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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

功率晶體管的結構與特征比較

使用的工藝技術不同結構也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低...

2023-02-23 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.4k 0

SiC-MOSFET的特征

功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速...

2023-02-23 標簽：MOSFET 元器件 SiC 775 0

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型...

2023-02-23 標簽：二極管半導體 SiC 1.3k 0

在橋式結構中的注意事項：探頭的CMRR

在對橋式結構中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會...

2023-02-22 標簽：MOSFET 波形探頭 1.2k 0

平面磁件如何提高電力電子器件性能

本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后，您應該對平面磁性技術的優(yōu)勢以及自動化工作流程如何輕松...

2023-02-22 標簽：意法半導體電力電子 SiC 2.1k 0

使用隔離式柵極驅動器和DC-DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電力開發(fā)的成功取決于電力轉換方案的有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件以及用于打開和關閉這些半導體的策略，這...

2023-02-22 標簽：轉換器驅動器 SiC 2.6k 0

碳化硅（SiC）在汽車電子中的應用

熱設計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設計高功率密度，從而設計緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1.5k 0

SiC-SBD和SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推...

2023-02-22 標簽：二極管晶體管 SiC 1.3k 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-22 標簽：二極管元器件 SiC 492 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且...

2023-02-22 標簽：二極管半導體 SiC 1k 0

SiC-SBD特征以及與Si二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。

2023-02-22 標簽：二極管元器件 SiC 1.8k 0

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件...

2023-02-22 標簽：轉換器元器件 SiC 990 0

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數(shù)。如數(shù)值所示，SiC的這些參數(shù)頗具優(yōu)勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 標簽：半導體 SiC 功率元器件 3.6k 0

介紹SiC肖特基二級管在充電機AC-DC和DC-DC電路中的應用

車載充電機是電動汽車內(nèi)部的核心部件，其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令，動態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù)，完成電動汽車的充電過程。

2023-02-21 標簽：PFC SiC LLC 941 0

SiC器件的優(yōu)缺點！

在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 標簽：逆變器 IGBT SiC 4.7k 0

用更多選擇回應積極的反饋

為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11...

2023-02-21 標簽：FET SiC 計算器 432 0

最大限度降低SiC FET的EMI的開關損耗

對高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速開關速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。

2023-02-21 標簽：MOSFET emi SiC 1.4k 0

SiC FET導通電阻隨溫度變化

比較SiC開關的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗...

2023-02-21 標簽：轉換器 MOSFET SiC 2k 0

UnitedSiC FET射流計算機消除SiC FET選擇中的猜忌

電源設計工具在不斷改進，仿真越來越能夠在調(diào)節(jié)、效率和由此產(chǎn)生的損耗方面輸出準確的波形和性能。不過有一個小問題：模擬器只能使用你告訴它的內(nèi)容——軟件很聰明...

2023-02-21 標簽：轉換器 DC-DC SiC 482 0

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應嗎？

　碳化硅的應用主要在于它的半導體性能與力學性能兩個方面。高溫下與氧反應。

2023-02-20 標簽：半導體 SiC 碳化硅 4.2k 0

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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