近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注，特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線(xiàn)，是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù)，在軍事上有重要意義。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)
2013-10-09 11:41:11
1403 隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，如何降低天線(xiàn)數(shù)量、尺寸并增強(qiáng)信號(hào)接收性能與頻寬是當(dāng)前工程師面臨 的問(wèn)題。射頻工程師對(duì)射頻前端器件提出了更高的要求，促使射頻半導(dǎo)體廠商加速研發(fā)創(chuàng)新RF技術(shù)與解決方案。
2014-01-15 09:36:041774 國(guó)內(nèi)在2013年底完成4G牌照流程，手機(jī)廠、處理器和射頻芯片供應(yīng)商皆已將TD-LTE視為2014年的產(chǎn)品布局重點(diǎn)，可望推進(jìn)TD-LTE進(jìn)駐平價(jià)高規(guī)手機(jī)的發(fā)展腳步。
2014-01-17 09:58:151062 ，相對(duì)于內(nèi)置RF SOI，RF MEMS可以通過(guò)提供更線(xiàn)性和更低損耗的開(kāi)關(guān)來(lái)幫助提高手機(jī)的數(shù)據(jù)速率。”他說(shuō)。“在RF MEMS中，金屬板可以在“導(dǎo)通”狀態(tài)下直接接觸，形成金屬、低損耗、線(xiàn)性的連接。更高
2017-07-13 08:50:15
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段，并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻 段，頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF
2019-08-21 06:32:20
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段，并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻段，頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻（RF）天線(xiàn)
2019-08-22 08:33:59
隨著全球蜂窩通信網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商逐步采用LTE，滿(mǎn)足所有LTE要求的需求也在增長(zhǎng)，其中包括衰落特性。第三代合作伙伴計(jì)劃(3GPP) 在其TS 36.521-1標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了衰落的技術(shù)規(guī)格，用以測(cè)量LTE手機(jī)的衰落特性。
2019-08-09 06:16:00
在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2019-07-29 07:57:25
MEMS被廣泛的利用在多個(gè)領(lǐng)域里，如下圖。這篇文章主要說(shuō)說(shuō)MEMS的幾種RF相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品SAW,BAW, FBAR filter，也是目前手機(jī)中最常用的幾種filter。SAW,BAW和FBAR中，A都
2019-06-24 06:27:01
的應(yīng)用前景[1]。在目前的通信系統(tǒng)中使用大量射頻片外分立單元，如諧振器、濾波器、耦合器等，使系統(tǒng)的空間尺寸較大。利用MEMS技術(shù)可以同標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容，制作的無(wú)源元件有利于系統(tǒng)集成度和電學(xué)性能的提高，并且成本更低。但隨之而來(lái)的是對(duì)這類(lèi)RF-MEMS系統(tǒng)元件和封裝問(wèn)題的研究，這些也成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。
2019-06-24 06:11:50
，相對(duì)于內(nèi)置RF SOI，RF MEMS可以通過(guò)提供更線(xiàn)性和更低損耗的開(kāi)關(guān)來(lái)幫助提高手機(jī)的數(shù)據(jù)速率?！彼f(shuō)?！霸?b class="flag-6" style="color: red">RF MEMS中，金屬板可以在“導(dǎo)通”狀態(tài)下直接接觸，形成金屬、低損耗、線(xiàn)性的連接。更高
2017-07-13 09:14:06
早在1979年，微電子機(jī)械開(kāi)關(guān)就被用于轉(zhuǎn)換低頻電信號(hào)。從那時(shí)開(kāi)始，開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)就采用懸臂、旋轉(zhuǎn)和隔膜的布局來(lái)實(shí)現(xiàn)RF和微波頻率下的良好性能。RF MEMS表現(xiàn)出低損耗、低功耗和沒(méi)有互調(diào)失真。對(duì)于有微秒開(kāi)關(guān)速度就足夠的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，這些器件用于取代傳統(tǒng)FET或p-i-n二極管開(kāi)關(guān)極有吸引力。
2019-10-21 07:38:31
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2019-07-29 08:31:54
RF MEMS振蕩器介紹Vibrating RF MEMS for Timing and Frequency ReferencesThis paper presents recent
2009-12-12 17:43:18
`手機(jī)RF設(shè)計(jì)技巧...`
2012-07-30 01:04:47
一、 關(guān)于手機(jī)RF干擾問(wèn)題的解決 針對(duì)GSM手機(jī)的RF干擾問(wèn)題，GSM機(jī)是TDMA工作方式，RF收發(fā)并不是同時(shí)進(jìn)行的，減少RF干擾的基本原則是一定要加強(qiáng)匹配和隔離。 在設(shè)計(jì)時(shí)要考慮到發(fā)射機(jī)
2019-07-08 08:26:47
1. 什么是RF？答：RF 即Radio frequency 射頻，主要包括無(wú)線(xiàn)收發(fā)信機(jī)。2. 當(dāng)今世界的手機(jī)頻率各是多少（CDMA，GSM、市話(huà)通、小靈通、模擬手機(jī)等）？答：EGSM RX
2019-07-01 08:23:44
手機(jī)功能的增加對(duì)PCB板的設(shè)計(jì)要求更高，伴隨著一輪藍(lán)牙設(shè)備、蜂窩電話(huà)和3G時(shí)代來(lái)臨，使得工程師越來(lái)越關(guān)注RF電路的設(shè)計(jì)技巧。射頻(RF)電路板設(shè)計(jì)由于在理論上還有很多不確定性，因此常被形容為一種
2019-07-08 06:09:15
據(jù)處理電路，它能夠檢測(cè)到硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的意外摔落事故，并及時(shí)命令讀寫(xiě)頭縮回到安全位置，以防電腦最終摔落在地板上時(shí)損壞讀寫(xiě)頭。手機(jī)是MEMS在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品中最大的應(yīng)用領(lǐng)域。包含MEMS麥克風(fēng)、3D加速器、RF被動(dòng)
2016-12-07 15:43:48
與 Cortex-R7 處理器則提供了更高階的功能、效能表現(xiàn)與節(jié)能，并為適用于LTE及LTE-Advanced行動(dòng)寬頻通訊裝置而更最佳化?！ ⌒乱淮?ARM Cortex-R 系列處理器可滿(mǎn)足
2011-02-23 16:34:19
手機(jī)，導(dǎo)航 BeiDou，Galileo，GLONASS，GNSS，GPS，LTE RF 收發(fā)器模塊 不含天線(xiàn)，U.FL 通孔
2024-03-14 22:08:39
手機(jī)，導(dǎo)航 BeiDou，Galileo，GLONASS，GNSS，GPS，LTE RF 收發(fā)器模塊 不含天線(xiàn)，U.FL 通孔
2024-03-14 22:08:39
`編輯推薦《4G移動(dòng)通信技術(shù)權(quán)威指南（第2版）》專(zhuān)注于LTE第11版的全面更新，全面闡述了LTE的基本技術(shù)以及LTE標(biāo)準(zhǔn)，并解釋了這些標(biāo)準(zhǔn)是基于什么考慮制定的，有助于讀者深刻理解LTE。書(shū)中對(duì)移動(dòng)
2017-08-25 17:57:53
`【精品資料】LTE 射頻測(cè)試熱門(mén)資料（一） 詳述LTE基本原理 TD-LTE基站射頻設(shè)計(jì)技術(shù) LTE終端研發(fā)測(cè)試需求與解決方案 LTE與LTE-A通用射頻測(cè)試方案 LTE系統(tǒng)測(cè)試介紹（RF子系統(tǒng)
2014-12-04 15:21:40
0 引 言 RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線(xiàn)性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年
2019-06-25 06:58:35
1. 什么是RF？答：RF 即Radio frequency 射頻，主要包括無(wú)線(xiàn)收發(fā)信機(jī)。2. 當(dāng)今世界的手機(jī)頻率各是多少（CDMA，GSM、市話(huà)通、小靈通、模擬手機(jī)等）？答：EGSM RX
2012-08-08 21:08:19
作者：三宅 常之來(lái)源：技術(shù)在線(xiàn)東芝開(kāi)發(fā)成功了有望使新一代手機(jī)等多頻帶無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品降低成本、縮小體積的RF MEMS元件。今后，將面向量產(chǎn)進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，力爭(zhēng)2010年達(dá)到實(shí)用水平。 此次開(kāi)發(fā)的是在RF
2019-07-16 06:24:24
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線(xiàn)性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報(bào)道RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用以來(lái)，業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開(kāi)關(guān)。
2019-09-30 08:18:13
This application note covers test implications for recent LTE-A updates. Proposes solutions using
2018-10-19 11:02:34
This application note covers test implications for recent LTE-A updates. Proposes solutions using
2018-10-08 11:29:04
千兆級(jí)LTE又稱(chēng)LTE-A Pro，是高通公司主導(dǎo)的新一代無(wú)線(xiàn)通信標(biāo)準(zhǔn)，其最突出的特征就是理論下行帶寬可達(dá)1Gbps以上，比4G提升了一個(gè)數(shù)量級(jí)。為實(shí)現(xiàn)如此高的傳輸帶寬，高通在新標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)用了載波聚合、高階調(diào)制和高級(jí)MIMO等創(chuàng)新，從而在帶寬、延遲、穩(wěn)定性、功耗表現(xiàn)等多個(gè)指標(biāo)上取得了非常顯著的進(jìn)步。
2019-08-07 07:45:51
蜂窩發(fā)射模塊對(duì)手機(jī)內(nèi)的任何元件來(lái)說(shuō)都將產(chǎn)生最大的輻射功率，從而可能誘發(fā)EMI和RFI。類(lèi)似這樣的問(wèn)題可以采用RF屏蔽技術(shù)來(lái)降低與EMI及射頻干擾(RFI)相關(guān)的輻射，并可將對(duì)外部磁場(chǎng)的敏感度降至最低
2019-07-22 08:05:29
（filter）、RF-MEMS開(kāi)關(guān)（switch），以及MEMS可變電容器的制作技術(shù)。發(fā)展經(jīng)緯寬頻化后的移動(dòng)電話(huà)面臨HSDPA（High Speed Downlink Packet Access
2019-06-25 08:07:16
下一代LTE 移動(dòng)通訊產(chǎn)品有望成為新的全球標(biāo)準(zhǔn)。但是，因?yàn)樵诔跏茧A段LTE 的服務(wù)范圍有限，所以LTE 智能手機(jī)還必須支持其他現(xiàn)有的2G 和3G 通訊技術(shù)，例如W-CDMA、GSM、CDMA2000
2019-06-05 07:16:37
怎么實(shí)現(xiàn)手機(jī)RF和混合信號(hào)集成設(shè)計(jì)？
2021-05-18 06:24:48
急招：1、技術(shù)大牛： LTE modem 、RF、GNSS方向均可 2、Multimedia and Graphic Manager. 3、Linux AE，音視頻方向 4、Test
2014-04-24 20:33:56
一種新的雙天線(xiàn)設(shè)計(jì)，讓手機(jī)同時(shí)接入LTE和5G
2021-01-19 06:43:26
，其中包括衰落特性。第三代合作伙伴計(jì)劃(3GPP) 在其TS 36.521-1標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了衰落的技術(shù)規(guī)格，用以測(cè)量LTE手機(jī)的衰落特性?！ 鹘y(tǒng)衰落特性測(cè)試方法采用外部衰落模擬器和噪聲源，通過(guò)常規(guī)射頻
2011-07-11 21:28:15
ST MEMS麥克風(fēng)的RF抗擾度是多少？塑料包裝如何抑制輻射干擾？以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 What is the RF immunity of the ST MEMS microphones
2018-12-05 16:15:46
射頻（RF）MEMS市場(chǎng)主要有兩部分。其中最大的部分是與濾波器相關(guān)，例如博通（Broudcom）、Skyworks、Qorvo等大公司提供的BAW和SAW濾波器等產(chǎn)品。另一部分與射頻開(kāi)關(guān)相關(guān)，預(yù)計(jì)
2019-09-18 08:13:32
Art Morris / WiSpry 當(dāng) LTE（Long Term Evolution，長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)）的部署氣勢(shì)重新抬頭，企業(yè)經(jīng)營(yíng)者與手機(jī)制造商都該明白，4G網(wǎng)絡(luò)并非3G性能萎靡不振時(shí)的萬(wàn)靈丹
2019-06-26 06:29:00
本文介紹了高頻無(wú)線(xiàn)通信不可或缺的關(guān)鍵性元件，F(xiàn)BAR 濾波器（filter）、RF-MEMS 開(kāi)關(guān)（switch），以及MEMS 可變電容器的制作技術(shù)。
2009-11-14 09:38:38
20 RF-MEMS 不僅在體積上小于傳統(tǒng)射頻器件，易于單片集成，且其性能也優(yōu)于傳統(tǒng)射頻器件，此外，RF-MEMS 還可以實(shí)現(xiàn)器件多功能配置，如可重構(gòu)天線(xiàn)。因此，RF-MEMS近年來(lái)已成為全世
2009-11-26 15:59:3921 RF7320產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RF7320 是一款高功率、高效率線(xiàn)性功率放大器，設(shè)計(jì)用作 3V、50 歐姆 LTE 移動(dòng)蜂窩設(shè)備的最終放大級(jí)。該 PA 專(zhuān)為在 832MHz 至 862MHz
2023-04-07 15:42:43
LTE專(zhuān)網(wǎng)三防對(duì)講手機(jī) UWB北斗短報(bào)文Model:D2功能：IP68 美軍標(biāo)MIL-STD-810G MTK6762 4GB+64GB 13MPCameta 6000mAH Androld9.0
2023-05-19 14:54:12
RF MEMS壓控振蕩器及相位噪聲特性的研究
利用RF MEMS 可變電容作為頻率調(diào)節(jié)元件,制備了中心頻率為2 GHz 的MEMS VCO 器件. RF MEMS 可變電容采用凹型結(jié)構(gòu),其控制極板與
2010-02-26 17:11:4019 對(duì)正在為iPhone 4可能斷話(huà)而感到沮喪的使用者來(lái)說(shuō)，射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)也許可以提供解決之道 ── RF MEMS 半導(dǎo)體的性能將可用于改良手機(jī)天線(xiàn)性能。
2010-09-09 10:33:5727 手機(jī)RF設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題
1. 什么是RF？答：RF 即Radio frequency 射頻，主要包括無(wú)線(xiàn)收發(fā)信機(jī)。
2. 當(dāng)今世界的手機(jī)頻率各是多少（CDMA，GSM、市話(huà)通、小
2007-11-19 17:29:00773 蘋(píng)果拒絕摩托羅拉手機(jī)廣告進(jìn)駐iPhone
圖為iDroid應(yīng)用界面
據(jù)國(guó)外媒
2009-11-30 11:16:44715 針對(duì)GSM手機(jī)的RF干擾問(wèn)題，劉俊勇指出，GSM 手機(jī)是TDMA工作方式，RF收發(fā)并不是同時(shí)進(jìn)行的，減少RF干擾的基本原則是一定要加強(qiáng)匹配和隔離。
2011-08-20 15:03:092436 傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問(wèn)題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)來(lái)設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS 開(kāi)關(guān)來(lái)
2011-12-26 18:41:0262 臺(tái)積電2013年大舉跨入高階封測(cè)領(lǐng)域，封測(cè)雙雄日月光和矽品均進(jìn)入備戰(zhàn)狀況，加大力度建置產(chǎn)能，可預(yù)期高階封測(cè)將成為封測(cè)業(yè)今年主戰(zhàn)場(chǎng)。
2013-01-06 09:00:19974 隨著LTE多頻多模時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式下增加LTE模式及相應(yīng)工作頻段，頻段的快速增加必然引發(fā)內(nèi)部射頻RF天線(xiàn)尺寸與功耗過(guò)大問(wèn)題。為此，射頻工程師加速研發(fā)創(chuàng)新RF技術(shù)解決方案，包括RF MEMS及軟件無(wú)線(xiàn)電等技術(shù)。
2013-07-23 15:27:351544 
RF_MEMS技術(shù)對(duì)小型化雷達(dá)的作用
2017-01-11 12:54:2111 該文采用至上而下的方式，介紹了應(yīng)用RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng)，將雷達(dá)子系統(tǒng)與RF MEMS 技術(shù)聯(lián)系起來(lái)，具體分析了應(yīng)用于雷達(dá)的RF MEMS 開(kāi)關(guān)、移相器、濾波器和諧振器。同時(shí)，文中以開(kāi)關(guān)
2017-11-07 10:32:3714 1 引言 分布式射頻微機(jī)電系統(tǒng)（Radio Frequency Micro Electro Mechanical Systems， RF MEMS）移相器以共面波導(dǎo)為載體，其上周期加載MEMS電容
2017-11-17 16:18:524 什么是RF？即Radio frequency射頻，主要包括無(wú)線(xiàn)收發(fā)信機(jī)。以下為大家介紹手機(jī)RF設(shè)計(jì)技巧大匯總。
2017-11-23 09:59:101568 損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開(kāi)關(guān)
2017-11-25 12:28:56770 
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開(kāi)關(guān)
2017-12-02 15:27:26632 
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段，并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻段，頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線(xiàn)
2017-12-06 05:05:20570 
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下 文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF M
2017-12-06 12:44:13642 損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2017-12-07 04:55:02960 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布，將為采用 LTE Advanced 標(biāo)準(zhǔn)的 Microsoft Surface Pro 提供整套的 RF Fusion? 模塊。RF Fusion LTE 產(chǎn)品組合包含多個(gè)高度集成模塊，能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能和全球蜂窩頻段覆蓋。
2018-03-06 16:23:576750 基于MEMS（Micro-Electro-Mechanical System，微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)的各類(lèi)射頻RF（ Radio Frequency）無(wú)源器件及微小型單片集成系統(tǒng)的概念與內(nèi)涵及其應(yīng)用市場(chǎng)
2018-03-07 11:22:3636175 
。 請(qǐng)看如何在VSS中使用LabVIEW RF Toolkit處理LTE激勵(lì)信號(hào)。 請(qǐng)看仿真與硬件對(duì)比結(jié)果。
2018-06-24 08:20:004555 射頻微機(jī)電系統(tǒng)（RF MEMS）是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是二十世紀(jì)九十年代以來(lái)MEMS領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號(hào)處理，是一項(xiàng)將能對(duì)現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:005216 射頻微機(jī)電(RF MEMS)、互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)RF方案將大舉進(jìn)駐行動(dòng)裝置。多頻多模4G手機(jī)現(xiàn)階段最多須支持十五個(gè)以上頻段，引發(fā)內(nèi)部RF天線(xiàn)尺寸與功耗過(guò)大問(wèn)題；為此，一線(xiàn)手機(jī)廠已計(jì)劃
2019-03-12 13:59:492135 
隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來(lái)臨，新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段，并實(shí)現(xiàn)國(guó)際漫游的工作頻段，頻段總量接近40個(gè)。
2020-01-28 09:42:001434 
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防應(yīng)用中核心技術(shù)與RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布收購(gòu)世界領(lǐng)先的高性能 RF MEMS 天線(xiàn)調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics, Inc.。
2020-05-17 10:38:422456 Sofant將RF MEMS（射頻微機(jī)電系統(tǒng)）用于其取得專(zhuān)利的高效MEMS天線(xiàn)平臺(tái)，可解決無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)面臨的若干挑戰(zhàn)。其最初目標(biāo)是用于衛(wèi)星通信和5G，利用MEMS天線(xiàn)技術(shù)降低電子掃描天線(xiàn)陣列70%以上的功耗。
2020-08-31 14:50:562419 來(lái)源：RF技術(shù)社區(qū) 本文來(lái)自射頻半導(dǎo)體 RF器件和制造工藝市場(chǎng)正在升溫，這種態(tài)勢(shì)對(duì)于智能手機(jī)中使用的兩個(gè)關(guān)鍵組件 - 射頻開(kāi)關(guān)器件和天線(xiàn)調(diào)諧器尤為明顯。 射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出
2022-12-08 10:46:202678 AN-1354: 集成式ZIF、RF至比特、LTE、廣域接收機(jī)分析和測(cè)試結(jié)果
2021-03-21 15:16:2811 AD9357：WiMAX/BWA/LTE RF MxFE 2×2 MIMO收發(fā)器數(shù)據(jù)表
2021-04-18 09:40:2010 AD9356：WiMAX/BWA/WiBro/LTE RF MxFE 2×2 MIMO收發(fā)器產(chǎn)品手冊(cè)
2021-04-30 15:38:357 Kinetics 的加入，讓公司能夠在天線(xiàn)調(diào)諧領(lǐng)域確立市場(chǎng)領(lǐng)先地位。多家全球領(lǐng)先的智能手機(jī)供應(yīng)商也通過(guò)采用 CK 的 RF MEMS 技術(shù)降低損耗并提高線(xiàn)性度，實(shí)現(xiàn)了天線(xiàn)性能的顯著提升。CK 優(yōu)化了該技術(shù)
2021-08-23 11:09:503585 從驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開(kāi)關(guān)類(lèi)型，分析了各類(lèi)MEMS開(kāi)關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn)，分析了MEMS開(kāi)關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問(wèn)題等關(guān)鍵技術(shù)和問(wèn)題，介紹了MEMS開(kāi)關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用，以及對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:051691 
射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域，也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開(kāi)關(guān)體積小，功耗低，且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:502201 
RF MEMS開(kāi)關(guān)是一種小型微機(jī)械開(kāi)關(guān)，具有低功耗，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類(lèi)似于房間里的開(kāi)關(guān)，通過(guò)打開(kāi)或關(guān)閉接觸點(diǎn)來(lái)傳導(dǎo)信號(hào)。
在RF MEMS設(shè)備的情況下，開(kāi)關(guān)的機(jī)械部件僅有幾微米大小。與普通開(kāi)關(guān)不同的是，RF MEMS開(kāi)關(guān)傳導(dǎo)的信號(hào)處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:512744 
所謂，RF MEMS 開(kāi)關(guān)，是一種是小型的微機(jī)械開(kāi)關(guān)，功耗低，可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類(lèi)似于房間中的電燈開(kāi)關(guān)，其中觸點(diǎn)打開(kāi)或關(guān)閉以通過(guò)開(kāi)關(guān)傳導(dǎo)信號(hào)。在 RF MEMS 器件的情況下，開(kāi)關(guān)的機(jī)械組件只有微米級(jí)尺寸。與電燈開(kāi)關(guān)不同，在 RF MEMS 開(kāi)關(guān)中傳導(dǎo)的信號(hào)在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:181907 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《RF MEMS、軟件無(wú)線(xiàn)電 未來(lái)LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 15:16:570 今天給大家演示一下，如何用CMW500進(jìn)行手機(jī)LTE信令測(cè)試Chrent提升數(shù)據(jù)傳輸率首先點(diǎn)擊SIGNALGEN，勾選LTE信令測(cè)試界面點(diǎn)擊Conflg配置線(xiàn)的損耗，配置RF輸出的線(xiàn)損是0.3dB
2024-12-11 17:33:333937 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()雙模 LTE ISM RF 前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有雙模 LTE ISM RF 前端模塊的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，雙模 LTE ISM RF 前端模塊真值表，雙模 LTE ISM RF 前端模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-09 18:30:40
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