全球電動(dòng)汽車(chē)用鋰離子電池技術(shù)進(jìn)展簡(jiǎn)析 一、電動(dòng)汽車(chē)電池技術(shù)獲得突破性發(fā)展
蓄電池及其管理系統(tǒng)是電動(dòng)汽車(chē)的關(guān)鍵技術(shù)之一。在以往
2009-11-21 08:49:41
1088 新能源電池產(chǎn)業(yè)鏈及投資機(jī)會(huì)簡(jiǎn)析-磷酸亞鐵鋰
一、前言
2009-12-25 09:34:311180 當(dāng)智慧社區(qū)進(jìn)入人工智能時(shí)代，產(chǎn)品分類(lèi)變得越來(lái)越豐富，相應(yīng)的應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛。吉方工控致力于為客戶提供智能產(chǎn)品整體解決方案，因地制宜，提供高度定制化的產(chǎn)品及服務(wù)。 ? AI智慧社區(qū)解決方案簡(jiǎn)析 ? 智慧
2022-04-11 19:16:1914288 
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓
2022-07-08 16:50:217859 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:4218221 
本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來(lái)理解其開(kāi)通關(guān)斷的過(guò)程，以及MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:483527 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-12 10:06:591898 
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路，評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:515428 
對(duì)IGBT的開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門(mén)極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門(mén)極電路的設(shè)計(jì)中，還要注意開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等
2012-07-25 09:49:08
，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。 動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲取： IGBT的開(kāi)通過(guò)程 IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，分為幾段時(shí)間 1.與MOSFET類(lèi)似的開(kāi)通過(guò)程，也是
2011-08-17 09:26:02
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)溫升高而增加，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場(chǎng)終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)溫時(shí)的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動(dòng)態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08
關(guān)損耗的影響如下 可見(jiàn)，開(kāi)通損耗受柵極電阻的影響要更大?！ ⊥?，反向恢復(fù)損耗受開(kāi)通電阻的影響也可以在規(guī)格書(shū)中查到。 寄生電容： IGBT的寄生電容影響動(dòng)態(tài)性能，它是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
的IGBT門(mén)極開(kāi)通電壓尖峰是怎么回事? 圖1a IGBT門(mén)極開(kāi)通尖峰 圖1b IGBT門(mén)極開(kāi)通尖峰機(jī)理分析：IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)的等效電路如圖2所示： 圖2. IGBT驅(qū)動(dòng)等效電路IGBT開(kāi)通瞬間門(mén)極驅(qū)動(dòng)回路
2021-04-26 21:33:10
常見(jiàn)的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級(jí)和電流大小，那么IGBT的開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是否相同，如果不相同，哪個(gè)時(shí)間更長(zhǎng)一些？并且，在設(shè)計(jì)IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開(kāi)通，請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái)，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過(guò)程就可以稱(chēng)之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
1000V 的IGBT 通態(tài)壓降為2～3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。2 ．動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過(guò)程后期
2018-10-18 10:53:03
在600V±20%范圍內(nèi)損耗可以認(rèn)為為線性的”。 特性三：在一個(gè)50Hz的周期內(nèi)，上管IGBT進(jìn)行不斷的調(diào)制，每次開(kāi)通的電壓為Vbus，下管一直處于截止?fàn)顟B(tài)；流過(guò)IGBT的電流可以初步認(rèn)為是一個(gè)正弦波
2023-02-24 16:47:34
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
-uGS和門(mén)極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中門(mén)極正電壓uGS的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
1、Armv8.1-M PAC和 BTI 擴(kuò)展簡(jiǎn)析Armv8-M通過(guò)Trustzone for Armv8-M， Memory Protection Unit (MPU) 和Privileged
2022-08-05 14:56:32
本人最近利用Multisim軟件在做一個(gè)全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說(shuō)明文檔驅(qū)動(dòng)電壓為±20V，然而給定驅(qū)動(dòng)脈沖，IGBT并未正常開(kāi)通、關(guān)斷，本人用到的脈沖發(fā)生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
一、核心技術(shù)理念
圖片來(lái)源：OpenHarmony官方網(wǎng)站
二、需求機(jī)遇簡(jiǎn)析
新的萬(wàn)物互聯(lián)智能世界代表著新規(guī)則、新賽道、新切入點(diǎn)、新財(cái)富機(jī)會(huì);各WEB網(wǎng)站、客戶端( 蘋(píng)果APP、安卓APK)、微信
2023-09-22 16:12:02
產(chǎn)品需求。
典型應(yīng)用場(chǎng)景：
影音娛樂(lè)、智慧出行、智能家居，如煙機(jī)、烤箱、跑步機(jī)等。
*附件：OpenHarmony智慧設(shè)備開(kāi)發(fā)-芯片模組簡(jiǎn)析RK3568.docx
2023-05-16 14:56:42
降噪，自動(dòng)調(diào)色系統(tǒng)和梯形校正模塊可以提供提供流暢的用戶體驗(yàn)和專(zhuān)業(yè)的視覺(jué)效果。
典型應(yīng)用場(chǎng)景：
工業(yè)控制、智能駕艙、智慧家居、智慧電力、在線教育等。
、*附件：OpenHarmony智慧設(shè)備開(kāi)發(fā)-芯片模組簡(jiǎn)析T507.docx
2023-05-11 16:34:42
1、RT5640播放時(shí)的Codec寄存器列表簡(jiǎn)析Platform: RockchipOS: Android 6.0Kernel: 3.10.92Codec: RT5640此文給調(diào)試RT5640播放
2022-11-24 18:12:43
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。剛接觸那會(huì)兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類(lèi)的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢(xún)的資料一概籠統(tǒng)簡(jiǎn)單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
rtos的核心原理簡(jiǎn)析rtos全稱(chēng)real-time operating system（實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)），我來(lái)簡(jiǎn)單分析下：我們都知道，c語(yǔ)句中調(diào)用一個(gè)函數(shù)后，該函數(shù)的返回地址都是放在堆棧中的(準(zhǔn)確
2019-07-23 08:00:00
和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進(jìn)入量產(chǎn)２?。桑牵拢缘墓ぷ髟恚桑牵拢缘尿?qū)動(dòng)原理與電力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一種場(chǎng)控器件，其開(kāi)通和關(guān)斷由柵射極電壓u GE
2021-03-22 19:45:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 14:30 編輯
在使用28335調(diào)試的過(guò)程中，當(dāng)暫停程序時(shí)，出現(xiàn)IGBT開(kāi)通，使IGBT燒壞，換用IPM，仍然出現(xiàn)此問(wèn)題，所以應(yīng)該不是驅(qū)動(dòng)
2018-06-11 08:01:47
的導(dǎo)通能量損耗，并在電力電子學(xué)的典型模式下擴(kuò)大開(kāi)關(guān)元件的安全工作區(qū)域。使用硅IGBT可以?xún)?yōu)化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關(guān)分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因?yàn)檎沁@種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
IGBT無(wú)法成功開(kāi)通，而且柵極加上控制信號(hào)時(shí)，發(fā)射極有個(gè)3V的電壓是什么原因，理論上應(yīng)該是漏個(gè)零點(diǎn)幾伏。功率IGBT型號(hào)是三菱的PS21767
2024-04-17 20:31:35
MOS管的門(mén)極開(kāi)通電壓典型值為多少伏？那么IGBT的門(mén)極開(kāi)通電壓典型值又為多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
基于ATM理念的UTRAN傳輸架構(gòu)簡(jiǎn)析:UTRAN（UMTS無(wú)線接入網(wǎng)）系統(tǒng)傳輸網(wǎng)承載其內(nèi)部業(yè)務(wù)傳送及至CN（核心網(wǎng)）側(cè)的業(yè)務(wù)匯聚功能，考慮3G網(wǎng)絡(luò)內(nèi)，話音、媒體流及Internet等數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的多樣
2009-10-22 10:49:20
15 DVB-H RF Tuner 移動(dòng)電視技術(shù)簡(jiǎn)析摘要要實(shí)現(xiàn)行動(dòng)間也能夠接收電視的功能，廣播技術(shù)相當(dāng)關(guān)鍵，現(xiàn)在全球的廣播技術(shù)中，大體可以分作幾大規(guī)格，包括歐洲和亞太使用的DVB-H（Digi
2010-02-06 10:44:0538
電動(dòng)汽車(chē)用鋰離子電池技術(shù)的國(guó)內(nèi)外進(jìn)展簡(jiǎn)析
2009-11-10 13:53:01983 PCB線路板電鍍銅工藝簡(jiǎn)析
一．電鍍工藝的分類(lèi)：
酸性光亮銅電鍍電鍍鎳/金電鍍錫
二．工藝流程：
2009-11-17 14:01:144659 EPON技術(shù)簡(jiǎn)析
EPON是一個(gè)新技術(shù)，用于保證提供一個(gè)高品質(zhì)與高帶寬利用率的應(yīng)用。
EPON在日本、韓國(guó)、中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣及其它以以太網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)的地區(qū)都
2010-01-22 10:43:281147 筆記本屏幕亮度與反應(yīng)速度簡(jiǎn)析
屏幕亮度
筆記本TFT-LCD的亮度值一般都在150~200 cd/m2（極少數(shù)可以
2010-01-23 09:34:57991 IGBT開(kāi)關(guān)等效電路和開(kāi)通波形電路
2010-02-17 17:22:573280 
IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4511496 簡(jiǎn)析BGA封裝技術(shù)與質(zhì)量控制
?。樱停裕⊿urface Mount Technology)表面安裝技術(shù)順應(yīng)了電子產(chǎn)品小型化、輕型化的潮流趨勢(shì)，為實(shí)現(xiàn)電子
2010-03-30 16:49:551827 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582705 
鼠標(biāo) HID 例程簡(jiǎn)析 緊接《鼠標(biāo) HID 例程簡(jiǎn)析（上）》一文，繼續(xù)向大家介紹鼠 標(biāo) HID 例程的未完的內(nèi)容。
2016-07-26 15:18:260 籠型三相異步電動(dòng)機(jī)噪聲故障簡(jiǎn)析_陳金剛
2017-01-01 15:44:471 在正常情況下IGBT的開(kāi)通速度越快，損耗越小。但在開(kāi)通過(guò)程中如有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流和吸收電容的放電電流，則開(kāi)通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導(dǎo)致IGBT損壞。因此應(yīng)該降低柵極驅(qū)動(dòng)
2017-05-17 14:18:334786 
對(duì)于壓接式IGBT器件，封裝結(jié)構(gòu)引起的寄生參數(shù)不一致將導(dǎo)致開(kāi)通瞬態(tài)過(guò)程中并聯(lián)IGBT芯片的電流分布不一致，使部分芯片在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中的電流過(guò)沖太大，從而降低了開(kāi)通性能。采用寄生參數(shù)提取、電路建模
2018-01-07 11:04:087 AN-990應(yīng)用筆記之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:599 本書(shū)在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上，介紹電力MOSFET及IGBT的80多種集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)。重點(diǎn)討論50多種電力
2018-09-05 08:00:00185 IGBT作為具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域。現(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開(kāi)關(guān)損耗。作為開(kāi)關(guān)器件，研究它的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程當(dāng)然是必不可少的，今天我們就來(lái)說(shuō)說(shuō)IGBT的開(kāi)通過(guò)程。
2019-01-01 15:04:0053615 
本書(shū)在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上，介紹電力MOSFET及IGBT的80多種集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)，重點(diǎn)討論50多種電力
2019-01-08 16:21:030 盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同，但對(duì)于緩沖電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源，開(kāi)通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。
2020-04-10 10:36:119955 
IGBT器件T1通過(guò)雙脈沖信號(hào)兩次開(kāi)通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過(guò)電阻RGon來(lái)調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 17:51:006367 
IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:317687 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析用電阻設(shè)定增益的單端至差分轉(zhuǎn)換器資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-04 08:46:293 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析電源模塊熱設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-06 08:50:169 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-06 08:50:3260 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析二極管限幅電路工作原理資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-08 08:40:346 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-08 08:41:0832 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析運(yùn)放并聯(lián)的可行性資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-09 08:51:2036 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析555電壓檢測(cè)電路資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-13 08:41:2025 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析比較器的原理及應(yīng)用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:40:0927 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析三極管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-19 08:45:218 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析光耦電路中為何有串聯(lián)與并聯(lián)電阻資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:42:3323 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供簡(jiǎn)析獲取單片機(jī)代碼運(yùn)行時(shí)間的方法資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:49:3512 在IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中通常用開(kāi)通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來(lái)進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:019694 
這個(gè)時(shí)候IGBT還沒(méi)有開(kāi)通，由于開(kāi)通瞬態(tài)IGBT輸入電容相當(dāng)于短路，因此門(mén)極電流Ig快速上升至峰值電流，隨后門(mén)極電容會(huì)逐漸被充電至開(kāi)啟閾值電壓Vge,th，米勒平臺(tái)Vgep，最后到Vcc，門(mén)極電流也逐漸減小至0。
2022-04-26 15:14:3210710 本書(shū)在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參
數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)重點(diǎn)討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 5G AAU 功放控制和監(jiān)測(cè)模塊簡(jiǎn)析
2022-10-28 12:00:122 （一）IGBT雙脈沖測(cè)試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 ，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開(kāi)通與關(guān)斷過(guò)程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程示意圖，圖中柵極驅(qū)動(dòng)波形較為理想化，集
2023-02-22 15:08:431 我們都知道，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。有的同學(xué)可能會(huì)有這樣的困惑： “IGBT本來(lái)就是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，為什么它自己還需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)？IGBT驅(qū)動(dòng)到底是做什么的？” 這個(gè)問(wèn)題說(shuō)來(lái)簡(jiǎn)單，就像《極簡(jiǎn)
2023-02-23 15:47:510 一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí)，對(duì)于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程
2023-05-25 17:16:254512 
IGBT的開(kāi)關(guān)特性是通過(guò)對(duì)門(mén)極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開(kāi)通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
2023-07-04 14:54:057506 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運(yùn)行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性對(duì)于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)模化 IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)具有
2023-08-08 09:58:281 AFE8092幀同步特性簡(jiǎn)析
2023-08-24 13:37:031259 
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)；
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:328494 
和性能，動(dòng)態(tài)測(cè)試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試的參數(shù)。 1. 開(kāi)通特性測(cè)試（Turn-on Characteristics Test）： 開(kāi)通特性測(cè)試是通過(guò)控制IGBT的輸入信號(hào)，來(lái)檢測(cè)
2023-11-10 15:33:513139 儲(chǔ)能的三大應(yīng)用場(chǎng)景簡(jiǎn)析-古瑞瓦特 隨著太陽(yáng)能風(fēng)能發(fā)電比例的不斷增長(zhǎng)，可再生能源間歇性和不穩(wěn)定性的缺陷日益突出，不穩(wěn)定的光伏和風(fēng)電對(duì)電網(wǎng)的沖擊也日益嚴(yán)重。抽水儲(chǔ)能，壓縮空氣和蓄電池儲(chǔ)能等技術(shù)越來(lái)越被
2023-12-20 16:30:532521 
IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成，用于控制高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低的導(dǎo)通壓降
2024-01-04 14:30:501693 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:174836 
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個(gè)專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制其開(kāi)通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)臇艠O
2024-01-17 13:56:555007 
導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓，電流開(kāi)始通過(guò)IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時(shí)，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:424797 
IGBT開(kāi)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開(kāi)關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動(dòng)、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:334343 OpenHarmony 4.0藍(lán)牙代碼結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析前言 OpenHarmony 4.0上藍(lán)牙倉(cāng)和目錄結(jié)構(gòu)進(jìn)行一次較大整改，本文基于4.0以上版本對(duì)藍(lán)牙代碼進(jìn)行分析，便于讀者快速了解和學(xué)習(xí)
2024-02-26 16:08:243135 
智慧路燈桿是一種兼具智能化和多功能的新型物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，通過(guò)搭載一鍵告警對(duì)講盒，能夠大大豐富安防及報(bào)警求助資源，對(duì)提升城市的安全性和管理效能具有重要的作用。本篇就結(jié)合城市中的不同場(chǎng)景，簡(jiǎn)析智慧燈桿一鍵告警功能的實(shí)用功能。
2024-04-28 16:42:051040 
巖土工程監(jiān)測(cè)中振弦采集儀的布設(shè)方案及實(shí)施步驟簡(jiǎn)析 巖土工程監(jiān)測(cè)中，河北穩(wěn)控科技振弦采集儀是一種常用的地下水位和土層壓縮性監(jiān)測(cè)工具。它通過(guò)采集振弦的振動(dòng)信號(hào)來(lái)確定地下水位和土層的壓縮性，為巖土
2024-05-06 13:25:44791 
圖5-14所示是采用IGBT過(guò)流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路，該電路采用IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器EXB841。
2024-05-24 09:03:0223151 
，影響其性能和可靠性。因此，IGBT的熱管理成為保障其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。導(dǎo)熱材料在IGBT的熱管理中扮演著至關(guān)重要的角色，本文將詳細(xì)探討IGBT導(dǎo)熱材料的作用、種類(lèi)、特性以及應(yīng)用。
2025-02-03 14:27:001300 Modbus和MQTT是工業(yè)領(lǐng)域中兩種不同的通信協(xié)議，在設(shè)計(jì)目標(biāo)、應(yīng)用場(chǎng)景、通信模式等方面存在顯著差異，以下從多個(gè)維度簡(jiǎn)析兩者的區(qū)別： 1.設(shè)計(jì)目標(biāo)與起源 Modbus 誕生于1979年，由施耐德
2025-07-10 14:10:25799
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