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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC 氮化鎵電子開關 3.3k 1

車規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術介紹

芯片互連技術包括兩大類，有綁定線和無綁定線兩大類。其中，有綁定線的，我們再熟悉不過了，也是技術最為成熟的一類

2023-10-10 標簽：散熱器 IGBT SiC 3.1k 0

SiC器件如何顛覆不間斷電源設計?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設備、醫(yī)療設備和其他關鍵設備的持續(xù)供電。憑借先進的半導體技術，這些...

2023-10-10 標簽：UPS 安森美不間斷電源 1.7k 0

寬禁帶半導體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。

2023-10-09 標簽：電動汽車功率器件 SiC 2.1k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：

2023-10-09 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 7.6k 1

新型SIC功率芯片結構設計及制造技術

　　柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 　　漏極電壓下...

2023-10-08 標簽：新能源汽車電阻功率器件 1k 0

車規(guī)模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術簡析

在上篇討論TPAK封裝時，我們聊到了Cu-Clip技術，當然它可以應用在很多模塊封裝形式當中

2023-10-07 標簽：IGBT SiC 寄生電感 4.2k 0

SiC器件在光伏發(fā)電領域中的作用能否達到降本增效的效果？

全球化能源變革不斷推進，綠色、低碳發(fā)展成為時代的主旋律，太陽能光伏發(fā)電成為未來清潔能源利用的重要組成部分。

2023-10-07 標簽：濾波器光伏發(fā)電 SiC 2k 0

碳化硅功率器件的結構和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。

2023-09-28 標簽：半導體功率器件 SiC 2.4k 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。

2023-09-28 標簽：晶圓場效應晶體管肖特基二極管 5.4k 0

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

作者：Bill Schweber 在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力...

2023-10-03 標簽：電源 MOSFET 電源設計 6k 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點...

2023-09-27 標簽：新能源 MOSFET MOS 2.6k 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉換效率并減小產(chǎn)品體積等特點。

2023-09-27 標簽：SiC 電磁感應硅晶片 9.2k 0

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。

2023-09-27 標簽：BGA SiC 芯片封裝 1.3k 0

面向5G通訊的高性能LLSAW壓電異質(zhì)聲學諧振器設計

近年來移動通訊技術不斷快速迭代革新，為支持更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，射頻器件正向更高的頻譜范圍進行拓展遷移。

2023-09-25 標簽：濾波器諧振器 SiC 2.1k 0

碳化硅多芯片模塊現(xiàn)狀分析

現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率，同時減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求，適用于廣泛的領域，包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機和發(fā)電機以及配電網(wǎng)應用。為了跟上這種...

2023-09-24 標簽：半導體封裝技術 SiC 848 0

碳化硅功率器件封裝技術解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標簽：封裝技術 BGA 功率器件 1.8k 0

寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被...

2023-09-21 標簽：半導體 SiC 電子開關 1.8k 0

關于碳化硅半導體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標簽：IGBT SiC 氮化鎵 599 0

寬禁帶半導體紫外光電探測器設計研究

寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業(yè)和醫(yī)療領域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現(xiàn)代科技應用的發(fā)展。

2023-09-20 標簽：半導體 SiC 光電探測器 2.8k 0

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