射頻(RF)設(shè)計(jì)目前最強(qiáng)大的趨勢(shì)是推動(dòng)可配置/免頻帶的無(wú)線(xiàn)和天線(xiàn)設(shè)計(jì)。使RF元件可以數(shù)位化重新配置的優(yōu)點(diǎn)與需求逐漸增加，因此能夠精確且數(shù)位化地控制頻率和阻抗值，并持續(xù)對(duì)系統(tǒng)性能進(jìn)行最佳化。這種可配置的前端可在瞬間實(shí)現(xiàn)頻率和通訊標(biāo)準(zhǔn)的切換，同時(shí)重復(fù)使用相同的信號(hào)路徑。

　　WiSpry 公司藉由結(jié)合MEMS技術(shù)和主流半導(dǎo)體製程技術(shù)，打造出一款具有即時(shí)數(shù)位可調(diào)且具成本效益的低損耗RF電容器，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)RF技術(shù)──真正的軟體定義無(wú)線(xiàn)電，其RF前端可透過(guò)基頻進(jìn)行數(shù)位化控制，且所有特殊標(biāo)準(zhǔn)功能都以數(shù)位信號(hào)處理(DSP)編程方式載入。一旦前端成為數(shù)位可調(diào)式，大多數(shù)的RF工程作業(yè)就可以轉(zhuǎn)向軟體部份，因而大幅減少硬體設(shè)計(jì)/再設(shè)計(jì)的數(shù)量和成本，并縮短手動(dòng)調(diào)整電路所花的時(shí)間。

　　可編程前端RF可在多個(gè)平臺(tái)上使用，且由于新的響應(yīng)可被載入到平臺(tái)的韌體中，因此它甚至可以提供一些‘未來(lái)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)’。

　　圖1：未能整合MEMS功能的系統(tǒng)，似乎已稱(chēng)不上是一完整的系統(tǒng)

　　無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)

　　目前，大多數(shù)無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)在頻譜分配方案規(guī)定的頻段內(nèi)，采用兩種頻率光罩來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的傳送和接收──也稱(chēng)為頻率雙工。由于頻譜分配存在地區(qū)性差異，加上全球彼此競(jìng)爭(zhēng)的無(wú)線(xiàn)通訊標(biāo)準(zhǔn)數(shù)量龐大且快速革新，使得全球移動(dòng)電話(huà)平臺(tái)必須支援的頻率數(shù)量倍增。盡可能有效地利用無(wú)線(xiàn)頻譜，以及使用從前未用到的頻譜來(lái)支援新服務(wù)，也在在引領(lǐng)頻率雙工的趨勢(shì)發(fā)展。

　　然而，為了能夠接取到無(wú)線(xiàn)網(wǎng)路，各個(gè)裝置必須實(shí)現(xiàn)的技術(shù)需求始終如一。事實(shí)上，用于RF前端的高性能硬體方案必須能夠提供必要的選擇性、線(xiàn)性度和隔離，同時(shí)對(duì)電路的插入損耗和功耗要求最小化。

　　一個(gè)典型的例子是為整合了7個(gè)頻段于一支手機(jī)中，至少需要5個(gè)獨(dú)立的RF元件組(鏈)，其中包括多個(gè)天線(xiàn)，另外還需要8擲或更高階以上的開(kāi)關(guān)用來(lái)選擇所需的執(zhí)行頻段。

　　當(dāng)首款移動(dòng)電話(huà)問(wèn)世，當(dāng)時(shí)還只是采用單頻的無(wú)線(xiàn)設(shè)計(jì)，但手機(jī)用戶(hù)對(duì)于能夠遠(yuǎn)離座位撥打電話(huà)已感到相當(dāng)興奮，而RF設(shè)計(jì)人員也只需考慮單一的頻率設(shè)計(jì)。

　　然而，隨著技術(shù)的快速進(jìn)展，為了支援暴增的手機(jī)用戶(hù)，雙頻手機(jī)頓時(shí)成了必備的功能。當(dāng)用戶(hù)開(kāi)始攜帶手機(jī)旅行后，三頻、四頻和五頻的手機(jī)設(shè)計(jì)隨即成為一般的功能需求，并為設(shè)計(jì)人員增添了更多困擾。

　　隨著更多頻段的增加，更多的RF設(shè)計(jì)途徑變得越來(lái)越難以解決各項(xiàng)衍生出來(lái)的問(wèn)題。體積、成本和復(fù)雜性的增加都還算是這些問(wèn)題中最為簡(jiǎn)單的。

　　頻段覆蓋范圍是以趨近線(xiàn)性的速度而增加。首先，隨著交換式解決方案隨著射程數(shù)增加而持續(xù)改善，它以一種次線(xiàn)性的速度發(fā)展;其次，如同先前所述，每一代技術(shù)的進(jìn)展都不斷促使每一頻段元件體積縮小且成本降低;再者，許多個(gè)別元件如今都被整合成模組，雖然減少了開(kāi)銷(xiāo)，但根本問(wèn)題并未獲得解決。

　　如今，越來(lái)越多移動(dòng)電話(huà)產(chǎn)業(yè)均體認(rèn)到，單單沿用這個(gè)方案是無(wú)法解決問(wèn)題的。除了復(fù)雜性、尺寸和成本問(wèn)題外，多鏈路方案還會(huì)加重基礎(chǔ)性能的限制。

　　每一鏈路所對(duì)應(yīng)的頻段或多或少有一些不同的阻抗特性。如果每一鏈路都有獨(dú)立的天線(xiàn)，整體鏈路便可以得到最佳化。然而，單獨(dú)的天線(xiàn)既占空間、成本又高，而且具有顯著的交叉藕合特性，因此，多條鏈路被迫以開(kāi)關(guān)和濾波器結(jié)合成單一通道。

　　由于在共用電路時(shí)可能造成折衷，即使采用完美的開(kāi)關(guān)，在加入新頻段時(shí)還要保持所有頻段的高性能也愈趨困難。

　　另外，由于鏈路中的每個(gè)元件都有其特殊的固定頻率響應(yīng)，因此僅能實(shí)現(xiàn)次佳化的頻帶邊緣性能。

　　單鏈路解決方案

　　如果采用可調(diào)式的RF前端元件，那麼上述所有問(wèn)題都可以避免，特別是針對(duì)目前所使用的通道可進(jìn)行單鏈路最佳化。

　　單鏈路方案的好處正獲得廣泛的認(rèn)同，但在其建置過(guò)程依舊面臨挑戰(zhàn)。

　　可調(diào)式前端元件的研究已發(fā)展了數(shù)十年，但這項(xiàng)必備的技術(shù)直到目前才逐漸成熟。傳統(tǒng)的問(wèn)題主要出在尺寸、成本、可重復(fù)性、可靠性和性能方面，各個(gè)問(wèn)題在早期也都獲得部份的解決;然而WiSpry公司首度為市場(chǎng)帶來(lái)完整的解決方案，并適用于低成本的量產(chǎn)市場(chǎng)。

　　WiSpry公司率先將高Q值(high-Q)MEMS電容器元件整合到主流RF CMOS制程技術(shù)中，實(shí)現(xiàn)了大量生產(chǎn)、低成本制程以及高性能RF MEMS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

　　個(gè)別的電容器元件以具有數(shù)位可變氣隙的微小平行排列電容整合在晶片上。個(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單元，接著形成可包含任一獨(dú)立單元組合的陣列，最終形成了具有良好電器特性的數(shù)位化電容器;其電容值比(最大/最小)超過(guò)10且Q值在1GHz時(shí)超過(guò)200以上。

　　該元件的制造得益于CMOS半導(dǎo)體制程技術(shù)的最新進(jìn)展。WiSpry公司正使用一種無(wú)晶圓制程模式，在可大量生產(chǎn)的主流8吋RF CMOS晶圓上，以單晶片整合可編程數(shù)位化電容器技術(shù)，因而免除了傳統(tǒng)高性能MEMS技術(shù)上因尺寸和成本帶來(lái)的困擾。

　　該制程流程還包含晶圓級(jí)封裝，讓代工廠提供的晶圓成品可在傳統(tǒng)的自動(dòng)化后端處理過(guò)程(如凸點(diǎn)制作、薄化、切片、封裝和測(cè)試)中直接使用，而使得高可靠性的終端產(chǎn)品制造可藉由傳統(tǒng)RF半導(dǎo)體制程來(lái)實(shí)現(xiàn)。

　　圖2：個(gè)別旁路或串列元件整合為電容值單元，接著形成可包含任一獨(dú)立單元組合的陣列，最終形成了具有良好電器特性的數(shù)位化電容器;其電容值比(最大/最小)超過(guò)10且Q值在1GHz時(shí)超過(guò)200以上。

　　無(wú)需外部電路

　　那麼這些元件是如何執(zhí)行的?設(shè)計(jì)人員又如何使用這項(xiàng)技術(shù)呢?

　　由于這些元件的性能如同一個(gè)整合串列介面的high-Q電容器一樣，因此不需要外部電路。所有支援MEMS單元的功能都被整合在晶片上。

　　透過(guò)串列匯流排載入一個(gè)包含數(shù)位化電容器單元所需設(shè)置的數(shù)位字元后，內(nèi)部邏輯和驅(qū)動(dòng)電路將會(huì)立即使電容值設(shè)置為特定值。

　　這種編程能在高速下重復(fù)設(shè)置，以制作出大量應(yīng)用中所需的動(dòng)態(tài)RF功能。

　　隨著可編程晶片與其他高Q值的被動(dòng)、主動(dòng)元件及支援電路被整合成客制化模組，WiSpry公司也將利用所產(chǎn)生的平臺(tái)為完整的RF前端提供可編程特性。

　　這項(xiàng)工作將從具有頻率可變和失配調(diào)整功能的天線(xiàn)開(kāi)始著手，接著RF鏈路上的其他問(wèn)題也將迎刃而解。