金線鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁(yè)P(yáng)PT）
2024-11-01 11:08:07
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金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來(lái)達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長(zhǎng)處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此一來(lái)
2025-03-12 15:28:383676 
，走線從細(xì)變寬，會(huì)增加一次反射，那是不是全程按照breakout區(qū)域走線會(huì)比較好？源端匹配電阻是不是也增加了一次反射？ ......小編在此給大家分享下信號(hào)反射的基礎(chǔ)理論知識(shí)，希望對(duì)大家有用。
2015-06-15 17:07:32
MPEG基礎(chǔ)理論和協(xié)議分析MPEG 基礎(chǔ)理論和協(xié)議分析(包括DVB和ATSC)的指南MPEG 是當(dāng)今最流行的音頻/ 視頻壓縮技術(shù)之一。這是因?yàn)樗粌H僅是一個(gè)單獨(dú)的標(biāo)準(zhǔn)，而是一系列以相似理論為基礎(chǔ)且
2008-10-20 17:36:00
PCB布線的直角走線、差分走線和蛇形線基礎(chǔ)理論
2015-05-21 11:48:54
Spark基礎(chǔ)理論及安裝
2019-11-05 09:24:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 編輯
connex金線鍵合機(jī)編程
2012-05-19 09:03:56
基礎(chǔ)理論知識(shí)串行和并行通訊比喻為單車(chē)道和多車(chē)道全雙工、半雙工及單工通訊通訊方式說(shuō)明全雙工在同一時(shí)刻，兩個(gè)設(shè)備之間可以同時(shí)收發(fā)數(shù)據(jù)半雙工兩個(gè)設(shè)備之間可以收發(fā)數(shù)據(jù)，但不能在同一時(shí)刻進(jìn)行單工在任何時(shí)刻都
2022-02-22 06:32:43
目前在做砷化鎵和磷化銦，在研究bongder和debonder工藝， 主要是超薄片很難處理，so暫定臨時(shí)鍵合解鍵合和薄片清洗流程，因?yàn)檎嬗斜Ｗo(hù)可以做背面工藝，這里有前輩做過(guò)這個(gè)嗎？
2018-12-17 13:55:06
請(qǐng)教：最近在書(shū)上講解電感時(shí)提到一個(gè)名詞——鍵合線，望大家能給出通俗詳細(xì)解釋
2014-06-22 13:21:45
問(wèn)題的重要考慮因素，如串?dāng)_、阻抗不連續(xù)性等。對(duì)于低成本應(yīng)用，鍵合線封裝是替代相對(duì)高端的倒裝芯片封裝的首選方案，但它缺乏執(zhí)行大I/O數(shù)、控制阻抗及為芯片提供有效電源的設(shè)計(jì)靈活性?！ ”疚膶⒂懻撏ㄟ^(guò)優(yōu)化封裝內(nèi)
2018-09-12 15:29:27
你都知道單片機(jī)的基礎(chǔ)理論知識(shí)學(xué)習(xí)包括哪些嗎？
2022-01-21 07:20:43
DN247- 雙相高效移動(dòng)CPU電源，可最大限度地減小尺寸和熱應(yīng)力
2019-07-29 11:00:26
找了一圈，發(fā)現(xiàn)做線鍵合機(jī)的比較多，想知道做晶圓鍵合wafer bonding的中國(guó)廠家。
2021-04-28 14:34:57
本文將討論通過(guò)優(yōu)化封裝內(nèi)的阻抗不連續(xù)性和改善其回波損耗性能，以滿(mǎn)足10Gbps SerDes鍵合線封裝規(guī)范。
2021-04-25 07:42:13
電子封裝集成度的不斷提高，集成電路的功率容量和發(fā)熱量也越來(lái)越高，封裝體內(nèi)就 產(chǎn)生了越來(lái)越多的溫度分布以及熱應(yīng)力問(wèn)題 文章建立了基板一粘結(jié)層一硅芯片熱應(yīng)力分析有限元模。利用有限元法分析了芯片／基板
2012-02-01 17:19:01
。
通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和數(shù)據(jù)分析得出金絲與金鋁焊盤(pán)鍵合和鎳鈀金焊盤(pán)鍵合的工藝窗口和關(guān)鍵參數(shù)，使其能滿(mǎn)足在金線線弧高度小于100um、弧長(zhǎng)小于500um的要求下，鍵合后第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)拉力要大于5gf，并
2024-03-10 14:14:51
檢測(cè)技術(shù)基礎(chǔ)理論知識(shí)
2016-11-27 14:51:17
步進(jìn)電機(jī)基礎(chǔ)（3.1）-步進(jìn)電機(jī)的原理與特性之基礎(chǔ)理論前言基本信息公式前言說(shuō)明步進(jìn)電機(jī)的原理與特性之基礎(chǔ)理論3. 1 基礎(chǔ)理論1. 轉(zhuǎn)矩的產(chǎn)生及負(fù)載角1) PM型電機(jī)的轉(zhuǎn)矩及負(fù)載角2) VR型電機(jī)
2021-06-30 07:21:55
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類(lèi)：一類(lèi)是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類(lèi)外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
我覺(jué)得我應(yīng)該寫(xiě)點(diǎn)什么了從去年10月,也就是2019年10月15號(hào)開(kāi)始研究永磁同步驅(qū)動(dòng),一個(gè)漫長(zhǎng)的學(xué)習(xí)過(guò)程終于理解了 磁場(chǎng)定向控制的基礎(chǔ)理論, 實(shí)際操作讓電機(jī)轉(zhuǎn)起來(lái),還是不太容易的.想要轉(zhuǎn)好,難上加難
2021-08-27 06:17:33
請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)的基礎(chǔ)理論需要看那些書(shū)籍啊？？？？？我是新人，請(qǐng)多關(guān)照
2013-09-27 13:21:47
.............................................................5第二章 轎車(chē)外流場(chǎng)數(shù)值模擬的理論基礎(chǔ)..........................................72．1 數(shù)值模擬基礎(chǔ)理論
2009-03-20 11:18:17
一、邏輯與或非基礎(chǔ)理論：邏輯與或非，運(yùn)算對(duì)象是布爾值(1或0，真或假)，類(lèi)似于數(shù)字電路的與門(mén)，或門(mén)，非門(mén)。與關(guān)系運(yùn)算符配合，一般用于選擇語(yǔ)句與循環(huán)語(yǔ)句中1、邏輯與符號(hào)為&&。 參與
2022-01-24 06:30:51
基礎(chǔ)理論及內(nèi)存仿真技術(shù)</strong></font><br/></p><
2009-10-20 16:03:14
一本介紹高速PCB基礎(chǔ)理論及內(nèi)存仿真技術(shù)的經(jīng)典書(shū)籍
2013-05-21 15:59:38
MPEG 基礎(chǔ)理論和協(xié)議分析(包括DVB和ATSC)的指南
MPEG 是當(dāng)今最流行的音頻/ 視頻壓縮技術(shù)之一。這是因?yàn)樗粌H僅是一個(gè)單獨(dú)的標(biāo)準(zhǔn)，而是一系列以相似理論為基礎(chǔ)且適合于不
2008-10-20 17:33:40
40 16單元矩形徑向線螺旋陣列天線的理論分析和數(shù)值模擬:提出了一種16單元矩形徑向線螺旋陣列天線。介紹了該矩形陣列天線的提出背景以及工作原理，分析了兩種電磁組
2009-10-26 21:47:3320 徑向速調(diào)管振蕩器的理論設(shè)計(jì)與數(shù)值模擬:分析了一次性微波源—基于渡越時(shí)間效應(yīng)的徑向速調(diào)管振蕩器的微波產(chǎn)生和起振條件。進(jìn)行了GW級(jí)功率輸出徑向速調(diào)管振蕩器的
2009-10-27 10:01:3815 4單元矩形徑向線螺旋陣列天線的理論分析和數(shù)值模擬:提出了一種便于組合的矩形徑向線螺旋陣列天線。介紹了該矩形陣列天線的提出背景以及工作原理，分析了L型電磁
2009-10-27 10:26:2019 閥控鉛酸蓄電池基礎(chǔ)理論 一、基本概念： 1、電池電壓： a、開(kāi)路電壓：電池在開(kāi)路狀態(tài)下的端電壓。 b、工作電壓
2009-11-04 11:26:4124
USB接口的基礎(chǔ)理論知識(shí)
USB的重要關(guān)鍵字:
2008-10-15 13:08:241143 
原子間的鍵合
1.2.1 金屬鍵???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成鍵合稱(chēng)為金屬鍵。金屬鍵的基本特點(diǎn)是電子的共有化。
2009-08-06 13:29:315913 開(kāi)槽波導(dǎo)3次諧波回旋行波放大管非線性理論與數(shù)值模擬
本文討論了開(kāi)槽圓柱波導(dǎo)的高頻場(chǎng)分布，給出了注波互作用自洽非線性理論.在電子作大回旋
2009-10-21 22:13:241201 
閥控鉛酸蓄電池基礎(chǔ)理論 一、基本概念： 1、電池電壓： a、開(kāi)路電壓：電池在開(kāi)路狀態(tài)下的端電壓。
2009-11-04 11:29:23559 閥控鉛酸蓄電池基礎(chǔ)理論
一、基本概念：
1、電池電壓：a、開(kāi)路電壓：電池在開(kāi)路狀態(tài)下的端電壓。b、工作電壓：電池接通負(fù)荷后在放電過(guò)程
2010-04-19 14:11:552463 Lumex 推出“倒裝晶片”式 TitanBrite 無(wú)線鍵合 LED ，亮度號(hào)稱(chēng)比市場(chǎng)上任何其他 LED 高出15%。除了標(biāo)準(zhǔn)的3W和6W的LED， Lumex 的 TitanBrite 無(wú)線鍵合LED還可提供9W的規(guī)格，確保Lumex的無(wú)線鍵合LED能夠提供業(yè)內(nèi)最高亮度的光源。
2013-07-03 11:40:17868 本文檔介紹了高速PCB基礎(chǔ)理論及內(nèi)存仿真技術(shù)
2016-08-25 15:52:390 高速PCB基礎(chǔ)理論及內(nèi)存仿真技術(shù) 電子書(shū)籍，感興趣的小伙伴們可以瞧一瞧。
2016-11-16 18:32:350 混頻器的基礎(chǔ)理論和應(yīng)用
2017-09-18 16:53:1632 通過(guò)熱、壓力、超聲波等能量使金屬引線與被焊焊盤(pán)發(fā)生原子間擴(kuò)散互溶，實(shí)現(xiàn)芯片電極-鍵合線-基板彼此之間的鍵合連接。 在LED的生產(chǎn)制造中，為了解、評(píng)價(jià)、分析和提高LED的環(huán)境適應(yīng)性，常對(duì)LED進(jìn)行相關(guān)可靠性試驗(yàn)［2］，冷熱沖擊試驗(yàn)
2017-09-28 14:26:4416 引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序，其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 檢測(cè)內(nèi)容： 1. 引線直徑、形貌、成分檢測(cè)、線
2017-10-23 11:52:5714 已有研究表明，鍵合線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）可靠性的主要因素之一。以此為研究背景，首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部鍵合線的結(jié)構(gòu)布局與物理特性，分析鍵合線等效電阻與關(guān)斷暫態(tài)波形的關(guān)系
2018-01-02 11:18:145 變形及熱應(yīng)力破壞。 預(yù)冷是確保LNG工程項(xiàng)目順利投產(chǎn)試運(yùn)行的重點(diǎn)工作。首先用冷的BOG氣體在管路中循環(huán)，冷卻必須慢慢的進(jìn)行，使管路達(dá)到-95℃一1 18℃范圍內(nèi)，方可直接輸送LNG。通過(guò)預(yù)冷使常溫的LNG輸送管道達(dá)到溫度較低工作狀態(tài)，保證了LNG低溫管
2018-01-12 16:49:080 針對(duì)功率模塊引線鍵合部位在溫度循環(huán)作用下的疲勞失效問(wèn)題，對(duì)功率模塊在溫度循環(huán)作用下的疲勞壽命進(jìn)行了研究，利用溫度循環(huán)試驗(yàn)箱對(duì)3種不同封裝材料的功率模塊進(jìn)行了溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)。通過(guò)數(shù)值模擬，結(jié)合子模型技術(shù)
2018-03-08 11:00:071 同時(shí)得到減小。銅線在焊接后能夠形成比金線更穩(wěn)定、剛性更好。? ? ?熟悉半導(dǎo)體封裝的朋友都知道鍵合銅絲這種材料，現(xiàn)在很多大陸半導(dǎo)體公司用的大都是進(jìn)口的鍵合銅絲。但是進(jìn)口的產(chǎn)品就真的要好過(guò)國(guó)內(nèi)嗎？1998
2018-04-24 14:52:552145 ，進(jìn)一步優(yōu)化組織結(jié)構(gòu)，保證得到合適的機(jī)械性能，以滿(mǎn)足不同的需求1，能夠真正應(yīng)用于集成電路等高級(jí)封裝中，部分或全部取代鍵合金絲。鍵合銀絲已廣泛應(yīng)用于LED封裝，IC封閉領(lǐng)域，可使成本下降。它的散熱
2018-04-26 17:28:362713 、應(yīng)變及剪應(yīng)力的分布曲線。模擬結(jié)果表明最大應(yīng)力集中在鍵合層邊角處；軸向最大位移在透鏡與熱沉接觸邊緣；最大剪應(yīng)力集中在鍵合層的邊角區(qū)域。通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試了LED 基板底面中心點(diǎn)的溫度變化，與仿真結(jié)果相符合，研究了各層材料導(dǎo)熱系數(shù)對(duì)LED 溫度場(chǎng)和應(yīng)力場(chǎng)分布的影
2018-10-24 09:38:256679 熱沖擊是指由于急劇加熱或冷卻，使物體在較短的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生大量的熱交換，溫度發(fā)生劇烈的變化時(shí)，該物體就要產(chǎn)生沖擊熱應(yīng)力，這種現(xiàn)象稱(chēng)為熱沖擊。金屬材料受到急劇的加熱和冷卻時(shí)，其內(nèi)部將產(chǎn)生很大的溫差，從而
2019-05-17 10:52:547405 SLM成型過(guò)程溫度可達(dá)到幾百上千度，溫度變化較大，容易產(chǎn)生熱應(yīng)變、熱應(yīng)力，致使SLM成型件內(nèi)部存在殘余應(yīng)力。
2019-12-19 14:29:131919 LED是一種直接將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體光源，具有節(jié)能、環(huán)保、安全、壽命長(zhǎng)、低功耗等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領(lǐng)域。
2019-12-19 15:14:521898 SLM成型過(guò)程溫度可達(dá)到幾百上千度，溫度變化較大，容易產(chǎn)生熱應(yīng)變、熱應(yīng)力，致使SLM成型件內(nèi)部存在殘余應(yīng)力。
2020-03-07 14:23:402619 SLM成型過(guò)程溫度可達(dá)到幾百上千度，溫度變化較大，容易產(chǎn)生熱應(yīng)變、熱應(yīng)力，致使SLM成型件內(nèi)部存在殘余應(yīng)力。
2020-03-18 11:40:513416 基礎(chǔ)理論知識(shí)包括模擬電路、數(shù)字電路和C語(yǔ)言知識(shí)。模擬電路和數(shù)字電路屬于抽象學(xué)科，要把它學(xué)好還得費(fèi)點(diǎn)精神。在你學(xué)習(xí)單片機(jī)之前，覺(jué)得模擬電路和數(shù)字電路基礎(chǔ)不好的話，不要急著學(xué)習(xí)單片機(jī)，應(yīng)該先回顧所學(xué)過(guò)的模擬電路和數(shù)字電路知識(shí)，為學(xué)習(xí)單片機(jī)加強(qiáng)基礎(chǔ)。
2020-05-30 10:45:134805 Avago Technologies用于測(cè)量特定應(yīng)用中安裝的LED組件的結(jié)溫和引腳溫度的熱測(cè)試系統(tǒng)。 通常，對(duì)LED組件進(jìn)行熱測(cè)試的目的是測(cè)量結(jié)溫到環(huán)境的溫升，以確保不超過(guò)最大結(jié)溫。LED組件在高于最大結(jié)溫的溫度下的溫度循環(huán)往往會(huì)導(dǎo)致金線鍵合產(chǎn)生過(guò)度的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致過(guò)早
2021-05-13 09:47:175303 
銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離LED死燈的案子時(shí)常發(fā)生，大家通常爭(zhēng)論是鍍銀層結(jié)合力差的問(wèn)題，還是鍵合線工藝問(wèn)題，而本案例，金鑒從百格實(shí)驗(yàn)和FIB截面觀察的角度來(lái)判定為鍵合工藝導(dǎo)致。
2021-05-16 11:53:123593 
DN247-雙相高效移動(dòng)CPU電源將體積和熱應(yīng)力降至最低
2021-05-27 08:50:246 引線鍵合是LED封裝制造工藝中的主要工序，其作用是實(shí)現(xiàn)LED芯片電極與外部引腳的電路連接。引線鍵合工藝的方法和質(zhì)量直接影響著LED燈珠的可靠性和成本。 服務(wù)客戶(hù)： LED封裝廠 檢測(cè)手段： 掃描電鏡
2021-11-21 11:15:262519 今天給大家?guī)?lái)一篇實(shí)戰(zhàn)案例，本案例旨在運(yùn)用之前學(xué)習(xí)的時(shí)間序列分析和預(yù)測(cè)基礎(chǔ)理論知識(shí)，用一個(gè)基于交通數(shù)據(jù)的實(shí)際案例數(shù)據(jù)演示這些方法是如何被應(yīng)用的。
2022-03-16 14:05:003421 單片機(jī)基礎(chǔ)理論知識(shí)包括模擬電路、數(shù)字電路和C語(yǔ)言知識(shí)，模擬電路與數(shù)字電路屬于抽象學(xué)科，要把這些學(xué)好還得費(fèi)點(diǎn)功夫，但是在學(xué)習(xí)單片機(jī)之前，覺(jué)得自己模擬電路和數(shù)字電路基礎(chǔ)不好的話，先不要急著入門(mén)單片機(jī)
2022-03-30 17:19:065760 
實(shí)驗(yàn)室采用高溫貯存試驗(yàn)、溫度循環(huán)試驗(yàn)、高溫高濕試驗(yàn)或高加速熱應(yīng)力試驗(yàn)等對(duì)銅絲鍵合可靠性進(jìn)行評(píng)估，結(jié)果均顯示銅絲鍵合具有非常好的使用壽命。
2022-12-28 09:52:345511 金絲鍵合質(zhì)量的好壞受劈刀、鍵合參數(shù)、鍵合層鍍金質(zhì)量和金絲質(zhì)量等因素的制約。傳統(tǒng)熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲鍵合或楔形鍵合和球形鍵合分別在不同情況下可以得到最佳鍵合效果。工藝人員針對(duì)不同焊盤(pán)尺寸所制定
2023-02-07 15:00:256593 金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力，因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力，希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來(lái)代替金線鍵合。
2023-02-13 09:21:414689 金價(jià)不斷上漲增加了半導(dǎo)體制造業(yè)的成本壓力，因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力，希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當(dāng)甚至更好的銅線來(lái)代替金線鍵合。
2023-03-02 16:14:561979 晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過(guò)拋光的半導(dǎo)體晶圓，在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起，該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異
2023-06-14 09:46:273533 
安泰電子誠(chéng)邀您蒞臨觀摩2023年3月31日-4月2日，第四屆全國(guó)熱應(yīng)力大會(huì)將在重慶隆重召開(kāi)，屆時(shí)Aigtek安泰電子將攜一眾明星產(chǎn)品及專(zhuān)業(yè)測(cè)試解決方案亮相本次展會(huì)，我們誠(chéng)邀您蒞臨重慶科苑戴斯酒店，2
2023-03-28 16:23:131390 
第四屆全國(guó)熱應(yīng)力大會(huì)2023年4月2日，第四屆全國(guó)熱應(yīng)力大會(huì)在重慶完美落下帷幕，作為我國(guó)熱應(yīng)力領(lǐng)域的年度盛會(huì)，本次大會(huì)匯聚業(yè)內(nèi)眾多科研工作者參加。作為國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的民族測(cè)試儀器制造商，本屆大會(huì)
2023-04-10 11:23:231205 本文要點(diǎn)多層PCB有很多優(yōu)點(diǎn)，但是，多層結(jié)構(gòu)也會(huì)給電路板帶來(lái)熱應(yīng)力問(wèn)題。熱應(yīng)力分析是一種溫度和應(yīng)力分析方法，用于確定多層PCB中的熱應(yīng)力點(diǎn)。熱應(yīng)力分析結(jié)果有助于PCB設(shè)計(jì)人員構(gòu)建可靠、穩(wěn)健和經(jīng)過(guò)優(yōu)化
2023-04-13 15:15:352590 
介紹了封裝鍵合過(guò)程中應(yīng)用的銀合金鍵合線與鋁墊之間形成的共金化合物（IMC），提出了侵蝕對(duì)IMC的影響，由于銀合金線IMC不能通過(guò)物理方法確認(rèn)，需通過(guò)軟件測(cè)量計(jì)算和化學(xué)腐蝕試驗(yàn)得到IMC覆蓋面積。詳述
2023-10-20 12:30:023369 
一個(gè)典型的SerDes通道包含使用兩個(gè)單獨(dú)互連結(jié)構(gòu)的互補(bǔ)信號(hào)發(fā)射器和接收器之間的信息交換。兩個(gè)端點(diǎn)之間的物理層包括一個(gè)連接到子卡的鍵合線封裝或倒裝芯片封裝的發(fā)射器件。子卡通過(guò)一個(gè)連接器插在背板上。背板上的路由通過(guò)插入的子卡連接到一個(gè)或一組連接器。采用鍵合線或倒裝芯片封裝的接收芯片也位于這些子卡上。
2023-11-06 15:27:291063 
pcb熱應(yīng)力試驗(yàn)
2023-11-10 10:11:502441 多層 PCB 的熱應(yīng)力分析
2023-11-27 15:35:012002 
通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行大面陣碲鎘汞芯片的熱應(yīng)力分析不僅耗時(shí)長(zhǎng)、成本高，而且對(duì)于微米尺度的陣列單元分析難度高。近年來(lái)，利用基于數(shù)值計(jì)算的模擬仿真方法進(jìn)行碲鎘汞芯片的熱應(yīng)力分析受到了人們廣泛的關(guān)注及研究。近年來(lái)
2023-11-26 10:48:392600 
超聲楔形鍵合、金絲熱聲球形鍵合、金絲熱壓楔形鍵合。對(duì)層狀結(jié)構(gòu)的焊盤(pán)在熱聲和熱壓鍵合的應(yīng)力仿真對(duì)比分析，得出鍵合各因素的重要性排序?yàn)槌暪β省?b class="flag-6" style="color: red">鍵合壓力、襯底加熱溫度和劈刀溫度。通過(guò)正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)，找到鋁焊盤(pán)上較為適宜的鍵
2024-02-02 16:51:482915 
共讀好書(shū) 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要： 鍵合對(duì)設(shè)備性能和人員技能的要求極高，屬于關(guān)鍵控制工序，鍵合質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對(duì)鍵合的影響因素進(jìn)行整體把控，有針對(duì)性地控制
2024-02-02 17:07:181762 
金絲鍵合強(qiáng)度測(cè)試儀是測(cè)量引線鍵合強(qiáng)度，評(píng)估鍵合強(qiáng)度分布或測(cè)定鍵合強(qiáng)度是否符合有關(guān)的訂購(gòu)文件的要求。鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)鍵合的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:592227 
在微電子封裝領(lǐng)域，金絲鍵合（Wire Bonding）工藝作為一種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù)，扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過(guò)細(xì)金屬線（主要是金絲）將芯片上的焊點(diǎn)與封裝基板或另一芯片上的對(duì)應(yīng)焊點(diǎn)連接起來(lái)
2024-08-16 10:50:144903 
引線鍵合廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體行業(yè)和微電子領(lǐng)域。它實(shí)現(xiàn)了集成電路（IC）中芯片與其他電子元件（如晶體管和電阻）之間的互連。引線鍵合通過(guò)在芯片的焊盤(pán)與封裝基板或其他芯片上的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)之間建立電氣連接
2024-10-16 09:23:522457 
作者：是德科技產(chǎn)品經(jīng)理 Shawn Lee 鍵合線廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和微電子領(lǐng)域。它能夠?qū)⒓呻娐罚↖C）中的裸片與其他電子元器件（如晶體管和電阻器）進(jìn)行連接。鍵合線可在芯片的鍵合焊盤(pán)
2024-10-21 09:32:43791 
BGA（球柵陣列封裝）是一種常見(jiàn)的集成電路封裝技術(shù)，它具有接觸面積大、信號(hào)傳輸效率高等優(yōu)點(diǎn)。然而，BGA焊點(diǎn)位于器件底部，不易檢測(cè)和維修，而且由于BGA功能高度集成，焊點(diǎn)容易受到機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力
2024-11-06 08:55:421633 
晶圓鍵合是十分重要的一步工藝，本文對(duì)其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓鍵合膠？ 晶圓鍵合膠（wafer bonding adhesive）是一種用于
2024-11-14 17:04:443586 
一、超聲鍵合輔助的多層鍵合技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層鍵合技術(shù)： 在超聲鍵合微流控芯片多層鍵合研究中，有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對(duì)比了大量鍵合方法，認(rèn)為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:001070 
線鍵合與倒裝芯片作為封裝技術(shù)中兩大重要的連接技術(shù)，各自承載著不同的使命與優(yōu)勢(shì)。那么，芯片倒裝（Flip Chip）相對(duì)于傳統(tǒng)線鍵合（Wire Bonding）究竟有哪些優(yōu)勢(shì)呢？倒裝芯片在封裝技術(shù)演進(jìn)
2024-11-21 10:05:152312 
摘要： 基于Ａｎｓｙｓ有限元軟件，采用三級(jí)子模型技術(shù)對(duì)多層銅互連結(jié)構(gòu)芯片進(jìn)行了三維建模。研究了１０層銅互連結(jié)構(gòu)總體互連線介電材料的彈性模量和熱膨脹系數(shù)對(duì)銅互連結(jié)構(gòu)熱應(yīng)力的影響，在此基礎(chǔ)上對(duì)總體互連
2024-12-03 16:54:471484 
微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，它通過(guò)金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連，實(shí)現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下，金屬引線與基板之間的連接可以達(dá)到原子級(jí)別的鍵
2024-12-24 11:32:042832 
引線鍵合是一種將裸芯片的焊墊與封裝框架的引腳或基板上的金屬布線焊區(qū)通過(guò)金屬引線（如金線、銅線、鋁線等）進(jìn)行連接的工藝。 這一步驟確保了芯片與外部電路的有效電氣連接和信號(hào)傳輸。 鍵合前的等離子體清洗 在引線鍵合之前，通常需
2025-01-02 10:18:012679 
線鍵合（WireBonding）線鍵合是一種使用細(xì)金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤(pán)緊密焊合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會(huì)發(fā)
2025-01-06 12:24:101966 
金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng)，在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411922 
鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽(yáng)極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶金屬的中間層鍵合技術(shù)主要包括共晶鍵合、焊料鍵合、熱壓鍵合和反應(yīng)鍵合等。本文主要對(duì)共晶鍵合進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:522636 
汽車(chē)電子產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性對(duì)于現(xiàn)代汽車(chē)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懙狡?chē)的性能和安全。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)下的鍵合線剪切試驗(yàn)是評(píng)估這些電子產(chǎn)品中關(guān)鍵連接點(diǎn)強(qiáng)度的重要手段。汽車(chē)電子的可靠性保障：鍵合線
2025-06-03 15:11:29561 
打線鍵合就是將芯片上的電信號(hào)從芯片內(nèi)部“引出來(lái)”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤(pán)（bond pad）和支架（如引線框架或基板）之間做電連接。
2025-06-03 18:25:491870 鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù)，通過(guò)超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤(pán)的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形，使得鍵合點(diǎn)兩端同樣呈楔形，因而該技術(shù)也被叫做楔形壓焊。超聲焊工藝較為復(fù)雜，鍵合劈刀的運(yùn)動(dòng)、線夾動(dòng)作
2025-07-16 16:58:241461 一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中，鍵合線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn)，芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關(guān)聯(lián)。當(dāng)芯片表面平整度不佳時(shí)，鍵合線與芯片連接部位易出現(xiàn)應(yīng)力集中
2025-09-02 10:37:351788 
一、引言 在 IGBT 模塊散熱系統(tǒng)中，封裝底部與散熱器的貼合狀態(tài)直接影響熱傳導(dǎo)效率。研究發(fā)現(xiàn)，貼合面平整度差不僅導(dǎo)致散熱性能下降，還會(huì)通過(guò)力學(xué)傳遞路徑引發(fā)鍵合線與芯片連接部位的應(yīng)力集中，最終造成鍵
2025-09-07 16:54:001684 在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162062 
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