燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01
110 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲(chǔ)，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足，為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283965 
XCede HD高密度背板連接器：小尺寸大作為 在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能發(fā)展的今天，背板連接器的性能和尺寸成為了設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。XCede HD高密度背板連接器憑借其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和出色的性能
2025-12-18 11:25:06164 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導(dǎo)體溝道晶體管技術(shù)，該技術(shù)將推動(dòng)高密度、低功耗3D DRAM的實(shí)際應(yīng)用。這項(xiàng)技術(shù)已于12月
2025-12-16 16:40:501027 基于開(kāi)放計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)（OCP OAI/OAM）設(shè)計(jì)的高密度AI加速器組，通過(guò)模塊化集成，在單一節(jié)點(diǎn)內(nèi)聚合高達(dá)1 PFLOPS（FP16）與2 POPS（INT8）的峰值算力。其配備大容量GDDR6內(nèi)存
2025-12-14 13:15:111123 
Amphenol ICC 3000W EnergyEdge? X-treme 卡邊連接器：高功率與高密度的完美結(jié)合 在電子設(shè)備不斷向高功率、高密度方向發(fā)展的今天，連接器的性能和設(shè)計(jì)顯得尤為重要
2025-12-12 13:55:06195 Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存連接器的性能對(duì)于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314 景，下面我們來(lái)詳細(xì)了解一下。 文件下載： Amphenol Times Microwave Systems TF-047微型同軸電纜組件.pdf 產(chǎn)品概述 TF - 047 是一款多功能的微同軸電纜，有散裝和電纜組件兩種形式可供選擇，并且提供多種接口。它在緊湊的尺寸下，實(shí)現(xiàn)了高性能和高可靠性，為高密度應(yīng)用
2025-12-11 15:15:02229 Amphenol FCI Basics DensiStak? 板對(duì)板連接器：高速高密度連接解決方案 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，板對(duì)板連接器的性能對(duì)于設(shè)備的整體性能和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們來(lái)深入
2025-12-11 09:40:15346 設(shè)備的品質(zhì)與壽命。工程師們?cè)谶x型時(shí)，常常面臨一個(gè)核心矛盾：如何在追求更高密度的同時(shí)，確保連接的長(zhǎng)久穩(wěn)定與生產(chǎn)的高效可靠？近期，一款在內(nèi)部結(jié)構(gòu)、插拔體驗(yàn)和安全防護(hù)上
2025-12-09 16:52:201966 
在AI芯片與高速通信芯片飛速發(fā)展的今天，先進(jìn)封裝技術(shù)已成為提升算力與系統(tǒng)性能的關(guān)鍵路徑。然而，伴隨芯片集成度的躍升，高密度互連線帶來(lái)的信號(hào)延遲、功耗上升、波形畸變、信號(hào)串?dāng)_以及電源噪聲等問(wèn)題日益凸顯，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法在應(yīng)對(duì)這些復(fù)雜挑戰(zhàn)時(shí)已面臨多重瓶頸。
2025-12-08 10:42:442624 數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)設(shè)施和大型網(wǎng)絡(luò)每天都面臨著不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)需求。需要更快、更可靠和更高效的解決方案來(lái)滿足這些需求，這就是高密度光纖布線技術(shù)發(fā)揮作用的地方。這些布線解決方案節(jié)省了網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施
2025-12-02 10:28:03292 2025年11月，英國(guó)濱?？死祟D：高性能舌簧繼電器全球領(lǐng)導(dǎo)者Pickering Electronics擴(kuò)展了超高密度舌簧繼電器125系列。該系列提供業(yè)界最小的2 Form A 雙刀單擲(DPST)舌簧
2025-11-24 09:28:50349 
固態(tài)疊層高分子電容（MLPC）作為替代MLCC的車載PCB高密度布局方案，具有體積小、容量大、ESR低、高頻特性好、安全性高等優(yōu)勢(shì)，適用于高功耗芯片供電、車載充電機(jī)（OBC）、電池管理系統(tǒng)（BMS
2025-11-21 17:29:47760 
全球連接與傳感領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場(chǎng)上可實(shí)現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達(dá)3千瓦的電源功率，從而
2025-11-20 16:33:20
Molex EMI濾波高密度D-Sub連接器為要求苛刻的電子系統(tǒng)中的電磁干擾 (EMI) 集成提供了可靠的解決方案。該高效系列采用標(biāo)準(zhǔn)、高密度和混合布局連接器，可增強(qiáng)信號(hào)完整性 (SI) 并符合監(jiān)管
2025-11-18 10:45:35367 Molex MMC線纜組件有助于數(shù)據(jù)中心優(yōu)化空間和密度，以滿足AI驅(qū)動(dòng)的要求，并采用超小尺寸 (VSFF) 設(shè)計(jì)，在相同占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高密度。106292系列線纜組件每個(gè)連接器有16或24根光纖
2025-11-17 11:23:41584 ，適用于NAS服務(wù)器、家庭實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)、緊湊型工作站及小型企業(yè)服務(wù)器。該產(chǎn)品結(jié)合高密度存儲(chǔ)與ICYDOCK標(biāo)志性的免工具可拆卸式托盤設(shè)計(jì)，支持快速熱插拔和便捷維護(hù)，同
2025-11-14 14:25:50614 
在云計(jì)算跨域?yàn)?zāi)備、5G 骨干網(wǎng)傳輸與廣域數(shù)據(jù)互聯(lián)需求下，40G 光模塊需兼顧短距高密度與長(zhǎng)距突破。易天（ETU-LINK）拓展出 80km 超遠(yuǎn)距型號(hào)，形成 100 米 - 80 公里全距離覆蓋矩陣，以多技術(shù)路徑適配場(chǎng)景，成為數(shù)據(jù)中心跨城互聯(lián)、5G 承載網(wǎng)的優(yōu)選方案。
2025-11-12 18:12:311907 
英康仕ESU-1B-838機(jī)架式工控機(jī)，正是針對(duì)這類高密度接入場(chǎng)景的專業(yè)解決方案。本款工控機(jī)憑借16個(gè)串口與10路AI/DI+4路DO的硬件配置，在標(biāo)準(zhǔn)1U機(jī)箱內(nèi)實(shí)現(xiàn)了前所未有的接口密度，為數(shù)據(jù)采集與設(shè)備控制建立了優(yōu)勢(shì)。
2025-11-12 10:15:52618 
三星、美光暫停 DDR5 報(bào)價(jià)的背后，是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動(dòng)力，仍是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片封裝環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。
2025-11-08 16:15:011156 根據(jù)參考信息，?沉金工藝（ENIG）? 是更適合高密度PCB的表面處理工藝?。以下是具體原因： 平整度優(yōu)勢(shì) 高密度PCB（如使用BGA、QFN等封裝）的焊盤多且密集，對(duì)表面平整度要求極高。噴錫工藝
2025-11-06 10:16:33359 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過(guò)我在配置MIG的時(shí)候，通過(guò)讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 ，更加符合行業(yè)架構(gòu)要求。VITA 87連接器可容納大多數(shù)下一代高密度 端口和插接卡插槽，有12和24光纖選項(xiàng)可供選擇。這些連接器還符合全球VITA和SOSA標(biāo)準(zhǔn)，保證可用性，并使用戶能夠放心地將這些
2025-11-04 09:25:28582 
下載程序，需要修改鏈接文件）
該擴(kuò)展方案支持程序的下載方式兩種：
（1）ILM下載方式，程序先下載到ITCM中，溢出的部分則下載到DDR3里頭。
在鏈接文件gcc_hbirdv2_ilm.ld中ITCM
2025-10-23 06:16:44
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開(kāi)發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥(niǎo)DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒(méi)有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動(dòng)器非常適合用于風(fēng)扇、泵
2025-10-20 13:55:53348 
用戶采用先進(jìn)的微納工藝從事太赫茲集成器件科研和開(kāi)發(fā)。在研發(fā)中經(jīng)常需要進(jìn)行繁復(fù)的高密度多物理量測(cè)量。用戶采用傳統(tǒng)分立儀器測(cè)試的困難在于高度依賴實(shí)驗(yàn)人員經(jīng)驗(yàn)，缺乏標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化試驗(yàn)平臺(tái)。
2025-10-18 11:22:311220 
高密度配線架和中密度配線架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景及管理效率，具體對(duì)比如下： 一、核心區(qū)別：端口密度與空間占用 示例： 高密度配線架：1U高度可容納96個(gè)LC雙工光纖端口(48芯
2025-10-11 09:56:16261 
ICYDOCKMB998V4P-B是一款堅(jiān)固耐用的超高密度存儲(chǔ)解決方案，可將最多8塊7mmU.2/U.3NVMeSSD集成到單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)5.25英寸光驅(qū)位中。采用全金屬機(jī)身，配備兩個(gè)高風(fēng)
2025-09-12 14:15:50676 
BCM56064A0KFSBG高密度端口支持： 通常支持大量高速端口（具體數(shù)量和速率取決于設(shè)計(jì)）。線速轉(zhuǎn)發(fā)： 在所有端口上實(shí)現(xiàn)無(wú)阻塞的線速L2/L3數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)。高級(jí)交換特性： 支持豐富的二層（L2
2025-09-08 16:51:59
本文解析平尚科技高密度MLCC與功率電感集成方案，通過(guò)超薄堆疊MLCC、非晶磁粉電感及共腔封裝技術(shù)，在8×8mm空間實(shí)現(xiàn)100μF+22μH的超緊湊設(shè)計(jì)。結(jié)合關(guān)節(jié)模組實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，展示體積縮減78%、紋波降低76%的突破，并闡述激光微孔與真空焊接工藝對(duì)可靠性的保障。
2025-09-08 15:31:37489 
憑借與紫光國(guó)芯的緊密合作，貞光科技能夠?yàn)榭蛻籼峁?b class="flag-6" style="color: red">DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
革新電源設(shè)計(jì)：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET，賦能高效高密度電源系統(tǒng) ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務(wù)器及通信電源升級(jí) 引言：功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
高速編程（寫(xiě)入）和讀取操作，尤其適合大塊數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸。 擦除與寫(xiě)入管理：以“塊”（Block）為單位進(jìn)行擦除，以“頁(yè)”（Page）為單位寫(xiě)入，需專用控制器管理磨損均衡。 2. 關(guān)鍵特性 非易失性：無(wú)需持續(xù)供電即可保留數(shù)據(jù)。 高密度低成本：
2025-08-11 10:43:441645 Xgig E3 EDSFF 16通道內(nèi)插器（即適用于 PCI Express? 5.0 的 VIAVI解決方案 Xgig5P-PCIe5-X16-E3 內(nèi)插器）是VIAVI推出的一款致力于 PCI
2025-08-01 09:07:46
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 在科技飛速發(fā)展的今天，電子設(shè)備正以前所未有的速度迭代更新，從尖端工業(yè)控制系統(tǒng)到精密醫(yī)療成像設(shè)備，從高速通信基站到航空航天器，每一個(gè)領(lǐng)域都對(duì)電子設(shè)備的性能、可靠性和集成度提出了更高的要求。而在這些電子設(shè)備的背后，有一種核心組件正發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，那就是高密度互連線路板（HDI）。
2025-07-17 14:43:01865 的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
易失性存儲(chǔ)，在斷電后也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。 ? 利基型DRAM：當(dāng)前產(chǎn)品包括LPDDR2/3、DDR2/3以及容量在8?Gb及以下的DDR4/LPDDR4，并將
2025-06-29 06:43:001768 
采用 TI 領(lǐng)先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負(fù)載點(diǎn) （POL） 應(yīng)用。
2025-06-28 10:56:48660 
采用 TI 領(lǐng)先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負(fù)載點(diǎn) （POL） 應(yīng)用。
2025-06-28 10:40:17598 
采用 TI 領(lǐng)先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負(fù)載點(diǎn) （POL） 應(yīng)用。
2025-06-28 10:36:09614 
電容存儲(chǔ)電荷（代表0或1）。電容會(huì)漏電，需要定時(shí)刷新（Refresh）來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)，所以叫“動(dòng)態(tài)”。
特點(diǎn)：
優(yōu)點(diǎn)：速度非?？欤{秒級(jí)訪問(wèn)），成本相對(duì)較低（單位容量），高密度。
缺點(diǎn)：易失性（斷電數(shù)據(jù)丟失
2025-06-24 09:09:39
感器2000次/秒的超高速采樣，支持多臺(tái)設(shè)備同時(shí)接入。
實(shí)時(shí)性、低延時(shí)：平臺(tái)數(shù)據(jù)采集、分析、控制實(shí)時(shí)性。實(shí)現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)無(wú)卡頓、無(wú)丟失，微秒級(jí)轉(zhuǎn)發(fā)、既時(shí)存儲(chǔ)、實(shí)時(shí)呈現(xiàn)。
高密度數(shù)據(jù)采集的突破性能力
海量數(shù)據(jù)
2025-06-19 14:51:40
Analog Devices Inc. ADGS2414D高密度開(kāi)關(guān)是八個(gè)獨(dú)立的單刀單擲（SPST）開(kāi)關(guān)，采用4mmx5mm、30引腳LGA封裝。這些開(kāi)關(guān)可在印刷電路板空間受限或現(xiàn)有系統(tǒng)外形尺寸限制
2025-06-16 10:51:13671 
Molex莫仕推出VersaBeam擴(kuò)展光束光纖(EBO)互連解決方案，該方案是一個(gè)專為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、云和邊緣計(jì)算環(huán)境優(yōu)化的創(chuàng)新型高密度光纖連接器系列。這一產(chǎn)品組合利用3M EBO套管擴(kuò)展連接器之間的梁，旨在降低對(duì)灰塵和碎屑的敏感度，并可能減少頻繁清潔、檢查和維護(hù)的需要。
2025-06-13 17:25:432429 高密度配線架與中密度配線架的核心區(qū)別體現(xiàn)在端口密度、空間利用率、應(yīng)用場(chǎng)景適配性、成本結(jié)構(gòu)及擴(kuò)展能力等方面，以下為具體分析： 一、端口密度與空間利用率 高密度配線架 端口密度：每單位空間(如1U機(jī)架
2025-06-13 10:18:58696 MPO高密度光纖配線架的安裝需遵循標(biāo)準(zhǔn)化流程，結(jié)合設(shè)備特性和機(jī)房環(huán)境進(jìn)行操作。以下是分步驟的安裝方法及注意事項(xiàng)： 一、安裝前準(zhǔn)備 環(huán)境檢查 確認(rèn)機(jī)房溫度(建議0℃~40℃)、濕度(10%~90
2025-06-12 10:22:42791 高密度ARM服務(wù)器的散熱設(shè)計(jì)融合了硬件創(chuàng)新與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化技術(shù)，以應(yīng)對(duì)高集成度下的散熱挑戰(zhàn)，具體方案如下： 一、核心散熱技術(shù)方案 高效散熱架構(gòu)? 液冷技術(shù)主導(dǎo)?：冷板式液冷方案通過(guò)直接接觸CPU/GPU
2025-06-09 09:19:38659 
深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會(huì)（5月27-29日，展位號(hào)3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長(zhǎng)距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04629 
肌電信號(hào)（Electromyography, EMG）是反映肌肉活動(dòng)的關(guān)鍵生理信號(hào)，能夠提供骨骼、神經(jīng)和肌肉運(yùn)動(dòng)的相關(guān)信息。與侵入式肌電（iEMG）不同，表面肌電（sEMG）通過(guò)非侵入式電極記錄皮膚表面的電信號(hào)，能夠提供更全面的肌肉活動(dòng)信息，因此在實(shí)際應(yīng)用中更為廣泛。
2025-05-23 11:56:04507 
產(chǎn)品集成11顆芯片，58個(gè)無(wú)源元件，采用雙面陶瓷管殼作為載體，進(jìn)行雙層芯片疊裝和組裝，實(shí)現(xiàn)高密度集成。殼體工藝采用高溫多層陶瓷共燒工藝，可以最大限度地增加布線密度和縮短互連線長(zhǎng)度，從而提高組件密度
2025-05-14 10:49:47921 
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來(lái)自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
在人工智能（AI）驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)革命浪潮中，數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)深刻變革。面對(duì)迅猛增長(zhǎng)的人工智能算力需求，部署高密度AI集群已成為數(shù)據(jù)中心發(fā)展的必然選擇。
2025-04-19 16:54:131355 
在全球科技競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國(guó)芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342 
本文聚焦高密度系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)，闡述其定義、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)發(fā)展，分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問(wèn)題及失效機(jī)理，探討可靠性提升策略，并展望其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，旨在為該領(lǐng)域的研究與應(yīng)用提供參考。
2025-04-14 13:49:36910 
光纖高密度ODF(Optical Distribution Frame，光纖配線架) 是一種用于光纖通信系統(tǒng)中，專門設(shè)計(jì)用于高效管理和分配大量光纖線路的設(shè)備。它通過(guò)高密度設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了光纖線路的集中化
2025-04-14 11:08:001581 二次回流工藝因高密度封裝需求、混合元件焊接剛需及制造經(jīng)濟(jì)性提升而普及，主要應(yīng)用于消費(fèi)電子芯片堆疊、服務(wù)器多 Die 整合、汽車電子混合焊接、大尺寸背光模組、陶瓷 LED 與制冷芯片等場(chǎng)景。專用錫膏
2025-04-11 11:41:04855 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
在AI與云計(jì)算的深度融合中，高密度、低功耗特性正成為技術(shù)創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力，主要體現(xiàn)在以下方面： 一、云計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的能效優(yōu)化 存儲(chǔ)與計(jì)算密度提升? 華為新一代OceanStor Pacific全閃
2025-04-01 08:25:05913 
如何通過(guò)導(dǎo)熱界面材料（TIMs）實(shí)現(xiàn)高效散熱，并以合肥傲琪電子的解決方案為例，解析其技術(shù)亮點(diǎn)與應(yīng)用場(chǎng)景。 一、電子散熱的核心需求與痛點(diǎn)1. 高密度散熱難題隨著芯片功率密度的提升（如Mini LED、快
2025-03-28 15:24:26
一、核心定義與技術(shù)原理 MPO(Multi-fiber Push On)高密度光纖配線架是一種專為多芯光纖連接設(shè)計(jì)的配線設(shè)備，通過(guò)單個(gè)連接器集成多根光纖(如12芯、24芯)，實(shí)現(xiàn)高密度、高效率的光纖
2025-03-26 10:11:001433 跳線在高速數(shù)據(jù)傳輸方面表現(xiàn)出更為出色的性能和效率，適用于高密度布線解決方案。光纖跳線在延遲、功耗和長(zhǎng)距離傳輸方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，可確保長(zhǎng)距離傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。
MTP/MPO光纖跳線
MTP
2025-03-24 14:20:17
、阻抗不匹配、電磁干擾（EMI）成為關(guān)鍵。捷多邦采用高密度互連（HDI）**工藝，通過(guò)精密布線設(shè)計(jì)，減少信號(hào)干擾，提升PCB的電氣性能。 1. 高密度布線（HDI）如何減少串?dāng)_？ 串?dāng)_（Crosstalk）是指相鄰信號(hào)線之間的電磁干擾，可能導(dǎo)致信號(hào)畸變。捷多
2025-03-21 17:33:46781 燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì)，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
1U 144芯高密度光纖配線架是專為數(shù)據(jù)中心、電信機(jī)房等高密度布線場(chǎng)景設(shè)計(jì)的緊湊型光纖管理解決方案。其核心特點(diǎn)在于超小空間(1U)與高容量(144芯)的平衡，以下為詳細(xì)說(shuō)明： 核心特性 空間效率
2025-03-21 09:57:30776 。
低插入損耗：1.8 dB @ 10 GHz，確保信號(hào)傳輸?shù)母咝?b class="flag-6" style="color: red">性。
非反射設(shè)計(jì)：減少信號(hào)反射，提高系統(tǒng)性能。
封裝：采用 3x3 mm QFN 表貼封裝，適合高密度 PCB 設(shè)計(jì)。
電氣特性
控制
2025-03-14 09:45:46
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過(guò)精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來(lái)優(yōu)化內(nèi)存訪問(wèn)效率。
2025-03-05 13:47:403573 
全球嵌入式非易失性內(nèi)存（eNVM）解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密（PQC）解決方案。此
2025-03-05 11:43:101001 高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展，同時(shí)也給失效分析過(guò)程帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531288 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫(xiě)保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16915 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32931 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 MF系列干簧繼電器具備超高密度，其表面尺寸在SANYU產(chǎn)品線中是最小的，僅為4.35mm x 4.35mm。這種尺寸允許您滿足集成電路行業(yè)的KGD需求：通過(guò)在8英寸板上安裝500個(gè)繼電器和在12英寸
2025-02-17 13:40:48
存儲(chǔ)正在進(jìn)行著哪些變革。 上期我們對(duì)QLC SSD、TLC SSD以及HDD分別進(jìn)行了優(yōu)勢(shì)對(duì)比，并得出了成本分析。本期將重點(diǎn)介紹QLC SSD在設(shè)計(jì)上存在的諸多挑戰(zhàn)及解決之道。 更大的內(nèi)部扇區(qū)尺寸 從硬件設(shè)計(jì)及成本上考慮，高密度QLC SSD存儲(chǔ)容量增加時(shí)，其配置的DRAM容量通
2025-02-17 11:35:22845 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求，因此，高密度3-D封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。3-D封裝技術(shù)通過(guò)垂直堆疊多個(gè)芯片或芯片層，實(shí)現(xiàn)前所未有的集成密度和性能提升，成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
2025-02-13 11:34:381613 
景。NO.1產(chǎn)品特點(diǎn)密度高作為目前公司密度最高的連接器，F(xiàn)3具有很多優(yōu)點(diǎn)，其中最引人注目的是其高密度信號(hào)連接能力，單個(gè)模塊可以提供多達(dá)168個(gè)信號(hào)點(diǎn)的連接。尺寸小在
2025-02-06 09:15:04805 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊，集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:39:5312 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 15:03:321 在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬(wàn)用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
高密度互連（HDI）PCB因其細(xì)線、更緊密的空間和更密集的布線等特點(diǎn)，在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。 一、HDI PCB具有以下顯著優(yōu)勢(shì)： 細(xì)線和高密度布線：允許更快的電氣連接，同時(shí)減少了PCB
2025-01-10 17:00:001532 
50mm x 52mm x 1.6mm的緊湊尺寸中實(shí)現(xiàn)了高功能密度。
工藝設(shè)計(jì)
12層高密度PCB設(shè)計(jì)：采用沉金工藝生產(chǎn)，具備獨(dú)立接地信號(hào)層，提升信號(hào)完整性。
LCC + LGA封裝：核心板背面
2025-01-10 14:32:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應(yīng)用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:26:180
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