紫光遭難，各方人馬搶翻天！為何日本拒絕給武漢新芯供貨硅晶圓？

全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)瓶頸，后續(xù)恐將演變成國(guó)家級(jí)的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定砍掉大陸NORFlash廠武漢新...

2017-05-11 標(biāo)簽：DRAMNAND晶圓 4.4k 3

存儲(chǔ)芯片被少數(shù)國(guó)際大廠壟斷 中國(guó)廠商如何破除困局？

而存儲(chǔ)芯片價(jià)格之所以持續(xù)攀升，除了國(guó)外大廠因?yàn)榧夹g(shù)升級(jí)出現(xiàn)意外導(dǎo)致產(chǎn)能吃緊之外，中國(guó)存儲(chǔ)芯片基本依賴(lài)進(jìn)口也是存儲(chǔ)芯片大幅漲價(jià)的原因。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被少數(shù)國(guó)...

2017-04-08 標(biāo)簽：dramnand 1.8k 0

三星韓國(guó)NAND存儲(chǔ)器新廠進(jìn)度順利 2017上半年投產(chǎn)

三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。

2017-03-22 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)器 869 0

傳東芝半導(dǎo)體設(shè)投資條款 高達(dá)10家以上企業(yè)有意愿

鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘日前表示，非常有誠(chéng)意、也非常有信心入股東芝（Toshiba）計(jì)劃分拆出去的半導(dǎo)體事業(yè)新公司。不過(guò)郭董恐要面對(duì)非常多的對(duì)手，據(jù)悉有高達(dá) 1...

2017-03-09 標(biāo)簽：NAND快閃存儲(chǔ)器東芝半導(dǎo)體 1.2k 0

DRAM、NAND、AMOLED面板三大零組件影響手機(jī)廠獲利能力

智能手機(jī)關(guān)鍵零組件于 2016 下半年開(kāi)始供應(yīng)吃緊導(dǎo)致漲價(jià)，至 2017 年第一季傳統(tǒng)淡季的行情也逆勢(shì)上揚(yáng)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)（TrendFor...

2017-03-02 標(biāo)簽：DRAMNANDAMOLED面板 1.1k 0

DRAM與NAND閃存等未來(lái)五年最看俏

內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，...

2017-01-10 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 869 0

IC Insights:智能機(jī)帶動(dòng)存儲(chǔ)器未來(lái)五年最看俏

IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等，未來(lái)五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1,...

2017-01-10 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 802 0

2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元

IC Insights預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器價(jià)格還將上漲，從而推動(dòng)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元，同比增長(zhǎng)10%。該機(jī)構(gòu)同時(shí)認(rèn)為，今后幾年存儲(chǔ)...

2016-12-24 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 2.4k 0

2017年NAND產(chǎn)能成長(zhǎng)有限、價(jià)格走揚(yáng)

017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。

2016-12-23 標(biāo)簽：NANDNAND Flash3D-NAND 894 0

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)逐漸形成三股力量

福建晉華集成則與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經(jīng)動(dòng)工，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬(wàn)片，估計(jì)2017年年底完成技術(shù)...

2016-12-06 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器紫光集團(tuán) 808 0

存儲(chǔ)器芯片價(jià)格上揚(yáng) 中國(guó)強(qiáng)“芯”補(bǔ)短板芯片

存儲(chǔ)器芯片是智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品所不可或缺的關(guān)鍵器件，主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)地完成程...

2016-11-11 標(biāo)簽：芯片nand存儲(chǔ)器 1.2k 0

存儲(chǔ)器芯片拉動(dòng)IC市場(chǎng)增長(zhǎng) 微露曙光

IBS塬本預(yù)測(cè)今年芯片產(chǎn)業(yè)將衰煺1.5%，現(xiàn)在認(rèn)為2016年芯片產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率為0.2%。又有一家市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)調(diào)升了對(duì)2016與2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率的...

2016-11-10 標(biāo)簽：dramnand存儲(chǔ)器芯片 886 0

2015年主要原廠NAND Flash的市場(chǎng)份額

在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試多個(gè)領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時(shí)候，中國(guó)半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲(chǔ)領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國(guó)成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。

2016-11-03 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)技術(shù)武漢新芯 2.7k 0

手機(jī)熱銷(xiāo)帶旺NAND價(jià)格走高 三星東芝擴(kuò)產(chǎn)能應(yīng)對(duì)

日經(jīng)新聞2016年10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo)，使用于智能手機(jī)、存儲(chǔ)卡的NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）批發(fā)價(jià)格進(jìn)一步走升，10月份指標(biāo)性產(chǎn)品MLC...

2016-11-01 標(biāo)簽：東芝NAND三星電子 751 0

NAND價(jià)格兩年來(lái)首次突破3美元 三星產(chǎn)能全開(kāi)追不上需求

報(bào)導(dǎo)指出，三星電子停產(chǎn)停售 Note 7，讓借此加強(qiáng)攻勢(shì)、擴(kuò)大市占率的中國(guó)智能手機(jī)廠需求急增，而各家內(nèi)存廠商雖已增產(chǎn)順應(yīng)、但仍追不上需求增加速度。日本三...

2016-10-31 標(biāo)簽：nandnote7 914 0

DRAM表現(xiàn)強(qiáng)勁 2016年IC市場(chǎng)營(yíng)收將增長(zhǎng)1%

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)，由原先的-2%提升為1%；此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2016年全球IC出...

2016-10-25 標(biāo)簽：DRAMNAND快閃存儲(chǔ)器 1.3k 0

美光3D XPoint固態(tài)硬盤(pán)首次現(xiàn)身 Facebook對(duì)商用興趣濃厚

近日，在美國(guó)加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相變存儲(chǔ)）技術(shù)...

2016-08-12 標(biāo)簽：NAND美光Facebook 1.6k 0

為確保行業(yè)優(yōu)勢(shì) 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。

2016-08-02 標(biāo)簽：NAND三星電子 1.5k 0