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DS1088,DS1088L低成本硅振蕩器
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2025-05-23 18:29:32
DS8024智能卡接口技術(shù)手冊
DS8024智能卡接口IC是用于智能卡讀卡器的低成本模擬前端，適用于所有ISO 7816、EMV*以及GSM11-11應(yīng)用。DS8024和NXP TDA8024引腳兼容，采用28引腳TSSOP封裝和SO封裝。
2025-05-22 11:46:46791
791
DS8023智能卡接口技術(shù)手冊
DS8203智能卡接口IC為低成本、低功耗模擬前端，適用于所有ISO 7816、EMV*以及GSM11-11應(yīng)用。DS8023支持5V、3V和1.8V智能卡，并提供低功耗待機(jī)模式。DS8023提供28引腳TSSOP和SO封裝，替換TDA8024時只需少許改動甚至無需改動。
2025-05-22 11:41:20883
883
DS8005智能卡接口數(shù)據(jù)手冊
DS8005雙智能卡接口是用于IC卡讀卡器接口的低成本雙模擬前端，IC卡讀卡器接口需要與兩個以相互排斥方式工作的智能卡通信。模擬接口設(shè)計用于ISO 7816、EMV?和B-CAS應(yīng)用。該器件功能
2025-05-22 11:02:25727
727
ob2365代換料AP8271TC-L1低成本反激控制器芯片
供應(yīng)ob2365代換料AP8271TC-L1低成本反激控制器芯片，提供AP8271TC-L1低成本反激控制器芯片關(guān)鍵參數(shù) ，相比ob2365多了 市電過壓和欠壓保護(hù)功能，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2025-05-09 09:50:06
LC振蕩器制作論文資料
摘要本題目中，振蕩器采用輸出波形好，頻率穩(wěn)定度高的具有波段切換功能的改進(jìn)型電容三點(diǎn)式振蕩電路。在每一個波段內(nèi)，頻率的調(diào)節(jié)是通過改變壓控振蕩器的變?nèi)荻O管的直流反壓實(shí)現(xiàn)的。采用鎖相環(huán)頻率合成電路，以
2025-04-22 14:54:08
DS1135 3合1、高速硅延遲線技術(shù)手冊
DS1135系列是流行的DS1013與DS1035的低功率、+5V、高速版本。
DS1135系列延遲線在單個封裝內(nèi)有三個獨(dú)立的邏輯緩沖延遲線。該器件是最快的3合1延遲線。它采用標(biāo)準(zhǔn)8引腳150mil SO封裝。
2025-04-16 10:22:49776
776
DS1110L 3V、10抽頭硅延遲線技術(shù)手冊
DS1110L 10抽頭延遲線是3V版的DS1110。它含有10個等間隔的抽頭，可以提供10ns至500ns的延遲。DS1110L系列延遲線在3.3V，+25°C時，提供±5%或±2ns (較大者
2025-04-16 09:25:27909
909
DS1100 5抽頭、經(jīng)濟(jì)型定時單元(延遲線)技術(shù)手冊
了成本、并大大提高了可靠性。DS1100 5抽頭硅延遲線在經(jīng)過型號尾標(biāo)指定的固定延遲后可以在輸出端重現(xiàn)輸入邏輯狀態(tài)。DS1100設(shè)計成以相同精度重現(xiàn)上升沿與下降沿。每個抽頭都能夠驅(qū)動10個74LS負(fù)載。
2025-04-15 17:00:29766
766
全硅MEMS振蕩器-MST8011，助力國產(chǎn)MEMS振蕩器實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）振蕩器作為一種新型的時鐘解決方案，正逐漸成為電子設(shè)備中的核心組件。與傳統(tǒng)的石英振蕩器相比，MEMS振蕩器具有體積小、功耗低、抗振動、抗沖擊等顯著
2025-04-15 14:40:52799
799
DS1080L擴(kuò)頻晶振倍頻器技術(shù)手冊
DS1080L是低抖動、基于晶振的時鐘發(fā)生器，內(nèi)部集成鎖相環(huán)(PLL)，用于產(chǎn)生16MHz至134MHz的擴(kuò)頻時鐘輸出。該器件的時鐘倍頻速率和抖動幅度可通過引腳設(shè)置。DS1080L提供擴(kuò)頻禁用模式和關(guān)斷模式，可節(jié)省功耗。
2025-04-15 09:59:07830
830
低功耗石英晶體振蕩器的工作原理和應(yīng)用場景
低功耗石英晶體振蕩器是一種專為低功耗應(yīng)用設(shè)計的晶體振蕩器，其核心目標(biāo)是在保證頻率穩(wěn)定性的同時，最大限度地降低功耗。
2025-04-11 14:14:001055
105527MHz HCSL晶體振蕩器選型與PHY對接設(shè)計指南
[FCO5L02700033HDY00](FCom富士晶振 FCO-5L-27MHz HCSL差分振蕩器-FCom富士晶振-電子發(fā)燒友網(wǎng))：27MHz差分晶體振蕩器在網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備與路由器中的應(yīng)用方案
2025-04-09 12:27:50
32.768KHz 振蕩器：應(yīng)用、技術(shù)解析及未來發(fā)展趨勢
深入解析 32.768KHz 振蕩器的應(yīng)用、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)及行業(yè)趨勢。了解如何選擇低功耗、高精度的振蕩器，以優(yōu)化 IoT、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備及工業(yè)控制系統(tǒng)的性能。
2025-03-25 16:00:251155
1155
小封裝液晶驅(qū)動尋線儀LCD驅(qū)動芯片VK1088B
★ 內(nèi)置256 kHz RC振蕩器（上電默認(rèn)）
★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/2、1/3
★ COM周期（DUTY）可配置為1/2、1/3、1/4
★ 內(nèi)置顯示RAM為22x4位
★ 省電模式
2025-03-17 15:35:39
DS2488 adi
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2025-03-10 18:53:36
DS9100 adi
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2025-03-10 18:35:28
DS9092 adi
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2025-03-10 18:34:43
DS1249Y adi
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2025-03-10 18:34:10
DS1925 adi
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2025-03-10 18:33:58
DS9097U adi
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2025-03-10 18:33:09
DS1265AB adi
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2025-03-10 18:32:51
DS2411 adi
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2025-03-10 18:32:04
DS2401 adi
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2025-03-10 18:31:24
激光焊接技術(shù)在焊接振蕩器的工藝特點(diǎn)
激光焊接技術(shù)作為一種高精度、高效率的焊接方法，在現(xiàn)代制造業(yè)中發(fā)揮著越來越重要的作用。尤其在焊接振蕩器這類對精度和可靠性要求極高的元件時，激光焊接機(jī)展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢。下面來看看激光焊接技術(shù)在焊接振蕩器的工藝特點(diǎn)。
2025-03-01 11:02:47589
589DS17885 3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
了許多增強(qiáng)特性，例如硅序列號，電源開/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊封裝內(nèi)
2025-02-27 15:15:29970
970
DS17487 3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
了許多增強(qiáng)特性，例如硅序列號，電源開/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊封裝內(nèi)
2025-02-27 15:11:05949
949
DS17485 3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
了許多增強(qiáng)特性，例如硅序列號，電源開/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊封裝內(nèi)
2025-02-27 14:23:521059
1059
DS17287 3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
了許多增強(qiáng)特性，例如硅序列號，電源開/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊封裝內(nèi)
2025-02-27 14:14:39870
870DS17285 3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
了許多增強(qiáng)特性，例如硅序列號，電源開/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊封裝內(nèi)
2025-02-27 11:53:50841
841
DS1687 3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
，+3.0V或+5.0V工作電壓。DS1685還包含許多增強(qiáng)的功能，包括一個硅序列號、上電/掉電控制電路、242字節(jié)的用戶NV SRAM以及用于支持電源管理的32.768kHz頻率輸出。
2025-02-27 10:25:23927
927
DS1685系列3V/5V實(shí)時時鐘技術(shù)手冊
，+3.0V或+5.0V工作電壓。DS1685還包含許多增強(qiáng)的功能，包括一個硅序列號、上電/掉電控制電路、242字節(jié)的用戶NV SRAM以及用于支持電源管理的32.768kHz頻率輸出。
2025-02-27 10:22:061006
1006DS2411硅序列號技術(shù)手冊
DS2411硅序列號是可由外部供電的低成本、電子注冊碼芯片。它能用最少的電子接口(例如：微控制器的一個端口)提供絕對唯一的電子身份標(biāo)識。DS2411的注冊碼是由工廠激光刻制的64位ROM碼，其中包括
2025-02-26 17:16:341034
1034
DS3232系列超高精度、I2C RTC，集成晶體和SRAM技術(shù)手冊
DS3232是低成本溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)，內(nèi)置精度極高的溫度補(bǔ)償實(shí)時時鐘(RTC)以及236字節(jié)電池備份SRAM。此外，DS3232還具有電池輸入，可在器件主電源掉電時保持精確計時。集成晶
2025-02-26 15:05:231006
1006
DS3234系列超高精度、SPI總線RTC，集成晶體和SRAM技術(shù)手冊
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI?總線的實(shí)時時鐘(RTC)，集成了溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)和晶體。DS3234內(nèi)置經(jīng)過溫度補(bǔ)償?shù)木茈妷夯鶞?zhǔn)和比較器電路用來監(jiān)視V ~CC~ 。當(dāng)
2025-02-26 14:44:06988
988
DS1920 iButton溫度記錄儀技術(shù)手冊
包含一個唯一的硅序列號，因此同一1-Wire總線上可以存在多個DS1920。這允許在許多不同的地方放置溫度傳感器。此功能有用的應(yīng)用包括暖通空調(diào)環(huán)境控制、建筑物、設(shè)備或機(jī)械內(nèi)的溫度傳感以及過程監(jiān)測和控制。
2025-02-26 10:22:18943
943
簡單認(rèn)識壓控晶體振蕩器
壓控晶體振蕩器（Voltage Controlled Crystal Oscillator，簡稱VCXO）是一種基于石英晶體的振蕩器，其頻率可以通過外部電壓進(jìn)行微調(diào)。
2025-02-24 13:50:091053
1053DS852有哪些品牌或型號的其他特性或比較
DS852有哪些品牌或型號的其他特性或比較
DS852作為一款高速直接數(shù)字合成器，在精度、性能、靈活性、輸出特性以及功耗與封裝方面表現(xiàn)出色。然而，在選擇DDS時，還需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求、成本預(yù)算
2025-02-24 09:32:22
Stanford斯坦福DS360函數(shù)發(fā)生器
Stanford research Systems DS360低失真函數(shù)發(fā)生器,SRS DS360Stanford Research DS360 低失真函數(shù)發(fā)生器10 mHz 至 200 kHz 范圍
2025-02-18 10:02:44
國產(chǎn)可編程全硅振蕩器應(yīng)用于動中通衛(wèi)星天線，兼容SiTime
國產(chǎn)可編程全硅振蕩器應(yīng)用于動中通衛(wèi)星天線，兼容SiTime
2025-02-14 09:42:35787
787
Mi-Wave射頻機(jī)械控制振蕩器
Mi-Wave射頻機(jī)械控制振蕩器Mi Wave的830系列機(jī)械控制振蕩器需在18至110GHz頻率范圍中應(yīng)用。適合于混頻器本地振蕩器或發(fā)射源。830系列機(jī)械控制振蕩器屬于中等穩(wěn)定性的源，主要用于雷達(dá)
2025-01-09 09:20:18
請問振蕩器超載停止是指LDC1000內(nèi)部的振蕩器嗎？
設(shè)計的。。。請問振蕩器超載停止是指LDC1000內(nèi)部的振蕩器嗎？為什么我的LDC1000有一段時間就可以正常工作呢？
2025-01-09 08:29:16
緊湊小巧的可編程晶體振蕩器
SPXO快速交付晶體振蕩器，其包含PLL電路的晶體振蕩器，且可以調(diào)制為輸出所需的頻率。 它能夠?yàn)檎{(diào)制為任何輸出頻率，有利于短時間交付和小批量生產(chǎn)。 原理是需要用一個特殊的編程工具來將頻率數(shù)據(jù)寫入空白
2025-01-08 13:54:21
0
0國產(chǎn)純硅振蕩器對標(biāo)SiTime在SSD中的應(yīng)用方案
國產(chǎn)純硅振蕩器對標(biāo)SiTime在SSD中的應(yīng)用方案
2025-01-08 10:02:05827
827
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