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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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測(cè)試、測(cè)量試驗(yàn)，確認(rèn) GaN 技術(shù)的價(jià)值

通過(guò)測(cè)試和測(cè)量持久力來(lái)評(píng)估電子設(shè)備的質(zhì)量和耐用性。評(píng)估氮化鎵 (GaN)價(jià)值的測(cè)試勢(shì)在必行，因?yàn)樗哉Q生以來(lái)就具有巨大的潛力，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換，...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工業(yè)SiC 1.8k 0

用于 5G 行業(yè)的射頻功率半導(dǎo)體

使用 WBG 材料的射頻功率半導(dǎo)體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn)，縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進(jìn)步正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技...

2022-08-05 標(biāo)簽：射頻 SiC GaN 2.2k 0

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：讓我們使用SiC MOSFET構(gòu)建雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

隨著高效蓄能器（電池和超級(jí)電容器）的大量使用，趨勢(shì)是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康并延長(zhǎng)其使用壽命。

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì)升壓轉(zhuǎn)換器 1.3k 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要更多的奉獻(xiàn)精神

工程師熟悉電磁干擾、并聯(lián)和布局，但在從硅基芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。據(jù)chip稱，硅（Si）基半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體領(lǐng)先十...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)SiC 1.8k 0

碳化硅、氮化鎵：注意帶隙

近年來(lái)，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。S...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體 SiC 1.2k 0

使用SiC實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能和可再生能源功率轉(zhuǎn)換

Wolfspeed SiC 目前支持廣泛的應(yīng)用，因?yàn)槭聦?shí)證明，基于 SiC 的解決方案比傳統(tǒng)的基于 Si 的解決方案具有更高的效率、功率密度和系統(tǒng)成本效...

2022-08-04 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換 SiC 可再生能源 1k 0

如何消除SiC MOSFET——柵極電路設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤及其對(duì)穩(wěn)健性的影響

為什么需要關(guān)注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統(tǒng)的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統(tǒng) Si 基半導(dǎo)體中的經(jīng)典 Si-SiO 2界面更...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器二極管 MOSFET 2.4k 0

最大限度地減少SiC FET中的EMI和開(kāi)關(guān)損耗

SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對(duì)于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)...

2022-08-04 標(biāo)簽：emi FET SiC 2.1k 0

關(guān)于碳化硅的 10 件事

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.8k 0

使用 Si 和 SiC 器件的電力電子教育工具箱

我們知道，技術(shù)教育不僅需要理論知識(shí)，還需要實(shí)踐知識(shí)和動(dòng)手經(jīng)驗(yàn)，讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實(shí)際上幫助學(xué)生理解諸如電路設(shè)計(jì)概念之類的...

2022-08-04 標(biāo)簽：設(shè)計(jì)電力電子 SiC 948 0

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：使用SiC進(jìn)行蒙特卡羅分析

圖 1中的圖表顯示了一個(gè)典型的 RC 電路，其中電容器充電的時(shí)間取決于時(shí)間常數(shù)。準(zhǔn)確地說(shuō)，RC秒后電壓達(dá)到電源電壓的63%左右。在這種情況下，電容器兩端...

2022-08-04 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)升壓轉(zhuǎn)換器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.2k 0

用于電動(dòng)汽車下一個(gè)高壓應(yīng)用的碳化硅

目前，標(biāo)準(zhǔn)硅器件仍占電力電子市場(chǎng)的大部分。雖然許多公司正在開(kāi)發(fā)新的電路拓?fù)湟蕴岣吖杵骷男?，尤其是三電平拓?fù)?，但新的碳化硅解決方案正在作為一種新的半導(dǎo)...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 951 0

羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施

日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房，旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這個(gè)新工廠包括工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更綠色的制造過(guò)程。 ...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1k 0

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路及其影響因素

兩個(gè)重要變量（例如閾值電壓和結(jié)溫）之間的現(xiàn)有關(guān)系為變化，因?yàn)橛^察到 Lss' 上的電壓發(fā)生了變化。由于 SiC MOSFET 的開(kāi)爾文源和電源...

2022-08-04 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS管 3.2k 0

SiC MOSFET 短路測(cè)試下的引線鍵合應(yīng)力分析

電力電子技術(shù)在日常生活中越來(lái)越普遍，尤其是現(xiàn)在，當(dāng)我們正經(jīng)歷一場(chǎng)由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時(shí)。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...

2022-08-04 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 2.1k 0

碳化硅 MOSFET 取代電動(dòng)汽車雙向充電器中的 IGBT

電動(dòng)汽車 (EV) 以及更普遍的電動(dòng)汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長(zhǎng)期以來(lái)，電動(dòng)汽車一直被認(rèn)為是弱點(diǎn)之一，充電時(shí)間逐漸縮短，采用快速...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 3.4k 0

碳化硅嵌入式漏極 MOSFET 助力“登月火星”任務(wù)

晶圓鍵合是一種廣泛用于開(kāi)發(fā)和成功生產(chǎn)微機(jī)械傳感器和執(zhí)行器 (MEMS) 的工藝。由于它能夠通過(guò)多個(gè)晶片的精確和牢固附著來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的微納米結(jié)構(gòu)，因此它肯定...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體嵌入式 1.1k 0

用1,700V SiC MOSFET替換IGBT

Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過(guò)采用具有更少部件和更簡(jiǎn)單控制方案的兩電平拓?fù)淇朔?IGBT 的困難。沒(méi)有開(kāi)關(guān)限制，功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.8k 0

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 2.9k 0

擴(kuò)大碳化硅晶圓供應(yīng)

在環(huán)境問(wèn)題、國(guó)家法規(guī)和消費(fèi)者壓力的推動(dòng)下，全球汽車電氣化競(jìng)賽正在進(jìn)行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體，一直是電動(dòng)汽車(EV)的技術(shù)加速器，因?yàn)樗?..

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 498 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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