5、IR2110的擴展應(yīng)用

　　單從驅(qū)動PM和IGBT的角度考慮，均不需要柵極負(fù)偏置。Vge=0，完全可以保證器件正常關(guān)斷。但在有些情況下，負(fù)偏置是必要的。這是因為當(dāng)器件關(guān)斷時，其集電極－發(fā)射極之間的dv/dt過高時，將通過集電極－柵極之間的（密勒）電容以尖脈沖的形式向柵極饋送電荷，使柵極電壓升高，而PM，IGBT的門檻電壓通常是3～5V左右，一旦尖脈沖的高度和寬度達(dá)到一定的水平，功率器件將會誤導(dǎo)通，造成災(zāi)難性的后果。而采用柵極負(fù)偏置，可以較好地解決這個問題。

　　5.1具有負(fù)偏壓的IR2110驅(qū)動電路

　　電路如圖3所示。高壓側(cè)和低壓側(cè)的電路完全相同。每個通道分別用了兩只N溝道和兩只P溝道的MOSFET。VD2、C2、R2為VM2的柵極耦合電路，C3、C4、VD3、VD4用于將H0（腳7）輸出的單極性的驅(qū)動信號轉(zhuǎn)換為負(fù)的直流電壓。當(dāng)VCC=15V時，C4兩端可獲得約10V的負(fù)壓。

　　5.2簡單負(fù)偏壓IR2110驅(qū)動電路

　　電路如圖4所示。高壓側(cè)的負(fù)偏壓由C1，VD1，R1產(chǎn)生，R1的平均電流應(yīng)不小于1mA。不同的HV可選擇不同的電阻值，并適當(dāng)考慮其功耗。低壓側(cè)由VCC，R2，C2，VD2產(chǎn)生。兩路負(fù)偏置約為－4.7V。可選擇小電流的齊納二極管。

　　在圖3所示電路中，VM1～VM4如選擇合適的MOSFET，也能同時達(dá)到擴展電流的目的，收到產(chǎn)生負(fù)偏置和擴展電流二合一的功能。

　　6、應(yīng)用實例

　　一臺2kW，三相400Hz，115V/200V的變頻電源。單相50Hz，220V輸入，逆變橋直流干線HV≈300V，開關(guān)頻率fs=13.2kHz。功率模塊為6MBI25L060，用三片IR2110作為驅(qū)動電路，共用一組15V的電源。主電路如圖5所示?？刂齐娐酚?0C196MC構(gòu)成的最小系統(tǒng)組成。圖6為IR2110高壓側(cè)輸出的驅(qū)動信號，圖7為其中一相的輸出波形。

　　圖5應(yīng)用實例

　　7、結(jié)語

　　IR2110是一種性能比較優(yōu)良的驅(qū)動集成電路。無需擴展可直接用于小功率的變換器中，使電路更加緊湊。在應(yīng)用中如需擴展，附加硬件成本也不高，空間增加不大。然而其內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)通道分別有欠壓封鎖保護功能，但與其它驅(qū)動集成電路相比，保護功能略顯不足，可以通過其它保護措施加以彌補。