閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導(dǎo)電溝道。有幾種方法可以確定
2025-11-08 09:32:38
7048 
針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的串?dāng)_問(wèn)題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過(guò)大 的原因
2023-06-05 10:14:218498 
偏 HTGB試驗(yàn)；其次，針對(duì)高壓SiC MOSFET 的特點(diǎn)進(jìn)行了漏源反偏時(shí)柵氧電熱應(yīng)力的研究。試驗(yàn)結(jié)果表明，在高壓 SiC MOSFET 中，漏源反偏時(shí)柵氧的電熱應(yīng)力較大，在設(shè)計(jì)及使用時(shí)應(yīng)尤為注意。
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問(wèn)題一直是制約其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗(yàn)證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-03-24 17:43:272363 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。
2025-03-26 17:42:302015 
了市場(chǎng)上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結(jié)構(gòu)的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，這種結(jié)構(gòu)更能夠發(fā)揮
2023-03-18 00:07:006425 
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測(cè)量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
問(wèn)題，因此，需要增加緩沖吸收電路來(lái)抑制 SiC 模塊關(guān)斷過(guò)程中因振蕩帶來(lái)的尖峰電壓過(guò)高的問(wèn)題 。文獻(xiàn) [7-11] 通過(guò)對(duì)雙脈沖電路進(jìn)行仿真和實(shí)驗(yàn)研究，給出了緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，但都是以關(guān)斷
2025-04-23 11:25:54
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測(cè)量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開(kāi)關(guān)器件大多都配有用來(lái)冷卻的散熱器，在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無(wú)法將電壓
2022-09-20 08:00:00
測(cè)量高速信號(hào)快速的、比較干凈的測(cè)量方法是什么
2021-05-07 07:13:16
測(cè)量方法的分類1) 直接測(cè)量與間接測(cè)量(1) 直接測(cè)量直接測(cè)量是直接得到被測(cè)量值的測(cè)量方法。例如用直流電壓表測(cè)量穩(wěn)壓電源的輸出 電壓等。(2) 間接測(cè)量與直接測(cè)量不同，間接測(cè)量是利用直接測(cè)量的量與被
2017-06-15 10:08:31
LED亮度調(diào)節(jié)、電機(jī)轉(zhuǎn)速控制等。而在某些特殊應(yīng)用中，我們也需要通過(guò)測(cè)量輸入PWM的占空比，來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的輸出控制，這就需要使用到PWM占空比的測(cè)量方法。這里介紹三種不同的測(cè)量方法：阻塞方式、中斷方式以及定時(shí)器捕獲功能。
2021-02-03 07:52:09
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測(cè)試是去掉了鱷魚(yú)夾，使用接地彈簧就近測(cè)量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過(guò)了半個(gè)小時(shí)的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測(cè)量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測(cè)量對(duì)于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
管理和控制，其前提是必須準(zhǔn)確而又可靠的獲得電池現(xiàn)存的容量參數(shù)。電池的電壓及溫度是和電池容量密切相關(guān)的兩個(gè)參數(shù)，因此精確采集單體電池電壓及溫度是十分重要的。 二、常用測(cè)量方法分析 1、單體電池電壓測(cè)量方法
2011-09-01 11:17:35
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測(cè)試方法，對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
什么是SPWMSPWM示波器的測(cè)量方法
2021-03-29 08:29:26
系統(tǒng)檢測(cè)過(guò)程中，需要運(yùn)用到各種各樣的傳感器，傳感器的測(cè)量方法以及性能是檢測(cè)任務(wù)是否能夠順利完成的關(guān)鍵性因素。在實(shí)際操作過(guò)程中，需針對(duì)不同的檢測(cè)目的和具體情況進(jìn)行分析，然后找出切實(shí)可行的測(cè)量方法，再
2018-11-07 16:20:22
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
許多的資料顯示，許多的EMC問(wèn)題都是由共模及差模干擾引起的，那么在單板調(diào)試過(guò)程中，有沒(méi)有什么好的辦法對(duì)電路板上的共模和差模電壓進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量用的儀器比如示波器，測(cè)量方法什么的。請(qǐng)各位大佬賜教
2018-05-27 14:58:57
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
振動(dòng)頻率是指與無(wú)源晶振（晶體諧振器）一起工作的振蕩電路的實(shí)際頻率。振動(dòng)頻率由無(wú)源晶體諧振器決定，并受MCU、外部負(fù)載電容、PCB雜散電容等的影響。測(cè)量方法（一）振動(dòng)頻率通過(guò)以下方程來(lái)計(jì)算。負(fù)載
2020-07-06 17:21:09
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
來(lái)自MPS的科普視頻，介紹了一些最基本的紋波測(cè)量方法，歡迎探討交流！ ...
2022-01-03 07:19:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
，在測(cè)量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測(cè)量方法。（1）如同測(cè)量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測(cè)量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
的源-測(cè)量測(cè)試方法可以定量測(cè)量阻抗、電導(dǎo)和電阻，這些測(cè)量值揭示材料的關(guān)鍵性能。即便材料最終并非應(yīng)用于電路，這種測(cè)量方法仍然適用。 需要注意的問(wèn)題 測(cè)量納米微粒需要重點(diǎn)注意以下情況： 1. 納米微粒無(wú)法
2009-10-14 15:58:21
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
請(qǐng)問(wèn)電機(jī)參數(shù)的含義及測(cè)量方法是什么？
2021-10-19 08:54:17
高壓電壓及電流測(cè)量方法是什么？
2021-11-05 08:03:59
21520 負(fù)責(zé)控制 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)過(guò)程。
為確保測(cè)量精度，漏源電壓和柵極電壓采用光隔離電壓探頭（Micsig MOIP200P）進(jìn)行測(cè)量，該探頭具有200 MHz帶寬、180dB的高
2025-04-08 16:00:57
基于太陽(yáng)仿真器的測(cè)量方法
2009-02-23 21:57:14
15 測(cè)量微弱的電壓信號(hào)時(shí)。測(cè)量系統(tǒng)中熱電勢(shì)的影響不能忽略。本文所討論的基于增量模型的變極性測(cè)量方法是消除測(cè)量系統(tǒng)中熱電勢(shì)干擾的一種處理方法。這種方法將一個(gè)完整的
2009-06-06 13:59:0519 模擬測(cè)量方法和數(shù)字測(cè)量方法：高內(nèi)阻回路直流電壓的測(cè)量，交流電壓的表征與測(cè)量方法，低頻電壓的測(cè)量，等內(nèi)容。
2009-07-13 15:53:330 測(cè)量方法:以RPM（每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)）為單位的轉(zhuǎn)速測(cè)定用下面三種典型的方法之一來(lái)完成。
1．機(jī)械轉(zhuǎn)速測(cè)量
由機(jī)械測(cè)量傳感器進(jìn)行數(shù)據(jù)采集是測(cè)量RPM的傳統(tǒng)方法。傳感器中
2009-09-06 22:49:57119 提出一種新的三維坐標(biāo)測(cè)量方法，該方法基于雙目視覺(jué)、雙頻光柵投影、相移和三角測(cè)量等測(cè)量方法。測(cè)量系統(tǒng)采用兩個(gè)攝像機(jī)記錄投影光柵，通過(guò)分析雙頻投影條紋不同柵距的
2010-01-22 12:10:3820 熱工測(cè)量的概念和測(cè)量方法
本章講述了測(cè)量及測(cè)量誤差的基本概念，測(cè)量的一般方法，
2010-09-14 15:59:2912 頻率測(cè)量方法的改進(jìn)
2010-10-14 16:41:0020 電力功率測(cè)量方法
從大的方面來(lái)看，很多領(lǐng)域都需要功率測(cè)量，而且不同領(lǐng)域功率測(cè)量的方法是大不相同的。例如
2008-12-04 11:27:413331 
關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
0 引 言
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是GTR和MOSFET的一種新型復(fù)合器件，自問(wèn)世以來(lái)就以輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)速度快，通態(tài)
2009-11-23 10:33:412706 
本文提出的基于移位寄存陣控制的單體電池電壓及溫度測(cè)量方法，可實(shí)現(xiàn)串聯(lián)電池組的電壓及溫度的巡檢，巡檢的電池?cái)?shù)量可靈活的增加和減少。相對(duì)于其他的測(cè)量方法，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔明了
2011-08-22 11:11:544714 
基于油罐液位測(cè)量方法的研究
2017-01-22 13:38:0813 一種交流電壓的間接測(cè)量方法及其應(yīng)用_陳靜
2017-03-19 11:46:134 基于電阻鏈移相的時(shí)柵高速測(cè)量方法研究_索龍博
2017-03-19 19:19:352 VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計(jì)算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開(kāi)關(guān)MOS(如果MOS沒(méi)有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
2018-09-23 11:17:008802 基于聲卡的直流信號(hào)測(cè)量方法分析(通信電源技術(shù)期刊幾類)-該資料為?基于聲卡的直流信號(hào)測(cè)量方法分析
2021-09-28 11:54:3512 ? GIS回路電阻測(cè)量方法根據(jù)測(cè)量的模式不同可以分為傳統(tǒng)GIS回路電阻測(cè)量方法和智能GIS回路電阻測(cè)量方法，接下來(lái)登豐電力帶大家熟悉一下傳統(tǒng)GIS回路電阻測(cè)量方法和智能GIS回路電阻測(cè)量方法。 傳統(tǒng)
2021-11-18 18:01:012779 
本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發(fā)散振蕩）的性能，并研究了它們?cè)诶昧?b class="flag-6" style="color: red">電壓開(kāi)關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:453909 
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開(kāi)關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452722 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會(huì)給波形測(cè)量結(jié)果帶來(lái)很大影響。?如果延長(zhǎng)線較長(zhǎng)，在柵極引腳和源極引腳與測(cè)量夾具之間形成的環(huán)路會(huì)導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形完全不同，因此，連接時(shí)要確保這個(gè)環(huán)路最小。
2023-02-09 10:19:221275 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在某些位置測(cè)量波形時(shí)，觀測(cè)到的波形可能與實(shí)際波形不同。?理想的做法是測(cè)量位置要應(yīng)盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22870 
MOSFET手冊(cè)推薦柵源電壓-4/15V；模塊給出的都是-5/20V的推薦驅(qū)動(dòng)電壓，實(shí)際調(diào)研過(guò)程中模塊用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模塊建議開(kāi)通電壓17 20V，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗，關(guān)斷電壓-5V
2023-02-27 14:41:0910 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:343040 
運(yùn)放失調(diào)電壓測(cè)量方法 運(yùn)放失調(diào)電壓是運(yùn)放非理想性質(zhì)的一種，它是運(yùn)放輸入端所需的偏置電壓與實(shí)際給的偏置電壓之間的差值。這種差異會(huì)影響整個(gè)電路的性能，因此對(duì)于電路設(shè)計(jì)和測(cè)試來(lái)說(shuō)，準(zhǔn)確測(cè)量運(yùn)放失調(diào)電壓
2023-09-22 18:23:555485 SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
蓄電池?zé)o負(fù)載和有負(fù)載電壓測(cè)量方法 蓄電池是一種儲(chǔ)存電能的裝置，廣泛應(yīng)用于汽車、UPS電源、太陽(yáng)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在使用蓄電池時(shí)，需要了解其電壓情況，以確保其正常工作和維護(hù)。本文將介紹蓄電池?zé)o負(fù)載和有負(fù)載
2024-01-05 14:04:074935 電阻是電路中常見(jiàn)的基本元件，其測(cè)量方法主要有以下幾種：直流電橋法、直流電壓比較法、萬(wàn)用表測(cè)量法、數(shù)字多用表測(cè)量法、數(shù)字電橋法、示波器法、恢復(fù)法等。下面將詳細(xì)介紹這些測(cè)量方法。 直流電橋法是一種經(jīng)典
2024-01-14 14:52:026451 中間繼電器線圈電壓是指控制繼電器開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電壓。測(cè)量中間繼電器線圈電壓的目的是為了驗(yàn)證電壓是否在有效范圍內(nèi)，以確保繼電器正常工作。下面將介紹幾種常用的中間繼電器線圈電壓的測(cè)量方法。 一、直接測(cè)量
2024-02-05 16:38:598112 MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來(lái)的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現(xiàn)象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的柵源振蕩是指在工作過(guò)程中，出現(xiàn)的柵極與源極之間產(chǎn)生
2024-03-27 15:33:283305 在柵極電荷方法中，將固定測(cè)試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測(cè)量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
2024-04-10 14:22:023592 
數(shù)字示波器是一種廣泛應(yīng)用于電子測(cè)量領(lǐng)域的儀器，它能夠?qū)崟r(shí)顯示電壓波形，幫助工程師和技術(shù)人員對(duì)電子信號(hào)進(jìn)行分析和測(cè)量。數(shù)字示波器的測(cè)量方法有很多種，不同的測(cè)量方法適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。以下是三種常見(jiàn)
2024-07-17 18:02:023788 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 可控硅整流器的測(cè)量方法多種多樣，主要包括直流電壓測(cè)量、電流測(cè)量、觸發(fā)脈沖測(cè)量以及電阻測(cè)量等。每種方法都有其特定的操作步驟和注意事項(xiàng)，以確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下將詳細(xì)介紹這些測(cè)量方法及相應(yīng)的注意事項(xiàng)。
2024-10-07 16:38:003304 普源示波器作為電子測(cè)試領(lǐng)域的重要工具，能夠準(zhǔn)確捕捉和分析電路中的電壓和電流波形，其時(shí)間精度測(cè)量在電子電路設(shè)計(jì)和故障診斷中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將詳細(xì)介紹普源示波器時(shí)間精度的測(cè)量方法，包括測(cè)量
2025-04-03 18:02:141087 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論