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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

SRAM的基礎(chǔ)電路及原理分析

硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說...

2023-10-01 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 7k 0

一文詳解DMA控制器(DMA)主要特征及參數(shù)

CPU無時(shí)不刻的在處理著大量的事務(wù)，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數(shù)據(jù)的復(fù)制和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復(fù)雜計(jì)...

2022-11-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 cpu sram 6.8k 0

到底什么是SRAM

在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡單，更像是圖...

2023-03-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 cpu sram 6.8k 0

嵌入式MIPS32 M4K處理器內(nèi)核SRAM接口應(yīng)用

在微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內(nèi)核內(nèi)部不支持指令高速緩存(I-cache)或數(shù)據(jù)高速緩存(D-cache)的標(biāo)準(zhǔn)功能。本文重點(diǎn)討論的一個(gè)內(nèi)容-- ...

2011-09-02 標(biāo)簽：處理器嵌入式系統(tǒng)接口 6.7k 0

DRAM的矩陣存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)方案

DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，...

2020-12-01 標(biāo)簽：DRAM cpu 存儲(chǔ)單元 6.6k 0

論SRAM型FPGA軟核Microblaze抗單粒子加固的方法

Microblaze是32位/64位 RISC軟核處理器，可以用作微處理器、實(shí)時(shí)處理器和應(yīng)用處理器（Linux+MMU）。

2023-08-28 標(biāo)簽：fpga sram 微處理器 6.5k 0

STM32如何通過FSMC點(diǎn)亮LCD

FSMC是Flexible static memory controller（可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器）的簡稱，是STM32系列采用的一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)...

2023-03-23 標(biāo)簽：lcd 存儲(chǔ)器 sram 6.4k 0

xilinx仿真實(shí)驗(yàn)：IP核之RAM的配置

背景 RAM和ROM也是類似的，由于這也是常用的IP核，所有完全有必要在這里記錄一下，以后用到了實(shí)際后，再補(bǔ)充到實(shí)際工程中。隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），它可以...

2020-11-21 標(biāo)簽：DRAM SRAM RAM 6.4k 0

如何實(shí)現(xiàn)基于AD7606芯片采集正弦波呢？

找到波形發(fā)生器，可查看相關(guān)控制引腳。本次實(shí)驗(yàn)采集的波形是由AD9833輸出的。

2023-08-22 標(biāo)簽：寄存器存儲(chǔ)器 sram 6.4k 0

FPGA硬件電路的調(diào)試必備原則和技巧

在調(diào)試FPGA電路時(shí)要遵循必須的原則和技巧，才能降低調(diào)試時(shí)間，防止誤操作損壞電路。通常情況下，參考以下步驟執(zhí)行 FPGA硬件系統(tǒng)的調(diào)試。 1、在焊接硬件...

2013-01-16 標(biāo)簽：FPGA PROM SRAM 6.4k 1

淺談存儲(chǔ)芯片分類及主要市場格局

3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積成倍擴(kuò)增，理論上可以無限堆疊，可以擺脫對(duì)先進(jìn)制...

2023-04-06 標(biāo)簽：sram 存儲(chǔ)芯片只讀存儲(chǔ)器 6.3k 0

FPGA宇航應(yīng)用下的抗輻照刷新方案

想想買保險(xiǎn)產(chǎn)品的時(shí)候，各種產(chǎn)品選的是頭暈眼花，腦子里整天就想著對(duì)比兩個(gè)字?？臻g應(yīng)用首要考慮的因素就是可靠性，要保險(xiǎn)的產(chǎn)品，而不僅僅是給產(chǎn)品買保險(xiǎn)，所以更...

2023-08-18 標(biāo)簽：fpga 寄存器存儲(chǔ)器 6.3k 0

SRAM特點(diǎn)及工作原理

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù). 　　基本簡介　　SRAM不...

2010-08-02 標(biāo)簽：SRAM 6.2k 0

FPGA配置方式的特點(diǎn)與區(qū)別(1)

FPGA的配置方式有以下幾種，JTAG，AS，PS，AP，F(xiàn)PP等幾種。

2019-11-25 標(biāo)簽：fpga 存儲(chǔ)器 sram 6k 0

基于SRAM結(jié)構(gòu)FPGA邏輯資源的測試編程

隨著現(xiàn)場可編程門陣列( FPGA)芯片在商業(yè)、軍事、航空航天等領(lǐng)域越來越廣泛的應(yīng)用,其可靠性和可測試性也顯得尤為重要。本文介紹一種基于SRAM結(jié)構(gòu)FPG...

2017-11-23 標(biāo)簽：sram bc3192v50 6k 0

隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM的工作過程及類型

　　隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM是指存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。

2022-10-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 6k 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在...

2023-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 5.7k 0

賽普拉斯技術(shù)專家支招：怎樣為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇正確的同步SRAM存儲(chǔ)器？

對(duì)于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來說，選擇合適的同步SRAM是至關(guān)重要的，因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需要增加帶寬來達(dá)到更好的系統(tǒng)性能。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要明白不同種同步SRAM技術(shù)的特色和優(yōu)...

2013-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體賽普拉斯存儲(chǔ)器 5.7k 0

關(guān)于在Bootloader模式下的應(yīng)用程序下載

STM32 MCU 在 bootloader 模式下，可以通過多種可用外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C、SPI等）將程序下載到內(nèi)部存儲(chǔ)器中,詳細(xì)...

2022-06-16 標(biāo)簽：sram STM32 I2C 5.6k 0

淺析ESP8266定時(shí)器的計(jì)算周期與內(nèi)存分布

輪詢就是CPU挨個(gè)問這些外設(shè)，你需要我服務(wù)嗎？然后沒人用的話，一會(huì)兒再來問一圈，但是這個(gè)處理的速度是很快的，所以這個(gè)實(shí)時(shí)性倒是還行。

2022-07-10 標(biāo)簽：sram 定時(shí)器 ESP8266 5.5k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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