新潔能最具有核心競(jìng)爭(zhēng)力

　　公司簡(jiǎn)介：

　　公司實(shí)力：（科技實(shí)力強(qiáng)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)航者）

　　新潔能(605111)股份有限公司成立于2013年，2020年在上交所主板上市。公司自成立以來(lái)，始終專注于半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)，具備獨(dú)立的MOSFET和IGBT芯片設(shè)計(jì)能力和自主的工藝技術(shù)平臺(tái)，是國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結(jié)功率MOSFET的企業(yè)之一，也是國(guó)內(nèi)最早在12英寸工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產(chǎn)的企業(yè)之一，在國(guó)內(nèi)MOSFET等功率器件市場(chǎng)占有率排名前列，2016年-2020年連續(xù)五年被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。

　　公司管理人：(半導(dǎo)體行業(yè)牛人，股東實(shí)力強(qiáng)）

　　實(shí)控人為公司創(chuàng)始人，公司股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。創(chuàng)始人朱袁正持有公司23.34%的股份，是公司實(shí)際控制人，同時(shí)朱袁正分別與葉鵬等10名股東簽訂了一致行動(dòng)協(xié)議，因此可控制的股權(quán)比例為26.72%。朱袁正先生是公司創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)和總經(jīng)理，本科和碩士分別畢業(yè)于吉林大學(xué)半導(dǎo)體化學(xué)專業(yè)和新加坡國(guó)立大學(xué)Computer and Power Engineering專業(yè)，曾任職于中國(guó)華晶電子、新加坡微電子研究院、德國(guó)西門(mén)子松下、無(wú)錫華潤(rùn)上華以及蘇州硅能半導(dǎo)體等公司。朱袁正先生在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)擁有長(zhǎng)達(dá)30多年的研究和工作經(jīng)歷，發(fā)明設(shè)計(jì)的專利數(shù)量達(dá)到97項(xiàng)，同時(shí)掌握半導(dǎo)體工藝、器件設(shè)計(jì)及應(yīng)用，擁有對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)和技術(shù)發(fā)展敏銳的前瞻性判斷，是國(guó)內(nèi)MOSFET等半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域研究及產(chǎn)業(yè)化的親歷者和先行者，亦是公司實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化的核心人物。此外，其他主要股東還有業(yè)內(nèi)知名投資機(jī)構(gòu)達(dá)晨創(chuàng)投、國(guó)聯(lián)創(chuàng)投、君熠投資等以及國(guó)有控股上市公司上海貝嶺

　　一、新潔能主產(chǎn)品MOSFET格局

　　有對(duì)比才能看出差距，先看新潔能的主營(yíng)業(yè)務(wù)，招股書(shū)里說(shuō)公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)為MOSFET與IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件，模式為Fabless。但是通過(guò)2020年年報(bào)可知公司營(yíng)收中功率器件收入占比82%，業(yè)務(wù)主要分布于境內(nèi)。其功率器件主要是MOSFET，上一篇分析的斯達(dá)半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體里IBGT模塊龍頭，新潔能則是MOSFET細(xì)分領(lǐng)域龍頭。模式上，功率半導(dǎo)體的理想模式是IDM，即自研自產(chǎn)自銷，而斯達(dá)半導(dǎo)和新潔能則是Fabless模式，如果說(shuō)它倆還有什么相似的地方，那就是有共同的對(duì)標(biāo)公司英飛凌了。

　　英飛凌不光在IGBT上技術(shù)領(lǐng)先，其在MOSFET上也處于領(lǐng)先地位。國(guó)內(nèi)公司在產(chǎn)品方面以華潤(rùn)微、士蘭微、華微電子與新潔能為代表，有著較為完備的產(chǎn)品體系，本土頭部企業(yè)的MOSFET產(chǎn)品線也基本上做到比較完整的電壓、電流覆蓋。此外，聞泰科技則通過(guò)外延并購(gòu)，將汽車MOSFET/二極管領(lǐng)先供應(yīng)商安世半導(dǎo)體收入麾下，有望是我國(guó)MOSFET的車規(guī)供應(yīng)能力實(shí)現(xiàn)快速提升。

　　同為功率半導(dǎo)體，IGBT的技術(shù)難度要高于MOSFET，但是MOSFET的國(guó)產(chǎn)化程度更低。其主要原因是MOSFET在汽車上的應(yīng)用總價(jià)值量相對(duì)IGBT更少，即在整車成本中的占比更小，采用國(guó)產(chǎn)器件對(duì)于車企降本的邊際作用更小。其次汽車MOSFET應(yīng)用更為廣泛，且多為低壓、輔助系統(tǒng)，并未像IGBT那樣重要。除此MOSFET作為比較標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)外MOSFET供應(yīng)商眾多，供應(yīng)安全總體更有保障，建立國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈的迫切性相對(duì)次之。所以目前國(guó)內(nèi)企業(yè)專注產(chǎn)品研發(fā)與制造工藝、封裝能力的不斷提升，未來(lái)有希望全面進(jìn)入車規(guī)MOSFET產(chǎn)品的供應(yīng)，提升獲利能力。

　　二、新潔能特點(diǎn)

　　1、研發(fā)人員數(shù)量少，精干高效

　　在擴(kuò)充研發(fā)團(tuán)隊(duì)上面，新潔能不斷通過(guò)外部引進(jìn)與自主培養(yǎng)的方式培育高端技術(shù)人才。新潔能2019年的研發(fā)人員65人，相較于2018年增長(zhǎng)110%，2020年末研發(fā)人員增加至71人，薪酬同比增長(zhǎng)62.14%。在用人制度上，公司實(shí)行一崗多職，防止人浮于事，不儲(chǔ)備冗余人員，注重提高人均績(jī)效，獲得較高回報(bào)，高壓高回報(bào)下公司人員整體穩(wěn)定。數(shù)據(jù)上看公司研發(fā)人員占比處于同行業(yè)中間水平，但是研發(fā)人員數(shù)量相較于同行業(yè)整體偏少。