怎樣去配置ZYNQ空間的詳細地址呢

然后從FFFC_0000開始的256KB中分配給OCM(OCM分配方式有兩種，后面會說到）。

2022-10-18 標(biāo)簽：RAMDDRZynq 5k 0

PLC模擬量常用的輸入濾波方法

相當(dāng)于“中位值濾波法”+“算術(shù)平均濾波法”，連續(xù)采樣N個數(shù)據(jù)，去掉一個最大值和一個最小值，然后計算N-2個數(shù)據(jù)的算術(shù)平均值，N值的選取：3~14

2022-10-14 標(biāo)簽：濾波RAM濾波法 3.6k 0

Vivado中設(shè)計鎖定與增量編譯方法簡析

增量實現(xiàn)由兩個流程構(gòu)成：原始流程和增量流程，如圖所示。其中，原始流程提供網(wǎng)表。

2022-10-10 標(biāo)簽：FPGA設(shè)計RAMDCP 2.9k 0

室內(nèi)照明天花板頂燈模擬示例

只有通過物體4光線才能到物體3（物體3是相機外殼），為設(shè)置光線不直接進入探測器，物體3屬性為吸收。

2022-10-09 標(biāo)簽：探測器RAM 872 0

嵌入式開發(fā)出現(xiàn)Bug該如何去解決呢

程序長時間運行后出現(xiàn)異常，問題難以復(fù)現(xiàn)，可以搭建測試環(huán)境多套設(shè)備同時進行測試。

2022-10-09 標(biāo)簽：寄存器RAM嵌入式開發(fā) 1.6k 0

兩種存儲器的介紹

Flash Memory（閃速存儲器）是一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。

2022-09-28 標(biāo)簽：FlaSh存儲器RAM 3.1k 0

SWM32S單片機的SDRAM和LCD控制器的用法

SWM32S單片機內(nèi)部集成了8MB的SDRAM以及LCD控制器，非常適合用于屏幕驅(qū)動。其中LCD控制器支持RGB565格式的接口，最大支持1024*76...

2022-09-26 標(biāo)簽：單片機控制器SDRAM 3k 0

設(shè)計中存儲資源的使用

不同的用戶可能需要不同容量的RAM來構(gòu)建他們的特定應(yīng)用。所以FGPA底層的RAM基塊大小就是一個有意思的話題。如果太大，則不夠靈活，難以滿足小容量的應(yīng)用...

2022-09-16 標(biāo)簽：fpga存儲器RAM 1.2k 0

基于FGPA底層的RAM基塊大小

不同的用戶可能需要不同容量的RAM來構(gòu)建他們的特定應(yīng)用。所以FGPA底層的RAM基塊大小就是一個有意思的話題。

2022-09-16 標(biāo)簽：fpga存儲器RAM 1.2k 0

新興存儲將改變行業(yè)，對不同新興存儲的看法

當(dāng)前的存儲器技術(shù)，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，在其持續(xù)改進方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此，人們努力開發(fā)新的存儲技術(shù)。這些新技...

2022-09-14 標(biāo)簽：DRAM存儲器RAM 949 0

SDRAM和RAM對MSC的實現(xiàn)

昨天FAE同事報了一個客戶需求過來，需要雙大容量存儲設(shè)備(MSC device)，一個安裝在SD卡上，另一個安裝到SDRAM上面。

2022-08-18 標(biāo)簽：SDRAMmscRAM 1.7k 0

RAM——單口、雙口、簡單雙口、真雙口的區(qū)別

在 WE = 0 時，兩個口均為讀出口，A 口的地址線 ADDR[3:0] 的地址為 0，在 SPO[7:0] 上讀出數(shù)據(jù) 17，B 口的地址線 DPR...

2022-07-26 標(biāo)簽：RAMXilinx 1.1萬 0

單口、雙口、簡單雙口、真雙口RAM的區(qū)別

單口 RAM（Single RAM）、雙口 RAM（Dual RAM）、簡單雙口 RAM（Simple-Dual RAM）、真雙口 RAM（True-D...

2022-07-03 標(biāo)簽：fpgaRAMXilinx 7k 0