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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅芯片國(guó)際發(fā)展的現(xiàn)狀與總體趨勢(shì)

現(xiàn)有車用控制器普遍采用硅芯片，經(jīng)過20多年的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)十分成熟，在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料因具有高熱...

2023-10-24 標(biāo)簽：新能源汽車電機(jī)控制器 SiC 991 0

SiC市場(chǎng)變革：全球供應(yīng)鏈競(jìng)爭(zhēng)激烈

近年來(lái)，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了重大變革，從歐美的IDM主導(dǎo)到中系廠的嶄露頭角，市場(chǎng)格局正經(jīng)歷激烈的變化。這場(chǎng)變革將如何影響供應(yīng)鏈？以下是本文關(guān)...

2023-10-23 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.8k 0

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)...

2023-10-22 標(biāo)簽：逆變器 SiC 熱管理 964 0

安森美SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長(zhǎng)5%里程的秘訣

本文作者：安森美汽車主驅(qū)解決方案高級(jí)產(chǎn)品線經(jīng)理JonathanLiao不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都...

2023-10-21 標(biāo)簽：安森美逆變器 SiC 1.5k 0

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18...

2023-10-20 標(biāo)簽：MOS管散熱器 SiC 2.1k 0

格芯獲3500萬(wàn)美元加速氮化鎵芯片

據(jù)外媒報(bào)道，格芯已獲得美國(guó)政府3500萬(wàn)美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...

2023-10-20 標(biāo)簽：晶圓 SiC 氮化鎵 1.2k 0

三菱電機(jī)將投資Coherent的SiC業(yè)務(wù) 發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)

三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)；旨在通過與Coherent的縱向合作來(lái)發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三菱電機(jī)功率器件 1.5k 0

科友半導(dǎo)體官宣，首批8吋碳化硅襯底下線

科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 功率半導(dǎo)體 2.3k 0

科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線

2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.3k 0

羅姆新增SiC和IGBT模型，可提供超3,500種LTspice?模型

據(jù)AMEYA360介紹：全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴(kuò)大了支持電路仿真工具* 1 LTspice? 的SPICE模型* 2 陣容。LTs...

2023-10-17 標(biāo)簽：IGBT SiC 羅姆半導(dǎo)體 1.4k 0

SiC產(chǎn)業(yè)鏈與SiC戰(zhàn)略初探

隨著我們逐漸擺脫化石燃料，世界正在認(rèn)識(shí)到功率半導(dǎo)體的至關(guān)重要性。能源效率、電氣化和二氧化碳減排是我們這個(gè)時(shí)代的口號(hào)，但它們只是最近一系列碳化硅（SiC...

2023-10-16 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)？如何破局？

近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.4k 0

日本電裝和三菱將投資10億美元，獲取對(duì)Coherent碳化硅部門25%股權(quán)

根據(jù)交易條款，電裝和三菱電機(jī)將各投資5億美元，以獲得Coherent 碳化硅業(yè)務(wù)12.5%的非控股所有權(quán)，Coherent 擁有剩余75%的所有權(quán)。在交...

2023-10-13 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 碳化硅 1.9k 0

SiC相對(duì)于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢(shì)如何

碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn)，即不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。如今，出于多種原因，希望保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低長(zhǎng)期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...

2023-10-13 標(biāo)簽：處理器 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.3k 0

印度第一家SiC公司誕生

CDIL 的第一批生產(chǎn)批次用于出口，因?yàn)楫?dāng)時(shí)印度的潛在客戶對(duì)印度是否有人可以生產(chǎn)硅持懷疑態(tài)度。CDIL 總裁兼董事總經(jīng)理 Inderdeep 表示：“但...

2023-10-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 硅芯片 1.8k 0

盛劍環(huán)境4億元泛半導(dǎo)體先進(jìn)綠色裝備生產(chǎn)項(xiàng)目奠基

據(jù)了解，湖北盛劍環(huán)境一期工程于2022年7月15日在肖正式投產(chǎn)，擁有多條半導(dǎo)體清潔室專用管道和環(huán)保設(shè)備生產(chǎn)線。戰(zhàn)略部署，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)價(jià)值為進(jìn)行延...

2023-10-12 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 1.7k 0

淺析SiC MOS新技術(shù)：溝道電阻可降85%

我們知道，SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長(zhǎng)技術(shù)，據(jù)說可以...

2023-10-11 標(biāo)簽：MOSFET SiC SLE 5.2k 0

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢？

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性

2023-10-11 標(biāo)簽：MOSFET 肖特基二極管 SiC 2.3k 0

芯塔電子與南京博蘭得達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴

近日，安徽芯塔電子科技有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司，與博蘭得董事長(zhǎng)徐明博士進(jìn)行深入交流。

2023-10-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 直流充電 1.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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