MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

在MOSFET中，門(mén)極長(zhǎng)度（Gate length）大約10nm，是所有構(gòu)造中最細(xì)小也最難制作的，因此我們 常常以門(mén)極長(zhǎng)度來(lái)代表半導(dǎo)體制程的進(jìn)步程度 ，這就是所謂的“制程線寬”。門(mén)極長(zhǎng)度會(huì)隨制程技術(shù)的進(jìn)步而變小，從早期的180nm，130 nm，進(jìn)步到90nm、65nm、45nm、22nm，到目前最新制程10nm。當(dāng)門(mén)極長(zhǎng)度愈小，則整個(gè)MOSFET就愈小，而同樣含有數(shù)十億個(gè)MOSFET單元的芯片就愈小，封裝以后的集成電路就愈小，最后的產(chǎn)品也就愈小巧，因此 門(mén)極長(zhǎng)度是半導(dǎo)體制程進(jìn)步的關(guān)鍵 。

FinFET3D結(jié)構(gòu)[1]

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FinFET 的概念最初源于雙柵MOS 晶體管的構(gòu)想，通過(guò)增加?xùn)艠O與溝道的接觸面積來(lái)增強(qiáng)對(duì)導(dǎo)電溝道的控制。FinFET 器件結(jié)構(gòu)中，襯底上的垂直體硅薄翅片類(lèi)似于魚(yú)鰭（Fin），柵極從三面圍繞溝道，從而能夠有效進(jìn)行控制。溝道寬度 W 與 Fin 的高度 HFin 和寬度 WFin有關(guān)，但主要由 Fin 的高度決定。增加 Fin 的高度可增大 FinFET 器件的驅(qū)動(dòng)電流，還可以采用多個(gè) Fin 并聯(lián)方式來(lái)增加器件的驅(qū)動(dòng)電流 。

溝道的完美寬度由下式給出 ：

FinFET 的溝道控制[2]

**柵極(gateelectrode) **gate，門(mén)的意思，中文翻譯做柵，柵欄。electrode，電極。

由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

**源極(source) **source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。

源極簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

**漏極(drain) **drain排出，泄漏，中文翻譯為漏極。起發(fā)射作用的電極。

漏極在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很?。?，形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來(lái)，就構(gòu)成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。