目錄
電力晶體管簡介
電力晶體管的結(jié)構(gòu)
電力晶體管工作原理
電力晶體管特點(diǎn)
電力晶體管的基本特性
電力晶體管的主要參數(shù)
電力晶體管的驅(qū)動與保護(hù)
電力晶體管電路分析?
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電力晶體管簡介
電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管,是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有時也稱為Power BJT;其特性有:耐壓高,電流大,開關(guān)特性好,但驅(qū)動電路復(fù)雜,驅(qū)動功率大;GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。GTR是一種電流控制的雙極雙結(jié)大功率、高反壓電力電子器件,具有自關(guān)斷能力,產(chǎn)生于本世紀(jì)70年代,其額定值已達(dá)1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具備晶體管飽和壓降低、開關(guān)時間短和安全工作區(qū)寬等固有特性,又增大了功率容量,因此,由它所組成的電路靈活、成熟、開關(guān)損耗小、開關(guān)時間短,在電源、電機(jī)控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應(yīng)用廣泛。GTR的缺點(diǎn)是驅(qū)動電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞。在開關(guān)電源和UPS內(nèi),GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符號如圖1,和普通的NPN晶體管一樣。
電力晶體管的結(jié)構(gòu)
電力晶體管(Giant Transistor)簡稱GTR,結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常相似。GTR由三層半導(dǎo)體、兩個PN結(jié)組成。和小功率三極管一樣,有PNP和NPN兩種類型,GTR通常多用NPN結(jié)構(gòu)。
[編輯本段]電力晶體管工作原理
在電力電子技術(shù)中,GTR主要工作在開關(guān)狀態(tài)。GTR通常工作在正偏(Ib>0)時大電流導(dǎo)通;反偏(Ib<0=時處于截止?fàn)顟B(tài)。因此,給GTR的基極施加幅度足夠大的脈沖驅(qū)動信號,它將工作于導(dǎo)通和截止的開關(guān)狀態(tài)。
[編輯本段]電力晶體管特點(diǎn)
l 輸出電壓
可以采用脈寬調(diào)制方式,故輸出電壓為幅值等于直流電壓的強(qiáng)脈沖序列。
2 載波頻率
由于電力晶體管的開通和關(guān)斷時間較長,故允許的載波頻率較低,大部分變頻器的上限載波頻率約為1.2~1.5kHz左右。
3 電流波形
因?yàn)檩d波頻率較低,故電流的高次諧波成分較大。這些高次諧波電流將在硅鋼片中形成渦流,并使硅鋼片相互間因產(chǎn)生電磁力而振動,并產(chǎn)生噪音。又因?yàn)檩d波頻率處于人耳對聲音較為敏感的區(qū)域,故電動機(jī)的電磁噪音較強(qiáng)。
4 輸出轉(zhuǎn)矩
因?yàn)殡娏髦懈叽沃C波的成分較大,故在50Hz時,電動機(jī)軸上的輸出轉(zhuǎn)矩與工頻運(yùn)行時相比,略有減小。
[編輯本段]電力晶體管的基本特性
(1)靜態(tài)特性
共發(fā)射極接法時可分為三個工作區(qū):
① 截止區(qū)。在截止區(qū)內(nèi),iB≤0,uBE≤0,uBC<0,集電極只有漏電流流過。
?、?放大區(qū)。iB >0,uBE>0,uBC<0,iC =βiB。
③ 飽和區(qū)。iB >Ics/β,uBE>0,uBC>0,iCS是集電極飽和電流,其值由外電路決定。
結(jié)論:兩個PN結(jié)都為正向偏置是飽和的特征。飽和時,集電極、發(fā)射極間的管壓降uCE很小,相當(dāng)于開關(guān)接通,這時盡管電流很大,但損耗并不大。GTR剛進(jìn)入飽和時為臨界飽和,如iB繼續(xù)增加,則為過飽和,用作開關(guān)時,應(yīng)工作在深度飽和狀態(tài),這有利于降低uCE和減小導(dǎo)通時的損耗。
(2)動態(tài)特性
圖4-8 GTR共發(fā)射極接法的輸出特性
GTR在關(guān)斷時漏電流很小,導(dǎo)通時飽和壓降很小。因此,GTR在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)下?lián)p耗都很小,但在關(guān)斷和導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換過程中,電流和電壓都較大,所以開關(guān)過程中損耗也較大。當(dāng)開關(guān)頻率較高時,開關(guān)損耗是總損耗的主要部分。因此,縮短開通和關(guān)斷時間對降低損耗、提高效率和提高運(yùn)行可靠性很有意義。
[編輯本段]電力晶體管的主要參數(shù)
(1)最高工作電壓
(2)集電極最大允許電流ICM
(3)集電極最大允許耗散功率PCM
(4)最高工作結(jié)溫TJM
二次擊穿和安全工作區(qū)
(1)二次擊穿
二次擊穿是影響GTR安全可靠工作的一個重要因素。二次擊穿是由于集電極電壓升高到一定值(未達(dá)到極限值)時,發(fā)生雪崩效應(yīng)造成的。防止二次擊穿的辦法是:①應(yīng)使實(shí)際使用的工作電壓比反向擊穿電壓低得多。②必須有電壓電流緩沖保護(hù)措施。
(2)安全工作區(qū)
以直流極限參數(shù)ICM、PCM、UCEM構(gòu)成的工作區(qū)為一次擊穿工作區(qū),以USB (二次擊穿電壓)與ISB (二次擊穿電流)組成的PSB (二次擊穿功率)是一個不等功率曲線。為了防止二次擊穿,要選用足夠大功率的GTR,實(shí)際使用的最高電壓通常比GTR的極限電壓低很多。
圖4-10 GTR安全工作區(qū)
圖4-11 GTR基極驅(qū)動電流波形
[編輯本段]電力晶體管的驅(qū)動與保護(hù)
1.GTR基極驅(qū)動電路
(1)對基極驅(qū)動電路的要求
?、賹?shí)現(xiàn)主電路與控制電路間的電隔離。
?、趯?dǎo)通時,基極正向驅(qū)動電流應(yīng)有足夠陡的前沿,并有一定幅度的強(qiáng)制電流,以加速開通過程,減小開通損耗。
?、跥TR導(dǎo)通期,基極電流都應(yīng)使GTR處在臨界飽和狀態(tài),這樣既可降低導(dǎo)通飽和壓降,又可縮短關(guān)斷時間。
?、茉谑笹TR關(guān)斷時,應(yīng)向基極提供足夠大的反向基極電流,以加快關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗。
?、輵?yīng)有較強(qiáng)的抗干擾能力,并有一定的保護(hù)功能。
(2)基極驅(qū)動電路
圖4-12 實(shí)用的GTR驅(qū)動電路
2.集成化驅(qū)動
集成化驅(qū)動電路克服了一般電路元件多、電路復(fù)雜、穩(wěn)定性差和使用不便的缺點(diǎn),還增加了保護(hù)功能。
3.GTR的保護(hù)電路
開關(guān)頻率較高,采用快熔保護(hù)是無效的。一般采用緩沖電路。主要有RC緩沖電路、充放電型R、C、VD緩沖電路和阻止放電型R、C、VD緩沖電路三種形式,如圖4-13所示。
a) b) c)
圖4-13 GTR的緩沖電路
圖4-13a所示RC緩沖電路只適用于小容量的GTR(電流10 A以下)。圖4-13b所示充放電型R、C、VD緩沖電路用于大容量的GTR。圖4-13c所示阻止放電型R、C、VD緩沖電路,較常用于大容量GTR和高頻開關(guān)電路,其最大優(yōu)點(diǎn)是緩沖產(chǎn)生的損耗小。
力晶體管電路分析
圖6-21所示為三相橋式PWM逆變電路,功率開關(guān)器件為GTR,負(fù)載為電感性。從電路結(jié)構(gòu)上看,三相橋式PWM變頻電路只能選用雙極性控制方式,其工作原理如下:
三相調(diào)制信號urU、urV和urW為相位依次相差120°的正弦波,而三相載波信號是公用一個正負(fù)方向變化的三角形波uc,如圖6-23所示。U、V和W相自關(guān)斷開關(guān)器件的控制方法相同,現(xiàn)以U相為例:在urU>uc的各區(qū)間,給上橋臂電力晶體管V1以導(dǎo)通驅(qū)動信號,而給下橋臂V4以關(guān)斷信號,于是U相輸出電壓相對直流電源Ud中性點(diǎn)N’為uUN’ =Ud/2。在urU
