增長(zhǎng)

隨著PC向超極本、輕薄、二合一等輕薄型電腦發(fā)展，以及消費(fèi)者對(duì)電腦性能的高要求，傳統(tǒng)HDD存儲(chǔ)已無(wú)法滿足PC的發(fā)展和消費(fèi)者的應(yīng)用需求，再加上3D NAND...

2018-08-21 標(biāo)簽：NANDSSD 1.7k 0

DRAM未來(lái)2年市場(chǎng)還是比較樂(lè)觀，需求依舊強(qiáng)勁

威剛科技董事長(zhǎng)陳立白表示，從DRAM市況來(lái)看，未來(lái)1~2年的市況將是樂(lè)觀且健康的，供應(yīng)商都沒(méi)有太大的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，至于NAND Flash價(jià)格將緩步下跌，明...

2018-08-21 標(biāo)簽：DRAMNAND 1.3k 0

滿足全新移動(dòng)產(chǎn)品的下一代存儲(chǔ)器何時(shí)到來(lái)？

芯片制造商會(huì)根據(jù)不同的用途在產(chǎn)品中充分利用兩種不同功能類(lèi)別的存儲(chǔ)器。例如，主存儲(chǔ)器通常對(duì)于速度要求更高，因此會(huì)采用DRAM和SRAM。

2018-08-21 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 3.6k 0

NAND Flash價(jià)格平均跌幅預(yù)估將近10%，最根本的原因是市場(chǎng)持續(xù)供過(guò)于求

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新報(bào)告指出，NAND Flash市場(chǎng)在2018年第一季受傳統(tǒng)淡季影響，導(dǎo)致市場(chǎng)轉(zhuǎn)為供大于求。第二...

2018-08-20 標(biāo)簽：NAND 1.4k 0

NAND價(jià)格崩盤(pán)，出現(xiàn)價(jià)格下調(diào)

如果價(jià)格崩盤(pán)，那么固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的價(jià)格有望跌至 8 美分 / GB 。Handy 在上周舉行的閃存峰會(huì)上表示，即使沒(méi)有“全線潰敗”，經(jīng)濟(jì)衰退也將導(dǎo)致...

2018-08-20 標(biāo)簽：NANDSSD 3.9k 0

相比HDD硬盤(pán)江河日下，NAND閃存及SSD硬盤(pán)的發(fā)展可謂一片紅，不論是移動(dòng)設(shè)備、PC設(shè)備還是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等市場(chǎng)都在快速增長(zhǎng)。對(duì)中國(guó)來(lái)說(shuō)，我們的N...

2018-09-19 標(biāo)簽：NANDSSD 1.9k 0