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而同一晶面在不同的腐蝕劑中腐蝕，位錯坑的形態(tài)也不完全一樣;甚至腐蝕長短也影響到位錯坑的形態(tài)。比如在非擇優(yōu)腐蝕劑（如Dash腐蝕劑）情況下硅單晶《111》面位錯坑為圓形的凹坑;在晶向擇優(yōu)腐蝕劑中硅單晶《111）面位錯呈三角形錐體，這是由于擇優(yōu)腐蝕劑在晶體中的各個方向的腐蝕速度不同所造成的。如圖4、圖5所示，硅單晶《111》在被不同的腐蝕液腐蝕后顯示出不同的形狀。
2.2 缺陷對雜質的吸收
位錯是一種線狀的高應力區(qū)，有吸收雜質原子的能力，引起沿位錯線的局部地區(qū)雜質濃度增加。這種作用將嚴重影響到器件工藝的控制，并從而影響到器件性能和成品率的提高等。
從以上兩幅圖中可以明顯的看到，缺陷存在的地方，有明顯的金屬色，這是吸收了金屬雜質的緣故。這兩張圖片很好的說明了缺陷對雜質的吸收作用。