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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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電容的電介質(zhì)承受的電場(chǎng)強(qiáng)度是有一定限度的,當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參加導(dǎo)電,就破壞了絕緣性能,這一現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿。
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié),形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)即為柵極,N型硅的一...
2019-06-19 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié) 6.9萬(wàn) 1
當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r(shí),三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置,這時(shí)基極電流對(duì)集電極電流起著控制作用,使三極...
在前面的教程中,我們看到了如何制作N型通過(guò)用少量銻摻雜硅原子來(lái)制作半導(dǎo)體材料,以及如何通過(guò)用硼摻雜另一個(gè)硅原子來(lái)制造P型半導(dǎo)體材料。
肖特基二極管構(gòu)造符號(hào)及特性說(shuō)明
肖特基二極管是另一種類型的半導(dǎo)體二極管但其優(yōu)勢(shì)在于它們的正向壓降遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)硅pn結(jié)二極管的正向壓降。
如果在PN結(jié)的兩端之間施加合適的正電壓(正向偏壓),它可以提供自由電子和空穴,它們需要額外的能量穿過(guò)結(jié),作為耗盡層的寬度通過(guò)施加負(fù)電壓(反向偏壓)導(dǎo)致自...
電容的電介質(zhì)承受的電場(chǎng)強(qiáng)度是有一定限度的,當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參加導(dǎo)電,就破壞了絕緣性能,這一現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿。
MOS管知識(shí)最全收錄技術(shù)參數(shù)詳解!MOS管的種類及結(jié)構(gòu)
N溝道增強(qiáng)型MOS管在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極(漏極D、源極S);在源極和漏極之間...
如圖是一個(gè)皮電反饋的簡(jiǎn)易電路,其中2N2646為PN單結(jié)晶體管,其中有手標(biāo)志的兩個(gè)電極分別放置兩根手指,中間的headsets為立體聲耳機(jī)。 請(qǐng)問(wèn): ...
開(kāi)關(guān)電源中的二極管詳細(xì)資料說(shuō)明
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。...
2019-01-29 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電源PN結(jié) 8.7k 0
敏電阻是典型的鉗位型過(guò)壓器件,在實(shí)際過(guò)壓防護(hù)中,利用壓敏電阻的非線性特性,當(dāng)過(guò)電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間,壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值,...
在雜質(zhì)半導(dǎo)體中, 正負(fù)電荷數(shù)是相等的,它們的作用相互抵消,因此保持電中性。本視頻主要詳細(xì)闡述了pn結(jié)的形成原理,載流子的濃度差產(chǎn)生的多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、電子...
2018-10-27 標(biāo)簽:PN結(jié) 8.8萬(wàn) 0
2018-10-27 標(biāo)簽:PN結(jié)單向?qū)щ娦?/a> 3.6萬(wàn) 0
第三個(gè)特性,當(dāng)E極接地,如果足夠大,那么就更加的大,這就預(yù)示著之間的電阻就更加的小。因?yàn)殡娏髟酱?,電阻就越小。小到我們近似的認(rèn)為CE之間是短路的。電流大...
本文首先介紹了P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體,其次介紹了pn結(jié)的形成,最后詳細(xì)的闡述了pn結(jié)的形成原理。
2018-09-06 標(biāo)簽:PN結(jié)pn結(jié)原理 4.9萬(wàn) 0
pn結(jié)工作原理就是如果將PN結(jié)加正向電壓,即P區(qū)接正極,N區(qū)接負(fù)極,如右圖所示。由于外加電壓的電場(chǎng)方向和PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反。在外電場(chǎng)的作用下,內(nèi)電場(chǎng)將...
2018-09-06 標(biāo)簽:PN結(jié)pn結(jié)原理 17.6萬(wàn) 0
本文主要詳細(xì)闡述了pn結(jié)的基本特性是什么,其次介紹了PN結(jié)的擊穿特性、PN結(jié)的單向?qū)щ娦砸约癙N結(jié)的電容特性。
2018-09-06 標(biāo)簽:PN結(jié) 10.9萬(wàn) 0
2018-09-06 標(biāo)簽:PN結(jié)單向?qū)щ娦?/a> 1.8萬(wàn) 0
反向恢復(fù)也會(huì)引起功耗,這與SiC等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)發(fā)展有關(guān)。有許多不同類型的半導(dǎo)體材料用于二極管,包括GaN和GaAs。它們針對(duì)不同的需求而有相應(yīng)的...
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