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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

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2018-06-28 18:45:003527

關(guān)于半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)介紹(二)

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8英寸晶圓到底有多缺?

? 最近半導(dǎo)體商似乎混進了一種新的“流行”,大家見面不再問“你,吃了嗎?”,而是變成了“你,有8英寸晶圓嗎?”。 8英寸(200mm)晶圓到底有多缺? ? 這一切還得從8英寸晶圓的前世今生說起
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正威集團計劃建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項目

目前世界500強正威集團計劃投資53億,在陽邏建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項目,投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)70萬片8英寸SOI晶圓片和30萬片12英寸SOI晶圓片。
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近日,據(jù)外媒報道稱,SK海力士收購啟方半導(dǎo)體的交易已經(jīng)接近尾聲,即將完成。 去年10月份,SK海力士宣布將要斥資5758億韓元來收購啟方半導(dǎo)體,并表示將通過這次收購來提高8英寸晶圓代工的產(chǎn)能
2022-05-31 16:44:573051

國產(chǎn)8英寸SiC襯底捷報頻出,與海外龍頭差距還有多大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”,襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分,自然是各家必爭之地。在下游需求帶動下,SiC襯底正在從6英寸開始向8英寸推進,更大的襯底尺寸
2022-11-23 07:20:032710

半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代

國產(chǎn)之光希半導(dǎo)體: 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代 希半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動儀式圓滿成功 中國蘇州,2022年11月23日——希半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司于
2022-11-29 18:06:053670

合達談八英寸SiC

本實驗通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點,采用物理氣相傳輸(physical vapor transport, PVT)法進行擴徑生長獲得直徑放大的SiC單晶。
2023-01-17 14:10:103235

8英寸Sic的研究進程 GaN 2-4-6英寸的研究進程

硅晶圓正在從8英寸過渡到12英寸,更大的晶圓尺寸,意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣的浪費減少,單芯片成本降低。第三代半導(dǎo)體也不例外,都在向大尺寸晶圓大跨步。
2023-02-28 15:12:141613

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底?

從實際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn),而6英寸8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底?
2023-06-20 15:01:243321

積塔半導(dǎo)體12英寸產(chǎn)線順利通線 積塔半導(dǎo)體汽車芯片征程新起點

月正式投片,2023年6月2日流片完成,元器件電性(WAT)測試結(jié)果全部達標。充分驗證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線已具備量產(chǎn)標準,對積塔未來的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開拓、產(chǎn)線擴建具有重要意義。 積塔12英寸汽車芯片工藝線項目,著力90nm到40nm車規(guī)級微處理器(MCU
2023-06-24 21:21:524074

積塔半導(dǎo)體12英寸汽車芯片先導(dǎo)線已建成通線

該生產(chǎn)線的12英寸bcd產(chǎn)品于今年2月正式投入膠片,6月2日完成了膠片處理,元件電極(wat)試驗結(jié)果均達到標準。積塔半導(dǎo)體方面正式表示,此次構(gòu)建開通線意味著積塔12英寸汽車半導(dǎo)體事業(yè)的重大進展,這是積塔半導(dǎo)體實現(xiàn)12英寸汽車半導(dǎo)體戰(zhàn)略的重要里程碑。
2023-06-26 10:39:101977

積塔半導(dǎo)體12英寸產(chǎn)線順利通線

2023年2月正式投片,2023年6月2日流片完成,元器件電性(WAT)測試結(jié)果全部達標。充分驗證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線已具備量產(chǎn)標準,對積塔未來的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開拓、產(chǎn)線擴建具有重要意義。 積塔12英寸汽車芯片工藝線項目,著力90nm到40nm車
2023-06-26 17:37:031493

三星計劃入局8英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體代工服務(wù)

三星詳細介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計劃和性能水平,并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體代工服務(wù),以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點,在消費類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
2023-06-29 14:48:151834

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。
2023-07-05 14:59:33705

我國突破12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù),成功實現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備,晶圓尺寸可從2英寸擴展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸,有望推動二維半導(dǎo)體材料由實驗研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過渡,為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:392248

8英寸晶圓半導(dǎo)體IGBT封測和模組項目將落地安徽黟縣

黟縣據(jù)公布的消息稱,黃山芯動力投資基金合作協(xié)議的簽訂,黟縣總規(guī)模3億元的益山繼招商產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金設(shè)立后,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目投資的又一個“芯動力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金設(shè)立的。黟縣正在進行總投資額達10億元人民幣的8英寸半導(dǎo)體igbt包裝測試及模塊項目。
2023-07-19 11:11:221734

國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體登錄創(chuàng)板今日申購

募集資金180億元,擬用于華虹制造(無限)項目、8英寸廠優(yōu)化升級項目等。 華虹半導(dǎo)體作為國產(chǎn)半導(dǎo)體代工龍頭之一,截至2022年底,擁有三座8英寸晶圓廠和一座12英寸晶圓廠,近三年折合8英寸年產(chǎn)能分別為248.52萬片、326.04萬片、386.27萬片,年均復(fù)合增長率為24.67%。 華虹
2023-07-25 19:32:412257

半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線

2023年9月,半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

解更多公司,建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過以下途徑實現(xiàn): 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作:尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè),與他們合作,共同研究開發(fā)新產(chǎn)品,將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:302069

半導(dǎo)體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線

半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線在2023年4月正式貫通后,同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:401457

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展,多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:431115

德州儀器正在將GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝向8英寸過渡

德州儀器,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,近日宣布正在積極推進其氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從當(dāng)前的6英寸8英寸過渡。這一重大舉措旨在進一步提高生產(chǎn)效率、降低成本,并鞏固公司在GaN半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-03-07 11:06:151462

2億多!半導(dǎo)體斬獲歐洲SiC長訂單

近日,半導(dǎo)體在國際競爭激烈的SiC襯底市場殺出一條血路,成功拿下超2億元的出口歐洲長訂單之后,順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”(IATF16949)認證,獲得進軍國內(nèi)新能源汽車芯片襯底百億級規(guī)模市場“通行證”。
2024-03-21 17:20:181489

半導(dǎo)體與俄羅斯N公司開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作

2024年3月27日,半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作。
2024-04-07 11:29:501259

新質(zhì)生產(chǎn)力賦能高質(zhì)量發(fā)展,青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備!

4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過技術(shù)創(chuàng)新,在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展,在國內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
2024-04-14 09:12:391976

杭州士蘭與廈門半導(dǎo)體等聯(lián)手投資8英寸SiC功率器件項目

本次合作四方預(yù)計將在位于廈門市海滄區(qū)的廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司進行合資運營,主要目的是建造一座每月能生產(chǎn)6萬片以SiC-MOSEFET為主導(dǎo)產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。
2024-05-22 09:16:58996

士蘭微攜手廈門企業(yè)投資8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線

士蘭微發(fā)布公告,公司將與廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向子公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司增資41.5億元,并簽署投資合作協(xié)議。該合作項目旨在廈門市海滄區(qū)合資經(jīng)營,共同建設(shè)一條以SiC-MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。
2024-05-22 10:37:201257

臺亞半導(dǎo)體8英寸GaN業(yè)務(wù)將由冠亞承接

臺亞董事長李國光在會議結(jié)束后表示,星亞視覺將于6月下旬在證券交易所上市,而冠亞半導(dǎo)體的未來發(fā)展將由經(jīng)驗豐富的半導(dǎo)體專家衣冠君擔(dān)任總經(jīng)理,負責(zé)臺亞集團8英寸氮化鎵產(chǎn)品的相關(guān)業(yè)務(wù)。
2024-05-28 17:20:441446

國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

后,將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力,為我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強勁動力。來源:芯聯(lián)集成在全球半導(dǎo)體競爭日益激烈的背景下,碳化硅(SiC)材料因其獨特的
2024-05-30 11:24:522315

韓國首座8英寸SiC晶圓廠開建

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來新里程碑。韓國貿(mào)易、工業(yè)和能源部近日宣布,本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)正式開工建設(shè)韓國首座8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體工廠。該項目于5日上午舉行了隆重的奠基儀式。
2024-06-07 10:06:511287

意法半導(dǎo)體將在意大利新建8英寸SiC工廠

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布,將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地,專注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的制造、封裝、測試等全流程生產(chǎn)。這一重要舉措不僅體現(xiàn)了意法半導(dǎo)體在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的深厚實力,也標志著公司向全面垂直整合碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈邁出了堅實的一步。
2024-06-07 18:07:053036

全球掀起8英寸SiC投資熱潮,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來新一輪技術(shù)升級

隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期,8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球,各大半導(dǎo)體廠商紛紛加大投入,積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)
2024-06-12 11:04:311040

國內(nèi)外突破:三種新工藝方案引領(lǐng)8英寸SiC生產(chǎn)降本增效

半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的高溫、高頻、高壓特性而備受關(guān)注,尤其是在電動汽車、電力傳輸、高頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。然而,SiC的生產(chǎn)和加工過程一直面臨著諸多挑戰(zhàn)。近期,國內(nèi)外研究團隊和企業(yè)在8英寸SiC工藝方案上取得了新的突破,有望大幅提升生產(chǎn)效率和降低成本。
2024-06-17 15:28:071593

廈門士蘭集宏開啟8英寸SiC功率器件芯片制造新篇章

在科技日新月異的今天,半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代工業(yè)的核心,正不斷引領(lǐng)著技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)變革。6月18日,廈門廣電網(wǎng)傳來喜訊,廈門士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目正式在海滄區(qū)拉開建設(shè)的序幕,這標志著廈門在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域又邁出了堅實的一步。
2024-06-19 16:35:431812

萬年芯:三代半企業(yè)提速,碳化硅跑步進入8英寸時代

碳化硅晶圓市場。在江西萬年芯看來,這一趨勢預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來新一輪的技術(shù)革新和市場擴張?!?b class="flag-6" style="color: red">8英寸”擴大產(chǎn)能據(jù)權(quán)威預(yù)測,到2029年SiC市場容量將達到100
2024-08-16 16:48:361306

又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC晶圓

近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。
2024-09-21 11:04:10946

高精密潔凈艙在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)研究

高精密潔凈艙在半導(dǎo)體生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色,其關(guān)鍵技術(shù)的研究與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。
2024-10-25 17:52:36888

天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

,但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團隊聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司在《人工晶體學(xué)報》2
2024-12-07 10:39:362575

封頂!奧松半導(dǎo)體重慶8英寸MEMS項目今年投產(chǎn)

1月8日,記者從西部(重慶)科學(xué)城獲悉,奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地一期項目FAB主廠房近日封頂,標志著該項目建設(shè)取得階段性進展。預(yù)計今年年中,該項目將建成投產(chǎn)。 據(jù)介紹,該項
2025-01-09 18:25:031809

三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項目通線

三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預(yù)計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計將在2025年四季度投產(chǎn),屆時將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)?;?b class="flag-6" style="color: red">量產(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341590

我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來了新的機遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵(Ga?O?)作為第四代半導(dǎo)體材料的代表,具有超寬的禁帶寬度(約4.8eV),遠
2025-03-07 11:43:222418

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗,更是美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問題體現(xiàn)在三個維度: 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長期依賴6英寸晶圓技術(shù),8英寸量產(chǎn)計劃因良率不足陷入僵局,而中國天合達、爍晶體等企業(yè)已實現(xiàn)8英寸襯底小批量出貨,良率突破。更致命的是,中國通過工
2025-05-21 09:49:401088

重慶首個8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項目“奧松半導(dǎo)體項目”迎來重大進展

堅實基礎(chǔ)——今年8月底通線試產(chǎn),第四季度實現(xiàn)產(chǎn)能爬坡并交付客戶。 光刻機進入百級潔凈黃光區(qū)廠房 奧松半導(dǎo)體項目作為重慶首個8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項目,計劃總投資35億元,包含8英寸特色傳感器芯片量產(chǎn)線、8英寸MEMS特色晶
2025-07-16 18:11:441053

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

近日,晶越半導(dǎo)體傳來重大喜訊,在半導(dǎo)體材料研發(fā)領(lǐng)域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后,公司持續(xù)加大研發(fā)投入,不斷優(yōu)化工藝,于 7 月 21 日成功研制出
2025-07-25 16:54:48701

差距縮至2年內(nèi)!國內(nèi)8英寸SiC襯底最新進展

SiC晶圓廠,也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點以及技術(shù)難點,目前國內(nèi)廠商的進度又如何?近期包括天合達、爍晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:004657

8英寸SiC投產(chǎn)進展加速,2025年上量

生產(chǎn)線已經(jīng)在2024年6月投入使用,下一個目標是未來兩年在德國漢堡工廠里建設(shè)8英寸SiC MOSFET和低壓GaN HEMT產(chǎn)線。 ? 雖然8英寸SiC當(dāng)前產(chǎn)能在整個市場中占比并不高,不過作為降低SiC成本的重要技術(shù)路線,最近又有了不少新的進展。 ? 8英寸產(chǎn)線逐步投產(chǎn),龍頭老大
2024-07-01 07:35:0058859

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