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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅功率半導體器件是怎樣制造出來的

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產(chǎn)線升...

2022-11-02 標簽：濾波器 SiC 碳化硅 2.3k 0

提高SiC功率模塊的功率循環(huán)能力

在商業(yè)應用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進的芯片粘接技術，Vincotech 處于領先地位。...

2023-10-23 標簽：機械 SiC 功率模塊 2.3k 0

提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET...

2024-08-19 標簽：IGBT SiC IGBT模塊 2.3k 0

TMS320F28P550SJ 實時微控制器技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器 AI SiC 2.3k 0

派恩杰SiC器件在數(shù)據(jù)中心中的應用

從傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)到人工智能數(shù)據(jù)中心(AIDC)的演進，本質上是一場能源效率與算力密度的極限競賽。AI算力的爆發(fā)正將數(shù)據(jù)中心推向“電力極限”。

2025-12-24 標簽：MOSFET 數(shù)據(jù)中心 SiC 2.2k 0

基于安森美SiC JFET的固態(tài)斷路器解決方案

斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器...

2025-09-23 標簽：安森美 JFET 斷路器 2.2k 0

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必...

2023-06-16 標簽：MOSFET 安森美 SiC 2.2k 0

碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望

隨著全球對電動汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預計，將來功率半導體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這...

2024-04-30 標簽：電動汽車功率器件 SiC 2.2k 0

SiC MOSFET的動態(tài)特性

本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。

2025-03-26 標簽：MOSFET 半導體三菱電機 2.2k 0

基于國產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質外延技術進展

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術. 通過在玻璃晶圓上使用雙面布線工藝，實現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉接...

2023-05-14 標簽：MOSFET 半導體天線 2.2k 0

AC/DC 拓撲：SpeedFit 示例

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實用的仿真工具，可快速比較不同的系統(tǒng)規(guī)格、拓撲、器件甚至熱參...

2023-05-22 標簽：二極管變換器 PFC 2.2k 0

基于SiC的優(yōu)化2x250kW雙逆變器

電動汽車隨著汽車行業(yè)技術的進步 (HEV)，(EV) 和混合動力電動汽車 (HEV) 越來越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過程需要大量電力。雙逆變器技術已被用...

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Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 2.2k 0

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

在切割脆性 SiC 晶片時，必須減少或完全消除機械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應將材料的機械變化降至最低。同時還應優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度，以限...

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碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應用

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 標簽：半導體電力電子器件 SiC 2.2k 0

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安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，該系列專為...

2025-11-22 標簽：MOSFET SiC 碳化矽 2.2k 0

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2024-01-03 標簽：逆變器電機驅動功率器件 2.2k 0

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濾波器在前端中也有著重要的作用，在接收機下變頻時，鏡像頻段處的信號會變頻到中頻帶處，引入干擾，此時濾波器可用于抑制鏡像頻段處的干擾。而在常見的前端設計中...

2023-09-16 標簽：濾波器 SiC GaN 2.2k 0

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰(zhàn)

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