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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開關(guān)

      CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開關(guān)

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      2025-12-22 17:32:00408

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      2025-12-14 07:32:011369

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

      博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品
      2025-12-12 14:14:06561

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      2025-12-05 14:46:06325

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      在電源模塊領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊，為太陽能逆變器、不間斷電源、電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)電源等應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持。今天，我們就來深入了解一下這款產(chǎn)品。
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      2025-11-30 16:13:27564

      傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

      半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽
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      半導(dǎo)體“碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)”詳解

      近年來，基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用，受到了越來越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件，碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以及很快的開關(guān)速度，與硅IGBT相比，導(dǎo)通損耗
      2025-11-05 08:22:008362

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      高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析

      　　相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅
      2025-10-11 15:32:0337

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      作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑，可滿足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車 (EV
      2025-10-02 17:25:001518

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      Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

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      2025-09-22 09:31:47654

      【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

      一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參數(shù)起著決定性
      2025-09-18 14:44:40645

      解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

      面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求，高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面的系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求，包括需要具備多供應(yīng)商兼容的封裝，能夠滿足嚴(yán)格的功率密度限制、且可以應(yīng)對(duì)散熱設(shè)計(jì)受限的問題。
      2025-09-17 15:57:25652

      基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

      基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
      2025-09-15 16:53:03976

      碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究

      一、引言 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標(biāo)之一，其精確控制
      2025-09-11 11:56:41619

      Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

      全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。
      2025-09-11 09:12:541414

      碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

      隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來發(fā)展趨勢(shì)。
      2025-09-03 17:56:411427

      數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

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      2025-09-03 17:54:014441

      碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

      今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
      2025-08-29 14:38:016755

      碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

      碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì)，在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
      2025-08-27 16:17:431255

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      2025-08-23 16:22:401081

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      2025-08-18 15:56:311137

      【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

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      2025-08-11 16:54:232327

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      精確的測(cè)量技術(shù)支持。 引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的物理化學(xué)性能，在高功率、高頻電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。晶圓總厚度變化（TTV
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      2025-07-15 15:00:19960

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      2025-07-15 09:58:39918

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      超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

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      2025-07-02 09:49:10481

      博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹

      隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型，碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性，正成為下一代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下，2025年1月，在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，旨在面向本土市場(chǎng)，提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測(cè)試及驗(yàn)證能力，助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
      2025-06-27 11:09:561064

      EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

      EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
      2025-06-25 09:13:14

      基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

      傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
      2025-06-24 17:26:28492

      SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案：基本BTP1521P電源芯片

      傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
      2025-06-19 16:57:201227

      Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能

      面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，是電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)的不二選擇。
      2025-06-14 14:56:401365

      基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

      技術(shù)發(fā)展具有重要價(jià)值。 技術(shù)原理分析 梯度調(diào)節(jié)依據(jù) 碳化硅硬度高、脆性大，切割起始階段，材料表面完整，刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定，可采用相對(duì)較大的進(jìn)給量提高加工效率
      2025-06-13 10:07:04520

      碳化硅在多種應(yīng)用場(chǎng)景中的影響

      對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
      2025-06-13 09:34:061290

      切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

      理對(duì)厚度均勻性的影響 碳化硅硬度高、脆性大，切割過程中，切割進(jìn)給量直接影響切割力大小與分布 。當(dāng)進(jìn)給量較小時(shí)，切割工具與碳化硅襯底接觸區(qū)域的切削力相對(duì)較小且穩(wěn)定
      2025-06-12 10:03:28536

      基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

      。其中，關(guān)斷損耗（Eoff）作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo)，直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性，深入探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面
      2025-06-10 08:38:54829

      碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

      傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
      2025-06-09 17:22:53857

      基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

      亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
      2025-06-08 11:13:471096

      國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

      SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
      2025-06-07 06:17:30911

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
      2025-06-04 09:22:591504

      使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

      ，而使用像碳化硅 (SiC) 這樣的基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的功率器件就可以滿足這些要求，而且這種技術(shù)還在不斷改進(jìn)。 為什么選擇 SiC？ 與硅 (Si) 相比，SiC 等 WBG 半導(dǎo)體材料具備獨(dú)特性能，因此成為開關(guān)模式電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想之選。帶隙是指將電子從材料的價(jià)帶移動(dòng)
      2025-05-25 11:26:00741

      Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

      Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
      2025-05-12 16:06:34897

      國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應(yīng)用

      傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC
      2025-05-10 13:38:19860

      基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

      、工業(yè)級(jí)及汽車級(jí)碳化硅功率模塊等多款新品，為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)帶來了更高效可靠的能源轉(zhuǎn)換解決方案。
      2025-05-09 09:19:101116

      基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器

      關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器
      2025-05-08 11:08:401153

      基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

      MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子
      2025-05-04 09:42:31740

      基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

      基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊
      2025-05-03 10:45:12561

      碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

      在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
      2025-04-30 18:21:20759

      碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

      隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇，特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)。
      2025-04-27 14:13:32899

      碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

      隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
      2025-04-21 17:55:031081

      低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

      低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用，可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化硅逆變焊機(jī)新興品類直接推向“早衰”。若放任亂象
      2025-04-14 07:02:35649

      碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

      在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
      2025-04-09 18:02:041275

      麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

      碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
      2025-04-08 16:00:57

      先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革

      本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢(shì)。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動(dòng)應(yīng)用功率密度提升的背景下
      2025-04-08 11:40:331493

      派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

      3月28日，在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕，本次會(huì)上，派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品，吸引了新能源汽車、工業(yè)
      2025-03-29 09:10:551741

      碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

      隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，碳化硅（SiC）器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能，使其在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢(shì)，并提供在實(shí)際應(yīng)用中的設(shè)計(jì)選型指南。
      2025-03-19 16:59:401045

      ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

      安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
      2025-03-19 14:31:281103

      碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

      碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善，國產(chǎn)SiC碳化硅在
      2025-03-13 11:12:481577

      為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

      電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
      2025-03-12 11:31:09896

      CREE（Wolfspeed）的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

      ）的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期：Wolfspeed（原CREE）曾長期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場(chǎng)，其物理氣相傳輸法（PVT）生長技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2018年特斯拉采用碳化硅后，Wolfspeed市值一度飆升，但此后因技術(shù)迭代緩慢、成本高企及中國企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，市值暴
      2025-03-05 07:27:051295

      超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

      隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
      2025-03-01 08:53:441053

      SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

      結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管
      2025-02-28 10:34:31752

      碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

      。碳化硅MOSFET不僅具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高耐壓等顯著優(yōu)勢(shì)，還在高溫和高頻應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)越的穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)探討碳化硅MOSFET的基本特性、應(yīng)用領(lǐng)域、市場(chǎng)前景及未來發(fā)展趨勢(shì)。
      2025-02-26 11:03:291399

      國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

      器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄：碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢(shì)： 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽：頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河 技術(shù)門檻高企 ：碳化硅
      2025-02-24 14:04:38933

      碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

      碳化硅（SiC）在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用，主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性，成為空間觀測(cè)、深空探測(cè)等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用進(jìn)展與技術(shù)突破：一、材料優(yōu)勢(shì)1.輕量化與高剛度
      2025-02-22 14:40:372197

      Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

      本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新
      2025-02-19 11:35:411716

      國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

      傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案，助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
      2025-02-13 21:56:24913

      5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

      傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)，并做損耗仿真計(jì)算： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC
      2025-02-10 09:37:55745

      高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

      傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
      2025-02-09 20:17:291126

      SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹

      碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值，助力電力電子領(lǐng)域的革新。
      2025-02-05 14:34:481658

      碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

      多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
      2025-02-05 13:49:121950

      碳化硅功率器件的散熱方法

      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)
      2025-02-03 14:22:001255

      碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

      碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
      2025-02-03 14:21:001292

      碳化硅的缺陷分析與解決方案

      碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)等，會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
      2025-01-24 09:17:142515

      碳化硅的耐高溫性能

      、高強(qiáng)度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成，形成一種穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)賦予了它許多獨(dú)特的性質(zhì)，其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能 碳化硅的耐高溫性能主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 2.1 高熔點(diǎn) 碳化
      2025-01-24 09:15:483084

      碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

      ，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性而受到越來越多的關(guān)注。 碳化硅（SiC）的特性 禁帶寬度 ：SiC的禁帶寬度遠(yuǎn)大于Si，這意味著SiC器件可以在更高的電壓和溫度下工作，具有更好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。 電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于
      2025-01-23 17:13:032589

      碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)

      碳化硅（SiC）是一種高性能的陶瓷材料，因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件，SiC的應(yīng)用范圍廣泛，其獨(dú)特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料。 碳化硅
      2025-01-23 17:11:342728

      碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

      碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì)： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
      2025-01-23 17:09:352663

      碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

      高溫、高壓和高頻環(huán)境下穩(wěn)定工作，同時(shí)具有較低的導(dǎo)通損耗和較高的開關(guān)速度。這些特性使得SiC在電力電子領(lǐng)域，特別是在電動(dòng)汽車（EV）和可再生能源系統(tǒng)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器和電源管理中發(fā)揮著重要作用。 2. 照明技術(shù) 在照明領(lǐng)域，碳化硅被用
      2025-01-23 17:06:132592

      碳化硅在電磁爐中有什么優(yōu)勢(shì)

      碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，能使電磁爐的加熱元件快速升溫，將電能更高效地轉(zhuǎn)化為熱能，從而減少熱量散失和能量浪費(fèi)，提高電磁爐的加熱效率。
      2025-01-23 14:14:031249

      碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

      一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
      2025-01-23 10:30:54286

      40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

      BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
      2025-01-22 10:43:28

      產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

      *附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
      2025-01-20 14:19:40

      不同的碳化硅襯底的吸附方案，對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

      在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細(xì)微
      2025-01-14 10:23:10400

      碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

      在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
      2025-01-13 14:36:13394

      為何基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件

      基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級(jí)拓?fù)鋵?shí)測(cè)效率高于進(jìn)口器件
      2025-01-13 09:58:291463

      安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

      此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中，我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn)，本文為白皮書第二部分，將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美（onsemi）在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。
      2025-01-07 10:18:48916

      減少減薄碳化硅紋路的方法

      碳化硅（SiC）作為一種高性能半導(dǎo)體材料，因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率，在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過程中，碳化硅片的減薄是一個(gè)重要環(huán)節(jié)，它可以提高
      2025-01-06 14:51:09392

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