GAT 聯(lián)柵晶體管

???? 聯(lián)柵晶體管是一種新型功率開關半導體器件，簡稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)之間的特種器件，兼有BJT和FET的雙重優(yōu)點，特別適合用作熒光燈電子鎮(zhèn)流器中的功率開關。其主要特點為：(1)動態(tài)損耗小，開關速度快；(2)二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區(qū)大；(3)具有負的溫度系數(shù)，熱穩(wěn)定性好：(4)抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強，保證電路工作頻率的穩(wěn)定。
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??? GAT的等效電路結構如圖1所示。國外型號有：C2621、C2333等，2SG系列是國產(chǎn)代表性產(chǎn)品之一。目前有的廠家將兩只GAT接成推拉方式封裝在一起，組成模塊，給使用帶來方便。圖2示出的是2DM模塊的內(nèi)部結構，2DM模塊的型號及主要特性參數(shù)如表1所示。采用2DM模塊作功率開關器件的16 w雙D型電子節(jié)能燈電路如圖3所示。除采用GAT作為功率開關晶體管取代BJT或VD—MOST外，就電路結構本身而言，并沒有特別之處。
???? GAT的特性比較接近雙極性靜電感應晶體管(BsIT)。使用這種器件時應注意以下幾點：(1)GAT屬于? 電流驅(qū)動型，其激勵電壓幅度比一般BJT高，峰值驅(qū)動脈沖達3．5 V左右。因此，為選擇最佳工作點，對脈沖變壓器初、次級繞組匝數(shù)及基極限流電阻應調(diào)整到合適值，否則GAT將無法正常工作；(2)GAT的輸入阻抗略高于BJT，但低于FET，當其工作于高頻狀態(tài)下時，可在輸入回路并一只容量合適的小電容；(3)GAT開關速度非?？?，使用中應注意設法避免或抑制寄生振蕩。