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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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陶瓷封裝工藝介紹

陶瓷封裝工藝是指采用陶瓷外殼 (Ceramic Packaging Shell, CPS)或陶瓷基板作為封裝載體，在陶瓷外殼的芯腔或陶瓷基板芯片安裝區(qū)黏...

2023-04-27 標簽：cps SiC PGA封裝 1.2萬 0

SiC半導體如何成為比舊有技術更具成本競爭力的解決方案

隨著電動汽車、可再生能源和 5G 等領域的創(chuàng)新步伐不斷加快，為滿足消費者和行業(yè)的需求，越來越多的工程師也在尋求全新解決方案，并對技術提出了更高的要求。

2023-04-27 標簽：半導體 IGBT FET 1.1k 0

APEX微技術發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術和領先的封裝設計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1.8k 0

什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主...

2023-04-25 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 6.3k 0

高電壓平臺和SiC碳化硅功率開關的核心

電流方面，峰值充電電流可達600+A；電壓方面，量產(chǎn)電動車的架構電壓普遍在400-500V，而小鵬實現(xiàn)了遠超行業(yè)平均工作電壓的800V級，并可兼容不同電...

2023-04-25 標簽：電動車功率開關 SiC 1k 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

該團隊開發(fā)了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設備，其生長過程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 7k 0

SiC MOSFET的溫度特性及結溫評估研究進展

與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能，新特性給其結溫評估帶來了新挑戰(zhàn)，許多適用于 Si 器件的結溫評估方法可能不再適用于 Si...

2023-04-15 標簽：MOSFET 半導體功率器件 8.1k 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。

2023-04-14 標簽：肖特基二極管 SiC GaN 1.1k 0

SiC在UPS中的應用優(yōu)勢

我們聊了關于UPS的概念和分類，以及在線式UPS的三個工作模式。第三代寬禁帶半導體WBG的誕生和發(fā)展，讓很多使用Si基半導體器件的行業(yè)得到提升，今天我們...

2023-04-14 標簽：半導體 UPS 數(shù)據(jù)中心 1.9k 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

碳化硅MOS優(yōu)點：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標簽：變壓器 MOSFET IGBT 6.9k 0

碳化硅相對于硅的特性和優(yōu)勢有哪些

未來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標簽：MOSFET 電感器 IGBT 2.8k 0

安森美碳化硅芯片的設計進展及技術分析

減小了電場集中效應，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關，同時和耐壓環(huán)也有很大的關系。

2023-04-07 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.7k 0

基于氮化鎵器件的集成化技術詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關斷狀態(tài)。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態(tài)。

2023-04-07 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 659 0

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個...

2023-04-06 標簽：芯片 MOSFET SiC 2.3k 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-04-06 標簽：MOSFET IGBT 等效電路 2k 0

電力電子器件的概念及分類

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

2023-04-04 標簽：電力電子器件驅動電路 SiC 1.1萬 0

用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對齊，并與晶圓上的電路進行物...

2023-04-04 標簽：SiC GaN 半導體制造 2k 0

Si3N4為何要用AMB工藝？AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。

2023-04-01 標簽：電動汽車 SiC DBC 8.9k 0

溝槽結構SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。

2023-04-01 標簽：MOSFET JFET SiC 3.5k 0

用于高功率密度應用的碳化硅功率器件

交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發(fā)展。高開關頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關鍵因素。

2023-03-30 標簽：轉換器 MOSFET SiC 2k 0

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逆變器將直流電轉化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設計升壓電路。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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