在蜂窩手機和其他數(shù)字的、便攜式、無線通信設(shè)備中，有三個參數(shù)越來越重要。低功率消耗和輕型電池給設(shè)備帶來自由移動的權(quán)力，更高的前端接受靈敏度增加了接收距離，更高的前端線性度對可容許的動態(tài)范圍具有直接的影響。隨著π/4DQPSK和8QAM這類非恒定能量調(diào)制方案的使用，上面三個參數(shù)的重要性越來越大。

SiGe (硅鍺)技術(shù)是最近的一項技術(shù)革新，能同時改善接收機的功耗、靈敏度和動態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速IC處理工藝，其特點是具有35GHz的特征頻率(fT)。下面的典型前端框圖(圖1)中給出了用硅鍺技術(shù)實現(xiàn)的混頻器和低噪聲放大器(LNA)可能達到的性能(1.9GHz)。

圖1. 典型的無線接收電路，包括低噪聲放大器和混頻器。

噪聲性能

在下行鏈路中對噪聲系數(shù)的主要影響來自于LNA第一級晶體管輸入級產(chǎn)生的噪聲。噪聲系數(shù)(NF)是一個體現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)性能的參數(shù)，用來將實際網(wǎng)絡(luò)中的噪聲與通過理想的無噪聲網(wǎng)絡(luò)后信號中的噪聲進行比較。具有功率增益G = POUT/PIN的放大器或其他網(wǎng)絡(luò)的噪聲因數(shù)(F)可以表示為：

NF是從網(wǎng)絡(luò)輸入端到輸出端信號噪聲比(SNR)惡化程度的度量，一般以dB為單位: NF = 10log10F，因此:

F = 輸入SNR/輸出SNR
  = (PIN/NIN)/(POUT/NOUT)
  = NOUT/(NIN. G)

我們只關(guān)心熱噪聲(也叫做約翰遜噪聲或白噪聲)和散粒噪聲(也叫做肖特基噪聲)。一個具體的雙極型晶體管高頻等效模型(Giacoleto模型，參見圖2)會幫助我們理解這個噪聲是如何產(chǎn)生的。這個模型還告訴我們硅鍺技術(shù)是如何降低LNA前端噪聲系數(shù)的。

圖2. 詳細的npn晶體管模型(Giacoleto模型)簡化了對頻率影響的分析。

硅鍺材料的熱噪聲和散粒噪聲

在一個溫度大于零(0°K)的導(dǎo)體內(nèi)，電荷載體的隨機運動產(chǎn)生了隨機的噪聲電壓和電流。隨著導(dǎo)體溫度的升高這些電荷載體隨機運動的速度會加快，也就提高了噪聲電壓。晶體管基區(qū)寄生電阻(Rbb´)產(chǎn)生的熱噪聲為Vn(f) = 4kTRbb´，其中Vn(f)是電壓噪聲譜密度，單位是V²/Hz，k是玻爾茲曼常數(shù)(1.38×10-23 Joules/Kelvin)，T是以開爾文為單位的絕對溫度(°C + 273°)。

散粒噪聲是電荷載體的粒子特性的結(jié)果。半導(dǎo)體內(nèi)流動的DC電流通常被認為在每一時刻都是恒定的，但是任何電流都是由一個個的電子和空穴的運動所形成的。只有這些電荷載體所產(chǎn)生的電流的時間平均值才可以看做是恒定的電流。電荷載體數(shù)量的任何波動都會在那個時刻產(chǎn)生隨機的電流，這就是散粒噪聲。

基極電流中散粒噪聲的噪聲譜密度為Inb(f) = 2qIb = 2qIc/β , 其中Inb是電流的噪聲譜密度，單位I²/Hz，Ib是基極的直流偏置電流，q是一個電子的電量(1.6×10-19庫侖)，β是晶體管的DC電流放大系數(shù)。于是，晶體管輸入級產(chǎn)生的總噪聲譜密度是熱噪聲和散粒噪聲之和：

γ n = 4kTRbb´ + RSOURCE 2qIc/β

Maxim的新硅鍺工藝，GST-3，是在GST-2 (一種雙極型工藝，特征頻率達27GHz)的基礎(chǔ)上，通過在晶體管基區(qū)攙雜鍺發(fā)展而來的。其結(jié)果是Rbb´值得到了大幅度降低并且晶體管的β 值顯著提升。與這兩個變化伴隨而來的是硅鍺晶體管更好的噪聲系數(shù)(與具有相同集電極電流的硅晶體管相比)。通常晶體管的噪聲系數(shù)表示為：

對硅雙極型晶體管和硅鍺晶體管來說，上式都在RSOURCE = Vn(f)/Inb(f)時噪聲系數(shù)最小。所以，具有與此值相近的源阻抗的LNA可以最大程度地體現(xiàn)硅鍺工藝的優(yōu)點。

在無線設(shè)計中另一個重要的問題是隨頻率的變化噪聲系數(shù)會變差。一般晶體管的功率增益大致符合圖3中上邊的曲線?？紤]一下圖2的晶體管等效電路，會覺得這條曲線并不新奇。實際上，那個等效模型就是一個每倍頻程增益下降6dB的RC低通濾波器。理論上共射極電路的電流增益(β)為1時(0dB)的頻率稱作特征頻率(fT)。LNA的增益(G)直接依賴于β ，所以噪聲系數(shù)[F = NOUT/(NING)]變差就是從增益逐漸變小開始的。

圖3. 硅鍺(SiGe)雙極型晶體管表現(xiàn)出高增益和低噪聲的特性。

為了看清楚GST-3硅鍺工藝是如何改善高頻段的噪聲系數(shù)的，考慮給晶體管的p型硅基區(qū)攙雜鍺，這會使穿過基區(qū)的能帶隙降低80mV至100mV，在發(fā)射區(qū)和集電結(jié)之間建立起強電場。這個電場使電子從基區(qū)迅速移動到集電區(qū)，縮短了載流子越過狹窄的基區(qū)所需的通過時間(tb)。在其他條件不變的情況下，減小tb會使fT提高大約30%。