）的雙脈沖測試軟件 (WBG-DPT) 包含一種專為雙脈沖測試設(shè)計的新型消偏技術(shù)。這種新穎的方法與傳統(tǒng)方法截然不同，并且 速度顯著提升，可以將測試時間縮短數(shù)小時 。 該技術(shù)適用于使用FET（場效應(yīng)晶體管）或IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的功率轉(zhuǎn)換器
2025-06-25 17:17:02
1543 
雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。
2020-12-21 14:58:079335 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請結(jié)合上一篇
2020-12-21 14:25:4510373 
通常情況下，為了測試器件的動態(tài)特性，我們都會搭建一個通用的雙脈沖測試平臺。測試平臺的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測功率器件和驅(qū)動電路。雙脈沖測試電路的原理為半橋電路，如圖1所示。
2022-04-17 09:16:307931 雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:133901 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測試,建立了 一種準(zhǔn)確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:514187 IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:111891 通常我們對某款IGBT的認(rèn)識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的，而實際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個性化的，往往會有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:056340 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:102667 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
? ? 揚杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測試更好的表征SiC MOS動態(tài)能力？ ? 引言 隨著碳化硅（SiC）MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展，SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應(yīng)用潛力得到越來越多工程師
2025-12-02 09:36:222300 
雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅(qū)動控制信號，如圖1所示。第一個脈沖相對較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:319641 
有些是不能直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試，對IGBT的性能進行更為準(zhǔn)確的評估。雙脈沖測試的主要功能如下：1、測量IGBT的各項動態(tài)參數(shù)（td>r、Eon、td off、tf、Eoff 等
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請教下雙脈沖測試的幾個參數(shù)問題。項目所用IGBT是1200V 75A的單管，開關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測試，有幾個疑問：（1）測試時的最大電流是按額定75A來，還是150A
2019-11-06 20:47:30
有沒有大佬幫忙分析下，做雙脈沖測試的時候，第一個脈沖在關(guān)斷的時候，馬上要關(guān)完了，結(jié)果驅(qū)動出現(xiàn)了震蕩，導(dǎo)致管子立馬又開了，然后電流激增，直接就炸管了，這是什么問題啊，圖上是波形和驅(qū)動電路，求指導(dǎo)
2025-03-06 16:45:31
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/5zWSxhNFF19kqCKUh7B4zg上述視頻鏈接包含了以下四個方面內(nèi)容：— 雙脈沖測試要點回顧— 短路的分類與安全工作區(qū)— 短路測試方法— 測試注意事項講師PPT見附件。
2020-06-28 10:48:45
`如圖請問英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
視頻講解雙脈沖基本原理及意義，點擊下方鏈接在線觀看https://mp.weixin.qq.com/s/8BZ8b-Y6yDbRn6uQASV9iA
2020-06-24 14:18:57
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述視頻講述了以下四方面內(nèi)容。- NPC I型三電平2種應(yīng)用方式- NPC I型三電平拓?fù)溥\行狀態(tài)- NPC I型三電平雙脈沖測試方法- NPC I型三電平短路測試方法講師PPT見附件
2020-06-28 10:40:04
...
1
T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法
由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平應(yīng)用越來越廣，我們開發(fā)了IGBT7 1200V 62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A
2024-05-08 23:11:59
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述為視頻鏈接，主要講一下四個問題。講師PPT見附件?！?T型三電平拓?fù)涞乃姆N結(jié)構(gòu)— T型三電平拓?fù)溥\行狀態(tài)— T型三電平雙脈沖測試方法— T型三電平短路測試
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到雙脈沖測試信號？可否通過軟件自帶的信號源得到？
2015-05-27 23:02:05
`一、實驗儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭：2、多通道示波器及高壓差分探頭：3、手工繞制的空心電感：二、雙脈沖測試實驗臺但是對于開發(fā)電力電子裝置的工程師，無須專門搭建測試平臺，直接使用正在開發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
——測試平臺搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測試方案，集成強大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件，測試項目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關(guān)特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
IGBT-1200A型測試儀可以測試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國內(nèi)電子市場上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測試方法的意義（1） 對比不同的IGBT 的參數(shù) ， 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機控制器的性能和可靠性，需要對這些功率器件進行嚴(yán)格的測試，其中就包括雙脈沖測試。
案例簡介 雙脈沖測試可以幫助工程師評估電機控制器中功率器件的開關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
信號3、泰克示波器MSO5運行IGBT town 軟件進行設(shè)定和自動測試三、測試說明：采用雙脈沖法,用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。采用MSO58功率
2021-05-20 11:17:57
于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至
2025-07-16 15:14:08
全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要：文章介紹高壓氙燈設(shè)計的IGBT脈沖式激光電源，詳細闡述了工作原理、設(shè)計方法和仿真過程，并給出實驗波形。其主電路
2009-07-27 08:41:101382 
提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成，由單片機來控制IGBT的觸發(fā)，其設(shè)計輸出為方波，電壓幅值在50 100 kV可調(diào)，脈沖寬度在l～10 s可調(diào)，頻率在1～
2011-12-19 14:04:33
125 由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性，在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用，其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源，文中提出了一種基于IGBT的高
2012-04-05 15:25:49115 特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測試原理，設(shè)計并搭建壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關(guān)特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數(shù)進行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
1.對比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2020-01-08 08:00:0048 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進行，但是有的時候短路測試會被忽略，原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試，但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:077995 株洲中車的“汽車用IGBT模塊”專利針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種能同時滿足極端高低溫狀況下的汽車級IGBT模塊雙脈沖測試方法和系統(tǒng)，具有測試操作簡單、成本低、系統(tǒng)集成度以及測試效率高的優(yōu)勢。
2020-11-16 10:17:415556 
通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 大家好，前段時間在知乎上看到有個網(wǎng)友問：“在大功率變頻器應(yīng)用中，我們常用雙脈沖測試評估器件的動態(tài)特征，在實際中有可比性嗎？”感覺這個問題提的比較好，也是作者想和大家討論的一個話題，那我們這期就來聊聊雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實換流中的各種電應(yīng)力。
2022-04-15 09:15:025559 對雙脈沖測試的原理、參數(shù)解析、注意事項、測試意義等進行詳細介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試，通過給定兩個脈沖來測試IGBT的開關(guān)特性，進而對器件性能進行更準(zhǔn)確的評估。
2022-06-17 17:33:0135778 雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動保護電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。
雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動設(shè)計等等。
2022-11-04 14:06:275433 我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
一、雙脈沖測試。 雙脈沖測試硬件的基本框圖如上圖所示。 高壓源通過疊層母排與電容池連接，并給電容池充電。 低壓源給驅(qū)動板供電，信號發(fā)生器給驅(qū)動板發(fā)雙脈沖。 若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊下管，則上管截止
2023-02-22 15:16:184 （一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測試要求值，計算機控制接通開關(guān)S1,并控制輸出被
測雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測試法’。
2023-02-22 14:25:005 功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動態(tài)特性參數(shù)，開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測試機或者源表等設(shè)備直接測出，動態(tài)特性參數(shù)則可以通過電容測試平臺描繪出，最后開關(guān)特性參數(shù)則需要用到雙脈沖測試才能準(zhǔn)確測得。
2023-02-22 14:40:208815 ，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其
恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
2023-02-23 10:00:200 ??在LTspice中沒有雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個雙脈沖的波形只能用電壓源來進行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫了一個雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。 雙脈沖波形發(fā)生器?！ ∪缦?，該元器件可以
2023-02-23 15:47:208 該信號發(fā)生器主要用于IGBT單脈沖、雙脈沖、短路測試發(fā)波控制，使用單USB口連接，集成供電、發(fā)波控制、程序升級于一體，
上位機串口發(fā)波控制，可靈活控制發(fā)送1~200uS波形，最小精度1uS，同時提供+5V和+15V兩種電平方便匹配不同驅(qū)動板，上位機
控制方便易上手配置簡單。
2023-02-23 15:30:085 IGBT雙脈沖測試matlab仿真模型，電機控制器驅(qū)動測試驗證，學(xué)習(xí)驗證igbt開關(guān)特性.附贈大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測試驗證資料，全部是實際項目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 1.對比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2.獲取IGBT在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適，評估是否需要配
2023-02-24 09:41:423 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被
2022-05-26 09:52:273761 
雙脈沖測試是一種用于測量電子設(shè)備的重要方法，其通過發(fā)送兩個相互獨立且短暫的脈沖信號來分析設(shè)備的性能和可靠性。在進行雙脈沖測試時，我們需要注意一些重要事項，以確保測試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。 首先，進行雙
2023-07-03 11:45:271807 
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動態(tài)特性實驗平臺。通過對動態(tài)特性
實驗平臺關(guān)鍵問題進行有限元仿真計算，實現(xiàn)平臺回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:281 了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證組件性能以及對不同IGBT的性能驗證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:322891 
，不同的IGBT技術(shù)也造就了不同性能的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證元器件的性能，驗證不同IGBT的性能，我們引入了雙脈沖測試方法。通過這個工具，我們可以實現(xiàn)以下具體功能： 詳細了解IGBT參數(shù)，如Eon、Eoff、Tdon、Tdoff、Tr、Tf、貼片開關(guān)特性等。本次測試的意義在于
2023-10-13 10:34:334422 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ■?? 雙脈沖測試? 雙脈沖測試中一個重要目標(biāo)是，準(zhǔn)確測量能量損耗。在示波器中進行準(zhǔn)確的功率、能量測試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進行校準(zhǔn)，消除時序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:293948 驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
2023-12-05 16:20:07896 
信號發(fā)生器如何設(shè)置雙窄脈沖同步輸出？ 信號發(fā)生器是一種使用電子設(shè)備產(chǎn)生以下類型信號的儀器：連續(xù)波形、脈沖波形、調(diào)幅波形、調(diào)頻波形等。雙窄脈沖同步輸出是一種常見的需求，特別用于電子設(shè)備的測試和測量等
2023-12-21 14:13:312544 、電氣工程等領(lǐng)域，對于新材料的研發(fā)和應(yīng)用具有重要意義。 一、雙脈沖測試原理的基本概念 脈沖電壓：脈沖電壓是指在一定時間范圍內(nèi)，電壓由零迅速上升到最大值，然后緩慢下降到零的過程。脈沖電壓的形狀可以是方波、矩形波或三
2023-12-30 11:47:005602 
雙脈沖試驗及注意事項介紹 雙脈沖試驗是一種常用的電力系統(tǒng)測試方法，用于測量電力系統(tǒng)中的傳輸線路和設(shè)備的參數(shù)。這種試驗方法通過施加兩個脈沖波形信號，從而可以精確地測量電力系統(tǒng)的傳輸線路的特性參數(shù)，包括
2024-01-05 15:08:031592 雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到
2024-01-18 08:13:437633 雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實參數(shù)？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發(fā)送兩個脈沖信號并分析其響應(yīng)來
2024-02-18 09:29:233717 ），并測量其響應(yīng)來工作。 雙脈沖測試是一種專門用于評估功率開關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測試方法。這種測試特別適用于分析在導(dǎo)通過程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓?fù)鋪碚f也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平
2024-02-26 08:13:164233 對于經(jīng)驗豐富的專業(yè)人士來說，不言而喻的事情有時可能會給經(jīng)驗不足的人帶來誤解。作為測試設(shè)備制造商，我們意識到用戶對雙脈沖測試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法，其主要目的是評估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計要求和運行標(biāo)準(zhǔn)。
2024-03-11 16:01:555996 
雙脈沖測試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號，以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測試需求。
2024-03-11 16:09:215204 
雙脈沖測試是一個用于測試高壓設(shè)備的重要方法，而高壓差分探頭在雙脈沖測試中扮演著重要的角色。它能夠測量高壓系統(tǒng)中的電位差，并幫助人們診斷系統(tǒng)中的問題。不過，在高壓差分探頭的使用過程中，也會遇到一些問題
2024-03-19 09:55:061170 
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導(dǎo)體上下管雙脈沖測試，成為動態(tài)參數(shù)測試的最經(jīng)典評估項目。
2024-08-06 17:30:502038 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335022 圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計需要精心設(shè)計和測試以優(yōu)化性能。 雙脈沖測試 (DPT) 可有效測量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期間的一系列重要參數(shù)。設(shè)置和執(zhí)行這些測量可以手動
2024-09-30 08:57:34951 
）及全控型（IGBT、MOSFET 為主）。其中IGBT（絕緣柵雙極晶體管）被廣泛應(yīng)用于中、高電壓及大電流場合的功率半導(dǎo)體器件。它綜合了 MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點，具有導(dǎo)通壓降低、開關(guān)速度快、電流和電壓定額高等特點，被廣泛應(yīng)用于變頻
2024-11-24 15:02:121698 
在電子工程領(lǐng)域，脈沖測試儀器是不可或缺的工具，它們幫助工程師評估和驗證電子系統(tǒng)在各種脈沖條件下的性能。 1. 了解脈沖測試儀器的基本原理 在開始使用脈沖測試儀器之前，了解其工作原理是至關(guān)重要的。脈沖
2024-11-26 10:01:031737 IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗?zāi)康?1、通過實驗獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù)，如延時、上升、下降時間、開關(guān)損耗等； 2、通過實驗獲得功率組件設(shè)計中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002623 
是否過關(guān)，雙脈沖測試（Double Pulse Test）成為了一項重要的測試手段。本文將詳細介紹IGBT雙脈沖測試的原理、意義、實驗設(shè)備、測試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評估IGBT驅(qū)動板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
，成為了眾多電源及電源模塊的首選材料。特別是在功率半導(dǎo)體中，上下管雙脈沖測試已經(jīng)成為評估動態(tài)參數(shù)的經(jīng)典方法，對于推動相關(guān)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。那么，何為雙脈沖測試
2025-04-11 15:00:14797 
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號功率分配的無源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動態(tài)雙脈沖測試，可將輸入信號按特定比例分流至多個輸出端口
2025-04-30 12:00:12762 
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。動態(tài)測試，主要是用于測試IGBT動態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測試方案。其測試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332 
，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通
2025-07-08 17:31:041892 傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測試（DPT）作為功率半導(dǎo)體動態(tài)性能評估黃金標(biāo)準(zhǔn)的核心價值。
2025-09-17 16:57:341114 
至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測試中，光隔離探頭不僅確保了測試的安全性，還提高了測試測量的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測試中不可或缺的原因。 雙脈沖測試的作用 雙脈沖測試（DPT）是一種用于評估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
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