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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram資訊

?關(guān)于游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)的講解

數(shù)年來，諸如投幣游戲機(jī)和視頻撲克機(jī)等游戲機(jī)一直是游戲行業(yè)的基礎(chǔ)。通常這些游戲機(jī)的普及程度取決于贏錢的可能性，游戲機(jī)的可靠性以及游戲機(jī)的娛樂價(jià)值。相對(duì)于其...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.3k 0

關(guān)于ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程的詳細(xì)講解

ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫（刷新時(shí)除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。r...

2020-12-09 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 sram 1.7萬 0

關(guān)于MRAM的存儲(chǔ)原理以及MRAM的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限...

2020-12-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 3.2k 0

關(guān)于易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)的介紹

存儲(chǔ)器概況存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。非易失性存...

2020-12-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 6.5k 0

FSMC是STM32采用的一種新型存儲(chǔ)器控制技術(shù)

STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強(qiáng)型系列，工作頻率為72MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器（高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM），...

2020-12-02 標(biāo)簽：sram STM32 1.7k 0

以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴(kuò)充存儲(chǔ)容量的方法

SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，所謂靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會(huì)丟失。與DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）相...

2020-12-06 標(biāo)簽：sram 儲(chǔ)存器 8.5k 0

關(guān)于提升SRAM性能的傳統(tǒng)方法的詳細(xì)介紹

隨著諸如醫(yī)療電子和無線傳感節(jié)點(diǎn)等應(yīng)用的興起，低功耗芯片受到了越來越廣泛的關(guān)注。這類芯片對(duì)性能和功耗要求苛刻。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）作為芯片的重要組成...

2020-12-02 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.3k 0

關(guān)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器和新興存儲(chǔ)器應(yīng)用的簡(jiǎn)單分析

舊版存儲(chǔ)不再是使用壽命短的低端設(shè)備，因?yàn)橹饕?yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計(jì)算以及呈指數(shù)增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)...

2020-11-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 999 0

Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns

Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SR...

2020-11-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1.1k 0

讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)，幾個(gè)混合結(jié)構(gòu)的管理策略

MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn)，有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲(chǔ)單元構(gòu)建的MRAM存儲(chǔ)器可以用作高速緩存。然而MRAM寫入操作的長(zhǎng)延時(shí)和較高的功耗成...

2020-11-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 858 0

這種技術(shù)可能會(huì)成為處理器高級(jí)高速緩存中使用的SRAM的替代產(chǎn)品

但是CeRAM的速度可以使其很好地替代SRAM。迄今為止，他們已經(jīng)使CeRAM具有2納秒的脈沖寬度來寫入數(shù)據(jù)，這與處理器的L3高速緩存所需的速度相當(dāng)；Y...

2020-11-04 標(biāo)簽：處理器 sram 存儲(chǔ)技術(shù) 2.4k 0

三大存儲(chǔ)巨頭對(duì)車用市場(chǎng)進(jìn)行布局車用存儲(chǔ)器的前景不可限量

據(jù)預(yù)測(cè)，2021年的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速約為12%，而存儲(chǔ)技術(shù)增速則將達(dá)到19%，產(chǎn)值也會(huì)達(dá)到1460億美元，其中就包括了存儲(chǔ)器在車用市場(chǎng)的增長(zhǎng)。自動(dòng)駕...

2021-03-29 標(biāo)簽：汽車電子 sram 物聯(lián)網(wǎng) 5.9k 0

SRAM與DRAM究竟有何區(qū)別？誰能成為存儲(chǔ)技術(shù)殺手锏

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM 逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不...

2022-12-09 標(biāo)簽：DRAM sram 2.6k 0

NV-SRAM模塊的優(yōu)勢(shì)在于可快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，在封裝技術(shù)方面也具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。這些存儲(chǔ)芯片器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 ...

2020-10-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 766 0

非易失性NV-SRAM的應(yīng)用，它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么

NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。因此將比較...

2020-10-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 819 0

淺談幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)

SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時(shí)，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)...

2020-10-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2.2k 0

通過DRAM單元來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)并降低每存儲(chǔ)位成本

PSRAM是一種存儲(chǔ)技術(shù)，它通過DRAM單元來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)并降低每存儲(chǔ)位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。COSMORA...

2020-10-23 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1k 0

為什么鐵電RAM比串行SRAM更加的具有優(yōu)勢(shì)

對(duì)于特定的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，關(guān)于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個(gè)原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項(xiàng)。優(yōu)越的頻率和帶寬傳統(tǒng)和ULE FRA...

2020-10-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram RAM 1.1k 0

簡(jiǎn)單說明如何計(jì)算產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的FRAM耐久性

鐵電存儲(chǔ)器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持不僅不需要備用電池，而且與EEP...

2020-10-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram fram 1.1k 0

串行SRAM和FRAM二者之間的相似之處是什么

盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細(xì)介紹了SRAM和FRA...

2020-10-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram fram 1.3k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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3D NAND Flash

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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