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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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如何將碳化硅成本將下降30%

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理想自研芯片，總體人員規(guī)模在160人以上

據理想發(fā)布的LinkedIn招聘顯示，理想目前正在新加坡招聘五個崗位，包括：總經理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家...

2023-12-06 標簽：SiC 功率模塊理想汽車 1.4k 0

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認證，成功進入新能源汽車供應鏈！

近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)...

2023-12-06 標簽：SiC 碳化硅車規(guī)級芯片 1.1k 0

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SiC等功率器件撐起3000億特高壓建設

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正式下線！積塔工廠1200V 20mΩ SiC MOSFET產品

李豐軍表示，中汽創(chuàng)智承擔著國家自主創(chuàng)新的歷史使命，而第三代半導體SiC技術則是新能源汽車的關鍵核心領域。此次成功流片是實現(xiàn)芯片能力自主突破的里程碑事件，...

2023-12-05 標簽：新能源汽車半導體 SiC 1.4k 0

汽車半導體供需發(fā)生改變，碳化硅是否隨著更改？

汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應用市場。在整個汽車半導體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會延續(xù)此前供不應求的市場行情？

2023-12-05 標簽：MOSFET IGBT SiC 649 0

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封...

2023-12-02 標簽：英飛凌封裝 SiC 1.8k 0

安世半導體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-24...

2023-12-04 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.9k 0

車企自研碳化硅模塊，更有“性價比”的選擇

電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）近日理想汽車在招聘信息中披露，公司在新加坡成立功率器件研發(fā)辦公室，目前公開四個技術崗，包括SiC功率模塊失效分析/物理分析...

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碳化硅開啟功率半導體的新時代

隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環(huán)境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包裝成本高昂，推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變，根據Pow...

2023-12-03 標簽：半導體 SiC 碳化硅 765 0

英飛凌EiceDRIVER?技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰(zhàn)

碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數(shù)配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事...

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博世推出EG120電流源門極驅動方案

眾所周知，博世擁有高性能SiC ，但是因為SiC的可靠性問題和一致性問題始終困擾著眾多研發(fā)人員，那么應該如何更好的發(fā)揮SiC的性能呢？

2023-12-01 標簽：NTC SiC 電流源 3.6k 0

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2023-11-30 標簽：MOSFET IGBT SiC 2.9k 0

環(huán)旭電子：未來3年公司將增加約50%產能

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11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通...

2023-11-30 標簽：MOSFET SiC 驅動電壓 3.3k 0

增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量

碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMO...

2023-11-28 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.9k 0

古石188W多口桌面充電器選用森國科SiC二極管應用案例

經專業(yè)拆解機構——充電頭網的拆解報告顯示：古石一款188W多口氮化鎵桌面充電器的PFC升壓電感采用了森國科第五代TMPS碳化硅二極管：型號為KS0806...

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三菱電機與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）功率半導體

2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。

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