埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣佈推出專為諸如數(shù)位視訊廣播（DVBT）和特高頻（UHF）類比電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計的BLF989射頻（RF）功率電晶體。
2018-06-07 11:43:23
8605 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SA1943 大功率功放管PNP型高壓晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SA1943是一款PNP型高壓晶體管，專為低頻或音頻放大，直流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器，其他高功率電路，其電壓-集電極
2025-06-05 10:18:15
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
、航空航天和國防應(yīng)用提供產(chǎn)品和解決方案。高電壓、高功率、堅固耐用的晶體管，具有無與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無可爭議且可靠的無線電覆蓋范圍？從我們專為 0.4-1 GHz 操作而設(shè)計的完整移動
2021-06-28 18:02:51
RF2126是RF Micro Devices公司生產(chǎn)的大功率線性放大器。它采用先進(jìn)的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)處理，設(shè)計用于2.5GHzISM頻段末級線性RF放大，如WLAN和POS終端
2021-04-23 06:14:36
大功率晶體三極管的檢測 利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大
2012-06-04 10:58:28
按照大功率 igbt 驅(qū)動保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大功率 igbt 驅(qū)動保護(hù)電 路分為以下三種類型：單一功能型，多功能型，全功能型。
2019-11-07 09:02:20
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
BLF189XRA ，深圳市艾力達(dá)科技有限公司備用大量現(xiàn)貨
2022-06-02 17:41:23
大功率開關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；
(1)容易關(guān)斷，所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場
2010-09-17 18:29:3120 BLF189XRAS型號簡介 BLF189XRAS是Ampleon(安譜隆)推出的一款LDMOS 功率晶體管，它的設(shè)計注重效率，漏極效率高達(dá) 74
2024-09-03 17:11:29
BLF882S型號簡介 BLF882S是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，這款晶體管就像一位身懷絕技的武林高手，它能夠在
2024-10-10 14:23:43
BLF189XRA型號簡介 BLF189XRA是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，它如同一位健壯的勇士，能夠輕松驅(qū)動高
2024-10-11 09:25:30
BLF189XRBS型號簡介 BLF189XRBS是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，這款晶體管像是一位默默奉獻(xiàn)的英雄
2024-10-21 15:09:23
BLF189XRB型號簡介 BLF189XRB是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，這款晶體管其高達(dá) 69% 至
2024-10-23 16:15:35
大功率晶體管驅(qū)動電路的設(shè)計及其應(yīng)用
摘要：介紹了大功率晶體管（GTR）基極驅(qū)動電路的設(shè)計，分析了基極驅(qū)動電路的要求
2009-07-09 10:36:404644 
大功率開關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；
(1)容易關(guān)斷，
2009-07-29 16:09:522117 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06415 
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關(guān)晶體管。該器件設(shè)計的重點是它的極限參數(shù)。設(shè)計反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5612279 
晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:108979 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 江蘇宏微科技有限公司自主研發(fā)的大功率超快速軟恢復(fù)外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片，順利通過有關(guān)專家組鑒定
2012-03-06 08:59:161055 對大功率IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、驅(qū)動功率、布線等方面進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動電路。
2012-05-02 14:50:48137 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:273302 美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術(shù)的射頻 RF 晶體管系列，新型的S波段500W RF器件2729GN-500，主要應(yīng)用在大功率空中交通的機(jī)場管制及雷達(dá)監(jiān)視等應(yīng)用。
2012-11-30 10:10:10936 晶體管，大功率，晶體管參數(shù)NPN型、大功率開關(guān)管、音頻功放開關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開關(guān)。
2015-11-09 16:22:150 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:372002 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:092387 本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517 ，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐
2017-12-07 17:53:08622 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業(yè)、消費和專業(yè)烹飪射頻能量應(yīng)用；由于它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此
2019-01-20 16:51:01994 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設(shè)計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設(shè)計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173333 ）晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們
2020-08-12 18:52:001 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊
2021-08-11 14:14:110 硅NPN大功率晶體管2SC2246中文手冊免費下載。
2022-03-21 17:21:5313 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11A
2023-02-17 18:41:420 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500 80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021 60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 100 V、3A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61003PY
2023-02-27 18:49:420 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150 100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYC
2023-02-27 18:50:310 100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451 60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:281 60V、3A NPN大功率雙極晶體管-PHPT60603NY
2023-02-27 18:51:450 40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242247 大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計和工作條件，因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)（即電流增益）通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比，用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:594138 100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:141 100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
評論