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3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開(kāi)啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V～20V時(shí)才能完全開(kāi)通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)中單管MOSFET手冊(cè)推薦柵源電壓-4/15V；模塊給出的都是-5/20V的推薦驅(qū)動(dòng)電壓，實(shí)際調(diào)研過(guò)程中模塊用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模塊建議開(kāi)通電壓17 20V，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗，關(guān)斷電壓-5V
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