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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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安森美獲蔚來(lái)汽車“守望獎(jiǎng)”

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),在蔚來(lái)于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會(huì)上獲其授予“守望獎(jiǎng)”。作...

2022-09-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美SiC 751 0

電動(dòng)汽車乘風(fēng)而起,IGBT與SiC將誰(shuí)主沉???

電動(dòng)汽車乘風(fēng)而起,IGBT與SiC將誰(shuí)主沉???

近幾年來(lái),電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求量大增,特別是電動(dòng)汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),...

2022-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC 5k 0

IGBT與SiC的性能對(duì)比

近幾年來(lái),電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求量大增,特別是電動(dòng)汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),...

2022-09-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1.5萬(wàn) 1

討論SiC在中功率和高功率OBC中的優(yōu)勢(shì)

電動(dòng)汽車(EV)車載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到 2 kW,到高端電動(dòng)汽車中的 22 kW 不等。

2022-09-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車AFEDC-DC轉(zhuǎn)換器 3.1k 0

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...

2022-09-01 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率器件 1.1k 0

UPS小型化高效化發(fā)展,引入SiC能否解決設(shè)計(jì)難題

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))在如今的生活里,我們對(duì)電力能源的依賴度是非常高的,若沒(méi)有電,很多日常生活都會(huì)受到影響。不間斷電源UPS就是為了應(yīng)對(duì)這種情況...

2022-09-01 標(biāo)簽:UPSSiC 2k 0

凈利潤(rùn)大漲2倍!比亞迪2022年上半年?duì)I收飆漲65%!今年內(nèi)預(yù)期交付150萬(wàn)輛新能源汽車

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比亞迪公布上半年財(cái)報(bào),比亞迪2022年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1506.07億元,同比增長(zhǎng)65.71%;歸母凈利潤(rùn)35.95億元,同比增長(zhǎng)206.35%;比亞迪上...

2022-08-30 標(biāo)簽:新能源汽車比亞迪SiC 4.2k 0

芯塔電子推出新一代SiC MOSFET,性能達(dá)到國(guó)際一流水平

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?近日,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET,器件各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。此舉標(biāo)志著芯塔...

2022-08-29 標(biāo)簽:SiC芯塔電子 1.7k 0

SiC發(fā)展神速

來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯 全球的器件制造商正在加強(qiáng)碳化硅(SiC)的制造,增長(zhǎng)將在2024年開(kāi)始真正起飛。 自特斯拉和意法半導(dǎo)體在Model 3中使用碳化...

2022-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 1.3k 0

SiC正成為電動(dòng)汽車的“香餑餑”

理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地是理想汽車自研核心部件的戰(zhàn)略布局之一,主要專注于第三代半導(dǎo)體SiC車規(guī)功率模塊的自主研發(fā)及生產(chǎn),旨在打造汽車專用功率模塊...

2022-08-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.4k 0

氮化鎵GaN技術(shù)的未來(lái)布局

氮化鎵作為一種寬帶隙復(fù)合半導(dǎo)體材料,具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開(kāi)關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。其中,開(kāi)關(guān)頻率高意味著應(yīng)用電路可以采用尺寸...

2022-08-24 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 2.7k 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(五):SiC MOSFET 相關(guān)應(yīng)用中的EMI改善方案

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富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第...

2022-08-30 標(biāo)簽:MOSFETemi富昌電子 1.8k 0

SiC功率元件迎來(lái)快速發(fā)展期

國(guó)內(nèi)的晟光硅研(Lasic)成立于2021年2月,是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項(xiàng)目,技術(shù)團(tuán)隊(duì)包括來(lái)自西安電子科技大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...

2022-08-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.6k 0

碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料,引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時(shí)具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢(shì)。1)碳化硅擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 4.9k 0

能源部資助 GaN  技術(shù)研究以替代電力電子中的硅

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美國(guó)能源部將花費(fèi)高達(dá) 3200 萬(wàn)美元資助 16 個(gè)旨在提高半導(dǎo)體功率性能的研發(fā)項(xiàng)目

2022-08-24 標(biāo)簽:電力電子SiCGaN 714 0

SiC和Si產(chǎn)線差異和轉(zhuǎn)換

來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯 SEMI最近與PowerAmerica聯(lián)盟的執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis合作,舉辦了一次題為SiC-碳化硅...

2022-08-19 標(biāo)簽:工藝SiC 2.2k 0

Microchip高效雙通道數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器讓SiC器件優(yōu)勢(shì)盡顯

隨著對(duì)電動(dòng)汽車以及各種電氣化的需求增加,加之人們對(duì)于更低碳排放目標(biāo)的追求,使得碳化硅 (SiC) 等第三代寬禁帶半導(dǎo)體電源管理器件的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。...

2022-08-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器microchipSiC 1.5k 0

GaN 和 SiC 功率器件為軍用/航空系統(tǒng)帶來(lái)巨大優(yōu)勢(shì)

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WBG 半導(dǎo)體提供比硅基器件高 10 倍的功率密度

2022-08-17 標(biāo)簽:SiCGaN航空航天 3.5k 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要一些額外的專業(yè)知識(shí)

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電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西,但是從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí),就需要多注意這些問(wèn)題了

2022-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.3k 0

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

2022-08-17 標(biāo)簽:MOSFET電力SiC 2.8k 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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