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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...

2021-06-12 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率元器件 3.7k 0

汽車(chē)碳化硅技術(shù)成熟嗎 汽車(chē)碳化硅的優(yōu)缺點(diǎn)

SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,技術(shù)也已經(jīng)趨于成熟,令其成為實(shí)現(xiàn)新能源汽車(chē)最佳性能的理想選擇。SiC對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的作用非常大,簡(jiǎn)而...

2023-02-03 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC碳化硅技術(shù) 3.7k 0

半導(dǎo)體“化學(xué)氣相沉積(CVD)碳化硅(Sic)”工藝技術(shù)詳解;

半導(dǎo)體“化學(xué)氣相沉積(CVD)碳化硅(Sic)”工藝技術(shù)詳解;

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2025-11-09 標(biāo)簽:SiC碳化硅CVD 3.7k 0

碳化硅MOSFET在6.6kW高頻高功率密度功率變換器中的應(yīng)用

碳化硅MOSFET在6.6kW高頻高功率密度功率變換器中的應(yīng)用

本文介紹了碳化硅(SiC)器件在高頻LLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用,該轉(zhuǎn)換器可用于總線(xiàn)轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)充電器、服務(wù)器電源和儲(chǔ)能。在高開(kāi)關(guān)頻率下,LL...

2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiC 3.7k 1

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極 3.7k 0

為什么在新一代雙向OBC設(shè)計(jì)中選擇SiC而非Si?

為什么在新一代雙向OBC設(shè)計(jì)中選擇SiC而非Si?

硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對(duì)容易的可獲性,長(zhǎng)期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導(dǎo)地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢(shì)能夠很好...

2023-05-20 標(biāo)簽:電源太陽(yáng)能逆變器 3.6k 0

何謂碳化硅

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍(lán)色部分是用于功率元器件時(shí)的重要參數(shù)。如數(shù)值所示,SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢(shì)。另外,與其他新材料不同,它的一大特征是...

2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率元器件 3.6k 0

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30k...

2023-12-14 標(biāo)簽:變換器IGBTBoost 3.6k 0

SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)

SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)

SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...

2023-05-12 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率器件 3.6k 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3.6k 0

Wolfspeed碳化硅產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)更優(yōu)系統(tǒng)耐久性

Wolfspeed碳化硅產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中實(shí)現(xiàn)更優(yōu)系統(tǒng)耐久性

可靠性是測(cè)量或方法的一致性。可靠性對(duì)我們行業(yè)的重要性再怎么強(qiáng)調(diào)也不為過(guò)。然而,一個(gè)必要的、可以帶來(lái)可靠性階躍式提升的概念討論得較少:即我們 Wolfsp...

2025-12-09 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 3.6k 0

如何在中試線(xiàn)上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底?

如何在中試線(xiàn)上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底?

從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降...

2023-06-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 3.6k 0

三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

SiC器件具有低開(kāi)關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時(shí)可以在更高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三...

2025-12-02 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機(jī)SiC 3.6k 0

SiC在電動(dòng)汽車(chē)有哪些應(yīng)用

盡管電動(dòng)汽車(chē)歷史不遜于內(nèi)燃機(jī)車(chē),但它實(shí)實(shí)在在地被全世界主要國(guó)家推廣,發(fā)生在最近十年。相比于已在市場(chǎng)中接受了數(shù)十上百年考驗(yàn)的內(nèi)燃機(jī)車(chē),電動(dòng)汽車(chē)存在許多的不...

2022-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiC 3.6k 0

SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)

SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)

下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列,進(jìn)行詳細(xì)介紹

2023-11-01 標(biāo)簽:MOSFET晶圓SiC 3.6k 0

SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較

本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過(guò)程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)參考!

2022-07-06 標(biāo)簽:MOSFETMOSSiC 3.5k 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年,由愛(ài)德華·古德里奇·艾奇遜(Edward Goodrich Acheson)在嘗試合成人造金剛石的過(guò)程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體SiC 3.5k 0

《2025車(chē)工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管選型指南》參數(shù)對(duì)比、國(guó)產(chǎn)替代方案與OBC應(yīng)用案例

《2025車(chē)工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管選型指南》參數(shù)對(duì)比、國(guó)產(chǎn)替代方案與OBC應(yīng)用案例

車(chē)工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管選型需遵循“參數(shù)匹配、可靠性?xún)?yōu)先、成本可控”原則,根據(jù)OBC功率等級(jí)、電壓平臺(tái)及工作環(huán)境,優(yōu)先選擇通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證、熱性能優(yōu)異、適...

2025-12-24 標(biāo)簽:IGBT肖特基管肖特基二極管 3.5k 0

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光晶圓 3.5k 0

SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問(wèn)題分析與解決

SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問(wèn)題分析與解決

SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進(jìn)步,給電力電子領(lǐng)域帶來(lái)了一場(chǎng)革命。這些器件具有快速開(kāi)關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。它們?cè)诟吖β蕬?yīng)用中非常有...

2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 3.5k 0

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  • 快充技術(shù)
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  • 尼吉康
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    Qi標(biāo)準(zhǔn)
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    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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    Pebble,是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底,智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌,上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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  • A4WP
    A4WP
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    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • MAX660
    MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
    +關(guān)注
  • 太陽(yáng)能充電
    太陽(yáng)能充電
    +關(guān)注
  • PSR
    PSR
    +關(guān)注
  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
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    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
  • 浪涌抑制器
    浪涌抑制器
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    DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi),按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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    脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定,是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
  • 醫(yī)療電源
    醫(yī)療電源
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    系統(tǒng)電源
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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