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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常追求高性能、高可靠性的電子元件。今天，我將為大家詳細(xì)介紹安森美（onsemi）的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NT...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 730 0

onsemi NXH010P90MNF1 SiC模塊：高效功率轉(zhuǎn)換的新選擇

在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度。今天，我們要介紹的是安森美（onsemi）的NXH010P90MNF1...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 功率轉(zhuǎn)換 SiC 485 0

onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析

在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天，我們就來(lái)深入探討一下安森美（onsemi）的NTMT...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 523 0

探索 onsemi NTHL022N120M3S SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里，選擇合適的功率器件是實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性電路的關(guān)鍵。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTHL022N120M3S 碳化...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 高性能 423 0

探索 onsemi NTBG014N120M3P SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 正憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTBG014N120M...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 607 0

onsemi碳化硅MOSFET NTH4L014N120M3P：高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的一款120...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 504 0

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢(shì)，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達(dá)...

2025-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 7.6k 0

深入解析 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模塊

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC ...

2025-12-05 標(biāo)簽：SiC 功率模塊三通道 518 0

探索 onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G：Si/SiC 混合模塊的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G，一款具有...

2025-12-04 標(biāo)簽：二極管功率轉(zhuǎn)換 SiC 758 0

探索onsemi NXH600B100H4Q2F2SG：Si/SiC混合模塊的卓越性能與應(yīng)用潛力

電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，常常需要在眾多的器件中尋找性能卓越、可靠性高且符合應(yīng)用需求的產(chǎn)品。今天，我們就來(lái)深入了解一下onsemi的NXH600B100...

2025-12-04 標(biāo)簽：二極管 IGBT SiC 994 0

探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 509 0

探索 onsemi NVBG022N120M3S SiC MOSFET 的卓越性能

在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能提升對(duì)于各類(lèi)電子設(shè)備的高效運(yùn)行至關(guān)重要。作為一名電子工程師，我最近深入研究了 onsemi 的 NVB...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體器件 514 0

探索 onsemi NTHL075N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能

在電力電子領(lǐng)域，SiC（碳化硅）MOSFET 正憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 NTHL075N0...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 553 0

安森美SiC MOSFET NVBG025N065SC1：汽車(chē)電子應(yīng)用的理想之選

在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）推...

2025-12-04 標(biāo)簽：MOSFET 汽車(chē)電子 SiC 487 0

onsemi NXH240B120H3Q1：Si/SiC混合模塊的卓越性能解析

在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著眾多應(yīng)用的效率和可靠性。今天，我們來(lái)深入探討onsemi的NXH240B120H3Q1 Si/SiC混合模塊，它...

2025-12-04 標(biāo)簽：Boost SiC 三通道 515 0

解析 onsemi SiC 功率MOSFET模塊NVXK2PR80WXT2

作為一名電子工程師，在為電動(dòng)汽車(chē)（xEV）應(yīng)用設(shè)計(jì) DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車(chē)載充電器時(shí)，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 ...

2025-12-03 標(biāo)簽：SiC 功率MOSFET 車(chē)載充電器 900 0

onsemi NVXK2VR40WXT2 SiC功率MOSFET模塊：xEV車(chē)載充電器的理想之選

在電子工程師的日常工作中，為特定應(yīng)用選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討onsemi的NVXK2VR40WXT2這款1200V、40mΩ、...

2025-12-03 標(biāo)簽：SiC 功率MOSFET 車(chē)載充電器 826 0

探索 onsemi NVXK2VR80WXT2：SiC功率MOSFET模塊的卓越性能

在電動(dòng)汽車(chē)（xEV）應(yīng)用領(lǐng)域，車(chē)載充電器（OBC）的性能至關(guān)重要，而功率 MOSFET 模塊作為其中的核心組件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。...

2025-12-03 標(biāo)簽：SiC 功率MOSFET 車(chē)載充電器 643 0

安森美SiC MOSFET：NVBG070N120M3S解析與應(yīng)用

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSF...

2025-12-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 741 0

安森美NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊：高性能電源解決方案

在電源模塊領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊，為太陽(yáng)能逆...

2025-12-03 標(biāo)簽：SiC 高性能碳化硅 432 0

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尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
UCD3138

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