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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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派恩杰SiC器件在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用

從傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)到人工智能數(shù)據(jù)中心(AIDC)的演進，本質(zhì)上是一場能源效率與算力密度的極限競賽。AI算力的爆發(fā)正將數(shù)據(jù)中心推向“電力極限”。

2025-12-24 標(biāo)簽：MOSFET 數(shù)據(jù)中心 SiC 2.2k 0

《2025車工業(yè)級SiC肖特基二極管選型指南》參數(shù)對比、國產(chǎn)替代方案與OBC應(yīng)用案例

車工業(yè)級SiC肖特基二極管選型需遵循“參數(shù)匹配、可靠性優(yōu)先、成本可控”原則，根據(jù)OBC功率等級、電壓平臺及工作環(huán)境，優(yōu)先選擇通過車規(guī)認證、熱性能優(yōu)異、適...

2025-12-24 標(biāo)簽：IGBT 肖特基管肖特基二極管 3.5k 0

深圳爭妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應(yīng)用場景匹配技巧》

快恢復(fù)二極管（FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，其反向恢復(fù)時間（trr）直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統(tǒng)效率，是高頻功率轉(zhuǎn)換場景中選...

2025-12-24 標(biāo)簽：可控硅快恢復(fù)二極管 SiC 3.2k 0

浮思特 | 至信微 650V SiC MOSFET 如何提升光伏逆變器效率?

在光伏行業(yè)快速發(fā)展的今天，高效、可靠、緊湊的逆變器設(shè)計已成為提升系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵。隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)的成熟，光伏逆變器的設(shè)計迎來了新...

2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 光伏逆變器 288 0

SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析：失效的本質(zhì)、缺陷控制手段、失效率測試兩種方法

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)EE」知識星球-關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-文字原創(chuàng)，素材來源：英...

2025-12-19 標(biāo)簽：測試 SiC 功率半導(dǎo)體 417 0

淺析助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用匹配要求

本文聚焦助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用環(huán)節(jié)與匹配要求，其核心作用為清除氧化層、降低焊料表面張力、保護焊點。應(yīng)用環(huán)節(jié)覆蓋焊接前預(yù)處理、焊接中成型潤濕、焊...

2025-12-12 標(biāo)簽：IGBT 功率器件錫膏 5k 0

解析GaN與SiC在太陽能逆變器中的應(yīng)用方案

光伏發(fā)電（PV）是一種將陽光轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)，這個過程涉及使用太陽能電池來捕獲太陽能并將其轉(zhuǎn)化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽能電池產(chǎn)生的電力從直流...

2025-12-10 標(biāo)簽：太陽能逆變器 SiC 4.9k 0

Wolfspeed碳化硅產(chǎn)品在惡劣環(huán)境中實現(xiàn)更優(yōu)系統(tǒng)耐久性

可靠性是測量或方法的一致性?？煽啃詫ξ覀冃袠I(yè)的重要性再怎么強調(diào)也不為過。然而，一個必要的、可以帶來可靠性階躍式提升的概念討論得較少：即我們 Wolfsp...

2025-12-09 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 3.6k 0

探索NXH80B120MNQ0SNG雙升壓電源模塊：高效與可靠的完美結(jié)合

在電源模塊的選擇上，電子工程師們總是在追求更高的效率、更好的可靠性以及更廣泛的適用性。今天，我們就來深入了解一款備受關(guān)注的電源模塊——NXH80B120...

2025-12-09 標(biāo)簽：電源模塊 SiC 碳化硅 376 0

MOSFET的三重防護（3）

OK，還剩MOSFET的最后一重防護，就是在DS之間加TVS做保護，對應(yīng)的就是下圖TVS3的位置。

2025-12-09 標(biāo)簽：MOSFET 保護電路斷路器 4.3k 0

超越防護：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導(dǎo)體封裝中扮演更關(guān)鍵角色？

隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統(tǒng)的離子防護理念亟待升級。本文將探討在此背景...

2025-12-08 標(biāo)簽：SiC IC封裝 GaN 689 0

深入解析 onsemi NTHL045N065SC1 SiC MOSFET

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細解析 onsemi 的 NTHL045N065S...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 996 0

Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來詳細剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 530 0

onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET深度解析

在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET一直是電源設(shè)計中的關(guān)鍵元件。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率MOSFET 908 0

探索 onsemi NXH010P120MNF1 SiC MOSFET 模塊：性能與應(yīng)用的深度剖析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 以其卓越的性能正逐漸成為行業(yè)的主流選擇。onsemi 的 NXH010P120MNF1 系列 SiC MO...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 602 0

探索onsemi NXH450B100H4Q2F2/Q2F2PG-R Q2BOOST模塊：Si/SiC混合技術(shù)的卓越之選

在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能和可靠性對整個系統(tǒng)的運行起著關(guān)鍵作用。今天，我們來深入了解一下onsemi的NXH450B100H4Q2F2和NXH450...

2025-12-08 標(biāo)簽：SiC 功率模塊升壓模塊 496 0

SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料

引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍...

2025-12-08 標(biāo)簽：材料功率器件 SiC 654 0

探索 onsemi NTHL015N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對電路設(shè)計的效率和穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。今天，我們來深入了解 onsemi 推出的 NTHL015N065SC1 Si...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC N溝道 467 0

探索 onsemi NTBG022N120M3S SiC MOSFET：高性能與應(yīng)用潛力

作為電子工程師，我們總是在尋找那些能為設(shè)計帶來突破的組件。今天，我將深入探討 onsemi 的 NTBG022N120M3S SiC MOSFET，一款...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 高性能 576 0

絕緣與散熱：立山科學(xué)TWT系列在高壓高功率環(huán)境下的表現(xiàn)

作為日本立山科學(xué)株式會社的官方代理，深圳市智美行科技深知高壓、高功率密度應(yīng)用對溫度傳感器提出了雙重挑戰(zhàn)：可靠的電氣隔離與高效的熱傳導(dǎo)。本文將深入探討TW...

2025-12-04 標(biāo)簽：NTC SiC GaN 498 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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