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模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點 - 全文

2018年02月21日 10:26 作者: 用戶評論(0

零極點的理解是模擬電路最關(guān)鍵的基礎(chǔ)之一,信號與系統(tǒng)都會講自然響應(yīng),自然響應(yīng)就是偏微分方程的通解部分,而受迫響應(yīng)則是偏微分方程的特解。本文將詳解零極點與頻率響應(yīng)之間的關(guān)系。

我們從頻率域來分析零極點的影響。從頻率域上,零點和極點會決定系統(tǒng)的頻率響應(yīng)。我們令系統(tǒng)傳輸函數(shù)H(s)中s(=σ+jω) 的實部σ=0而虛部ω仍然是變量,就得到了頻率響應(yīng)函數(shù)H(jω)。頻率響應(yīng)函數(shù)代表系統(tǒng)在恒包絡(luò)正弦小信號輸入時,輸出正弦信號相對輸入正弦信號的幅度和相位變化。頻率響應(yīng)函數(shù)可以表示為:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

頻率響應(yīng)H(jω)是復(fù)數(shù)。其幅度|H(jω)|代表當(dāng)正弦信號頻率為ω時,輸出正弦信號幅度相對輸入正弦信號幅度的比值(即系統(tǒng)的增益),而其相位∠H(jω)則代表輸出正弦信號相對輸入正弦信號的相位變化。根據(jù)高中數(shù)學(xué),頻率響應(yīng)的幅度和相位可以表示為各個零點/極點的貢獻(xiàn):

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

它有一個極點(實部σ=-1,虛部ω=0,其模為1)和一個零點(實部σ=100,虛部ω=0,其模為100)。由于極點的實部小于0,該系統(tǒng)是穩(wěn)定的。當(dāng)ω=0的時候[即DC(直流)響應(yīng)],分母的模為1,相位為0,分子的模為100,相位為π,因此頻率響應(yīng)的幅度為100,相位為π。我們接下來增加一點點ω,讓它等于0.001。這個時候ω遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于極點的模,因此頻率響應(yīng)分母的值和DC時沒有顯著區(qū)別(1+j0.001≈1)。ω也遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于零點的模,因此頻率響應(yīng)分子的值也和DC時基本相同。所以當(dāng)ω的值遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于某個極點/零點的模的時候,該極點/零點的效應(yīng)可以忽略不計。這也是在實際電路設(shè)計中很多頻率遠(yuǎn)高于電路工作頻率的極點/零點在分析的時候可以忽略的原因。當(dāng)ω增加至1時,分母變?yōu)椋╦1+1),此時分母的幅度由DC時的1變?yōu)椤?,相位則由0變?yōu)棣?4。由于ω仍然遠(yuǎn)小于零點(1《《100),分子較DC相比仍然沒有變化。頻率ω=1時對極點是一個轉(zhuǎn)折點:隨著ω繼續(xù)增長,該極點的效應(yīng)漸漸變得顯著。當(dāng)ω=10的時候,ω已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于極點的模,因此頻率響應(yīng)的分母可以近似為jω,相位為π/2。此后隨著ω繼續(xù)增長,分母的模隨之變大,因此在零點發(fā)揮作用前,頻率響應(yīng)的幅度會隨著頻率增大以20dB/dec的速度減小。另一方面,當(dāng)ω增大到遠(yuǎn)大于零點的模(》》100)時,頻率響應(yīng)的分子可以近似為jω,因此分子的相位為π/2,且分子的模隨著頻率增長以20dB/dec的速度增長。此時分子和分母的模都以20dB/dec增長,因此互相抵消,頻率響應(yīng)的幅度不再變化,而相位則由DC時的π變?yōu)?。

H(jω)的幅度和相位

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點


零點和極點對頻率響應(yīng)的效果也可以由s平面零極點圖解釋。上面例子的零極點圖如下:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

開始ω1=0 (即DC響應(yīng)),極點向量的相位為0。之后隨著ω增加,極點向量的長度逐漸增長,相位貢獻(xiàn)θ也逐漸變大。當(dāng)ω等于極點的模的時候(ω2),根據(jù)初中數(shù)學(xué)極點向量的長度變?yōu)镈C時的√2倍,而相位角θ為π/4。之后隨著ω繼續(xù)增長到遠(yuǎn)大于極點的模的時候,極點向量漸漸變得和ω軸平行,此時極點向量的長度近似等于ω,而相位角θ也漸漸逼近π/2。對于零點也可以做類似的分析。這樣圖解分析與之前分析的結(jié)果相同,但是更直觀。

零點和極點對頻率響應(yīng)的影響可以總結(jié)為:

*當(dāng)頻率遠(yuǎn)小于某零點/極點的模時,該零點/極點對頻率響應(yīng)的影響可以忽略。

*當(dāng)頻率接近某極點的模時,該極點的效果漸漸體現(xiàn)。當(dāng)頻率遠(yuǎn)大于該極點時,該極點使得頻率響應(yīng)的幅度以20dB/dec的速度衰減,而相位相對DC產(chǎn)生-π/2的變化。

*共軛極點是一種特殊的極點,它們總是成對出現(xiàn)且共軛極點對的模都相等,因此當(dāng)頻率遠(yuǎn)大于一對共軛極點的模的時候,該共軛極點對會使頻率響應(yīng)的幅度以40dB/dec的速度衰減,而相位相對DC產(chǎn)生-π的變化。而在頻率接近共軛極點對的模的時候,頻率響應(yīng)曲線的變化取決于共軛極點對的位置(詳見下文)。

*當(dāng)頻率接近某零點的模時,該零點的效果漸漸體現(xiàn)。當(dāng)頻率遠(yuǎn)大于該零點時,該零點使得頻率響應(yīng)的幅度以20dB/dec的速度增加。而相位相對DC產(chǎn)生π/2(當(dāng)零點在左半平面)或-π/2(當(dāng)零點在右半平面)的變化。

*頻率響應(yīng)的總體幅度/相位取決于所有零點和極點對幅度/相位的貢獻(xiàn)。

共軛極點對

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

共軛極點對是一類特殊的極點。一對共軛極點(s-p)(s-p*)可以寫作

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點其中ω0為共軛極點的諧振頻率,Q稱作共軛極點的品質(zhì)因數(shù)。

共軛極點對模型最初來源于LC諧振電路,如下圖中的RLC串聯(lián)電路。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

其中共軛極點的諧振頻率ω0=1/√LC即LC tank的諧振頻率,品質(zhì)因數(shù)Q=(1/R)?√(L/C)即為LC tank的品質(zhì)因數(shù),表示在諧振頻率附近每周期LC tank存儲的能量與耗散能量的比值。共軛極點可以由LC tank形成,也可由反饋通路形成。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

共軛極點對的Q值由共軛極點的位置決定。當(dāng)共軛極點的諧振頻率固定而改變品質(zhì)因數(shù)(即固定L和C而改變R)時,共軛極點對的軌跡在以原點為圓心,半徑為ω0的圓上。當(dāng)共軛極點對靠近縱軸時,品質(zhì)因數(shù)變大;而當(dāng)共軛極點對靠近橫軸時,品質(zhì)因數(shù)變小。共軛極點對的品質(zhì)因數(shù)必須大于等于1/2,當(dāng)Q小于1/2時共軛極點對退化為兩個實極點。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

對于傳輸函數(shù)具有共軛極點對的系統(tǒng),系統(tǒng)的自然響應(yīng)中含有包絡(luò)指數(shù)衰減的正弦波。有時候在放大器的瞬時響應(yīng)中會看到衰減震蕩的現(xiàn)象,這種現(xiàn)象就是由共軛極點造成的。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

正弦波的頻率接近諧振頻率ω0,而包絡(luò)的衰減速度取決于Q。Q值約等于包絡(luò)衰減到初始值的1/e時所需要的諧振周期。Q值大時包絡(luò)衰減較慢,反之Q值小時包絡(luò)衰減較快。在放大器設(shè)計中我們往往希望看到settling time比較小的瞬時響應(yīng),因此應(yīng)該避免高Q值得共軛極點對。

共軛極點對另一個重要性質(zhì)是它會引起頻率響應(yīng)的尖峰(peaking)。這一點可以從零極點圖來理解。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

在零極點圖上,有共軛極點p1和p1*,位置在σ±jω0。當(dāng)頻率從ω1(略小于ω0)移動到ω2(等于ω0)時,連接到極點p1*的極點向量長度基本不變,但連接到極點p1的極點長度顯著變短了。因此頻率響應(yīng)在諧振頻率(ω=ω0)處會產(chǎn)生一個尖峰,尖峰的高度隨Q值變大而變大。極端情況是Q值無窮大時,此時p1和p1*都在ω軸上,因此當(dāng)ω=ω0時,連接p1和ω的極點向量長度為0,這樣頻率響應(yīng)的幅度變?yōu)闊o窮大,所以就產(chǎn)生了高度無窮大的尖峰。在設(shè)計需要較小settling time的放大器時我們希望避免明顯的頻率響應(yīng)尖峰(頻率響應(yīng)尖峰明顯=》共軛極點對Q值大=》瞬時響應(yīng)中衰減震蕩持續(xù)時間較長=》settling time較長);但另一方面在設(shè)計寬帶放大器(例如在CML電路中)時我們往往會故意引入頻率響應(yīng)尖峰以增加帶寬。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

頻率響應(yīng)尖峰與Q值的關(guān)系

至此我們回顧了EE215A所需要的電路分析基礎(chǔ)知識。接下來我們將應(yīng)用它們?nèi)シ治鼍唧w電路。

下面我們有請助教哥給大家?guī)韨鬏敽瘮?shù)標(biāo)準(zhǔn)型的補充。

將傳輸函數(shù)寫成標(biāo)準(zhǔn)形式有助于我們迅速畫出頻率響應(yīng)的草圖,這對我們今后分析放大器、鎖相環(huán)的噪音和穩(wěn)定性至關(guān)重要。

一階零極點

之前說的零極點是標(biāo)準(zhǔn)的零極點定義,也可以稱為正向零極點。注意我們要把極點 ,零點寫成歸一化的形式,便于我們將基準(zhǔn)增益拆分出來。在下圖中,基準(zhǔn)增益都是A0

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

逆向極點和逆向零點是新引入的概念。逆向極點的意思是如果從無窮高頻率出發(fā)向DC 移動,頻率響應(yīng)會遇到一個-1斜率滾降(或者叫-20dB/dec如果用分貝)。同理,逆向零點是從無窮高頻率出發(fā)向DC 移動,頻率響應(yīng)會遇到一個+1斜率上升(或者叫-20dB/dec如果用分貝)。逆向極點是由一個在原點的零點和一個在ω1的極點組成。逆向零點由一個在原點的極點和一個在ω1的零點組成。如果我們將傳輸函數(shù)寫成如下的逆向形式而不是一般的正向形式,頻率響應(yīng)就能很快被畫出來。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

正向、逆向極點和零點的相位響應(yīng)曲線大家可以很容易想出來,只要注意頻率變化方向即可,所以就不重復(fù)講了。

靈活運正向、逆向零極點對于分析這對我們今后分析放大器、PLL的噪音和穩(wěn)定性至關(guān)重要。下面舉個例子:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

二階零極點

我們先重新學(xué)習(xí)二次函數(shù)的根的表達(dá)式。我們在高中學(xué)的二次函數(shù)根長這樣:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

但是問題是,這樣的表達(dá)式是高熵的,比如某一個傳輸函數(shù)的分母的根按照傳統(tǒng)高中學(xué)過的表達(dá)式,長這樣:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

你看這個表達(dá)式,長得這么丑,看著就渾身難受。除非你用一個繪圖軟件,并把所有R C的值帶入,否則你沒有辦法快速找出這兩個根的關(guān)系,沒法根據(jù)這個表達(dá)式快速繪出頻率響應(yīng)。更重要的是,你沒有辦法從這個表達(dá)式快速看出要怎樣設(shè)計R C以達(dá)到你的目的。

所以Prof. Abidi(原引Prof. Middlebrook)教育我們要用適合電路設(shè)計的二次函數(shù)根式。

回去看高中根式,其實這個根式用的是兩根之和等于-b/a 的性質(zhì)。但是二次函數(shù)兩根之積還等于c/a,新根式正是運用了兩根之積性質(zhì)。換句話說,高中公式看的是兩根的算術(shù)平均,新根式看的是兩個的幾何平均。不要忘了在對數(shù)刻度中,幾何平均比算術(shù)平均更加有意義,因為兩個刻度的中點是幾何平均。

新根式如下:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

注意看新根式的對稱性!拿到一個二階表達(dá)式,我們只要算Q和ω0就可以了。有同學(xué)會問,那F怎么辦,F(xiàn)不是還是亂糟糟么?其實不然,我們把F和Q的關(guān)系畫一下:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

你看,當(dāng)Q小于0.3的時候,F(xiàn)約等于1。所以我們只要根據(jù)Q的表達(dá)式,估計Q值,如果遠(yuǎn)小于0.3,那么就是兩個實根,一個是-ω0Q,另一個-ω0/Q 啦!

有同學(xué)會問,那Q 在0.3和0.5中間時候怎么辦呢?很簡單,把他們近似成兩個重實根就好了。

如果Q大于0.5,我們就有復(fù)數(shù)根(共振)了。

這樣的表達(dá)式利于具體的電路設(shè)計。我們可以分析電路模型,把ω0和Q用電路元件的參數(shù)表達(dá)出來。之后比如我們可以設(shè)計 ω0以達(dá)到帶寬要求。設(shè)計Q 以達(dá)到穩(wěn)定性要求。

二階帶通

二階帶通標(biāo)準(zhǔn)形式如下,零級點圖中畫的是極點的軌跡(隨Q變化而移動)。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

通過新根式,我們可以畫出幅度頻率響應(yīng)

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

縱軸時|H| 對數(shù)刻度,橫軸是ω對數(shù)刻度。

中間交匯處是H0,ω0。不管Q為何值,幅度響應(yīng)都在ω0通過H0。

當(dāng)Q小于0.3時,雙實根距離很遠(yuǎn),我們有一個正向極點和一個逆向極點。

當(dāng)Q等于1時,兩個漸近線的延長線正好交匯于H0,實際響應(yīng)有一個小尖峰。

當(dāng)Q遠(yuǎn)大于1時,兩個漸近線交匯于H0/Q 很低的一個點,但是|H|還是要過H0,所以有一個很大尖峰。

相位響應(yīng)(近似漸近線)如下:

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

隨著Q增大,角度變化越快。

二階低通與二階帶通類似,只是少了一個零點

標(biāo)準(zhǔn)表達(dá)式如下

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

幅度響應(yīng)如下

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

記住幅度響應(yīng)在ω0時為H0Q,所以當(dāng)Q=1時幅度在ω0時為H0。但這時我們已經(jīng)有微小的尖峰了。

注意幅度的最高點永遠(yuǎn)小于ω0,當(dāng)Q增大時,無限接近于ω0。

二階低通相位響應(yīng)與帶通的類似,只是整體向下移動90°。

同樣地,我們可以定義正向二階極點 零點和反向二階零極點,大家到此應(yīng)該可以想出以下推論了。

模擬集成電路之頻率響應(yīng)分析零極點

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( 發(fā)表人:黃飛燕 )

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