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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)曲線追蹤測(cè)試
一、核心技術(shù)特性 ? 高精度測(cè)試能力 ? 電壓測(cè)試范圍覆蓋0-3300V(可擴(kuò)展),分辨率達(dá)1mV;電流測(cè)試范圍0-2500A,分辨率最低至0.1nA,測(cè)試精度控制在0.2%+2LSB 采用脈沖測(cè)試法(脈寬300μs-5ms)抑制溫升,結(jié)合Kelvin四線消除接觸電阻誤差,確保大功率器件極限參數(shù)準(zhǔn)確性 ? 高效智能化操作 ? 單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù),百點(diǎn)I-V曲線生成僅需數(shù)秒 支持自動(dòng)分檔編程與16Bin分選機(jī)對(duì)接,量產(chǎn)測(cè)試效率達(dá)10,000件/小時(shí) ? 全兼容測(cè)試范圍 ? 覆蓋硅基器件至第三代