，用于研究突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)。首先，通過(guò)等效電路模型表示IGBT模塊，隨后針對(duì)其易受干擾的區(qū)域進(jìn)行磁場(chǎng)仿真。仿真不同時(shí)間步長(zhǎng)的磁場(chǎng)分布、渦流分布、磁通密度以及IGBT模塊中的溫升。此外
2025-02-25 09:54:45
1679 
電壓產(chǎn)生和抑制的機(jī)理，建立了低寄生電感母排基本模型以進(jìn)行仿真，闡述了換流回路雜散電感的組成和計(jì)算方法，以實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)研究IGBT開(kāi)關(guān)性能;通過(guò)比較仿真、計(jì)算、實(shí)驗(yàn)結(jié)果，提出了優(yōu)化低感母排EMC設(shè)計(jì)的原則。
2025-06-17 09:45:101781 
測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率，利用公式來(lái)計(jì)算雜散電感Lstray；短路法通過(guò)測(cè)量IGBT短路開(kāi)通時(shí)的下降電壓
2025-06-17 09:53:402028 
實(shí)際系統(tǒng)的很多方面都會(huì)在PCB布局，IC或任何其他電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生意外的寄生現(xiàn)象。重要的是在嘗試使用SPICE仿真提取寄生效應(yīng)之前，請(qǐng)注意電路圖中無(wú)法考慮的內(nèi)容。
2020-12-31 12:01:419811 
上期我們介紹了寄生電感對(duì)Buck電路中開(kāi)關(guān)管的影響，本期，我們聊一下如何優(yōu)化寄生電感對(duì)電路的影響。
2022-11-22 09:07:352014 IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:111891 階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開(kāi)啟。
2023-07-14 15:04:191585 
階段2(tl—t2)：在t1時(shí)刻，VGE>Vth，溝道開(kāi)啟，電子開(kāi)始通過(guò)溝道注入到基區(qū)，同時(shí)背面的集電極開(kāi)始向基區(qū)內(nèi)注入空穴，集電極開(kāi)始產(chǎn)生電流IC，此時(shí)IC<IL，隨著溝道開(kāi)啟程度的增加，IC逐漸增大。
2023-07-14 15:10:052704 在PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）設(shè)計(jì)中，過(guò)孔寄生電感是一個(gè)重要的考慮因素。當(dāng)電流通過(guò)PCB的過(guò)孔時(shí)，由于過(guò)孔的幾何形狀和布局，會(huì)產(chǎn)生一定的寄生電感。這種寄生電感可能會(huì)
2024-03-15 08:19:533861 
總結(jié)一些設(shè)計(jì)法則?！ 艠O電阻：其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生電感與電容振蕩，限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值?！ 艠O電阻值小——充放電較快，能減小開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗，增強(qiáng)工作
2011-08-17 09:26:02
過(guò)程是否有電壓尖峰，評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路；5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量；6、測(cè)量母排的雜散
電感；
雙脈沖測(cè)試原理圖1
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路及理想波形
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)電路及電路拓?fù)?/div>
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請(qǐng)教下雙脈沖測(cè)試的幾個(gè)參數(shù)問(wèn)題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管，開(kāi)關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測(cè)試，有幾個(gè)疑問(wèn)：（1）測(cè)試時(shí)的最大電流是按額定75A來(lái)，還是150A
2019-11-06 20:47:30
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試雙脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見(jiàn)附件。
2020-06-28 11:21:33
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
性能影響較大，在調(diào)整該值時(shí)，除了理論計(jì)算外，工程師會(huì)結(jié)合雙脈沖試驗(yàn)的測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)驗(yàn)證并調(diào)整，以達(dá)到較好的開(kāi)關(guān)效果?！ ∽钚〉腞gon（開(kāi)通電阻）由開(kāi)通的di/dt限制；最小的Rgoff（關(guān)斷電阻）由關(guān)斷
2021-02-23 16:33:11
最近在整理電感的內(nèi)容，忽然就有個(gè)問(wèn)題不明白了：寄生電感怎么來(lái)的呢？一段直直的導(dǎo)線怎么也會(huì)存在電感，不是只有線圈才能成為電感嗎？想到以前看的書(shū)，這個(gè)寄生電感的存在大家都默認(rèn)是有的，貌似也沒(méi)有人懷疑這個(gè)
2021-01-28 07:00:38
在MOS管中 寄生電阻、電感、電容過(guò)大過(guò)小可能對(duì)雙閉環(huán)電路產(chǎn)生的短路/短路故障，根據(jù)輸出的電壓波形做具體的分析判斷，可以倒推出MOS管中具體哪部分出的問(wèn)題附件中列出了可能的故障類(lèi)型，是否可以調(diào)節(jié)具體的參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)？ 謝謝
2020-05-23 23:48:06
了主要的電路寄生參數(shù)以及 RC 電路。圖中，Vds 為 SiC-MOSFET 模塊關(guān)斷電壓；Vdc 為雙脈沖實(shí)驗(yàn)電源電壓；Lds 為 SiC-MOSFET 模塊內(nèi)部寄生電感；L 表示負(fù)載電感器；Lbus
2025-04-23 11:25:54
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接？為什么我畫(huà)的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上？
2018-11-15 13:26:27
【推薦】雙脈沖測(cè)量解決方案 現(xiàn)在在越來(lái)越多的功率器件測(cè)量中比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)，這些功率器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度，能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源
2020-02-14 11:16:06
器件的柵極、源極，LD為漏極的封裝電感，LS為源極的封裝電感，LG為柵極的封裝電感，RG為內(nèi)部的柵極電阻總和。 圖1：功率MOSFET的寄生參數(shù)模型 電感中流過(guò)變化的電流時(shí)，其產(chǎn)生的感應(yīng)電
2020-12-08 15:35:56
我上murata官網(wǎng)看了半天電容的datasheet，他就說(shuō)自己是低寄生電感，具體多低，也沒(méi)說(shuō)清楚。是我自己沒(méi)找到還是datasheet里原本就沒(méi)？如果沒(méi)有的話，寄生電感的數(shù)值只能瞎猜嗎？
2019-12-28 16:39:18
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門(mén)極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
IGBT的英文全稱(chēng)是Insulated Gate Bipolar Transistor，譯為絕緣柵雙極型晶體管。IGBT是由場(chǎng)效應(yīng)管和大功率雙極型三極管構(gòu)成的，IGBT將場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)速度快、高頻
2023-02-03 17:01:43
速度，抑制過(guò)沖，但這會(huì)造成相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于采用標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝的快速開(kāi)關(guān)器件，總是存在效率與易用性的折衷問(wèn)題。 在處理電路板布局和器件封裝產(chǎn)生的寄生電感時(shí)，快速開(kāi)關(guān)器件接通和關(guān)斷控制是關(guān)鍵問(wèn)題
2018-10-08 15:19:33
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT？單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT有什么長(zhǎng)處？
2021-04-20 06:43:15
目前查了資料，有個(gè)預(yù)想用IGBT H 橋控制一個(gè)DC220V 50A的電感，用SG3525做PWM波形發(fā)生器，用專(zhuān)用芯片TL250驅(qū)動(dòng)IGBT，因?yàn)閹У脑榇?b class="flag-6" style="color: red">電感原件，通DC220V電源，電流50A，我查很多資料都有電感和脈沖變壓器，我想問(wèn)問(wèn)這個(gè)設(shè)計(jì)里面不用電感和脈沖變壓器可以不？先求證一下，
2015-11-14 21:46:10
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測(cè)試方法的意義（1） 對(duì)比不同的IGBT 的參數(shù) ， 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
12mW。開(kāi)關(guān)事件第二階段的特點(diǎn)是二極管出現(xiàn)反向恢復(fù)峰值電流以及IGBT實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的壓降。寄生電感的增大會(huì)導(dǎo)致延遲反向恢復(fù)峰值電流，從而提高第二階段的開(kāi)關(guān)損耗。就整個(gè)開(kāi)關(guān)事件而言，寄生電感的增大
2018-12-10 10:07:35
電容器的雜散電感和寄生電感的區(qū)別是什么？
2023-04-11 16:59:39
的廣泛應(yīng)用，線路寄生電感引發(fā)的過(guò)電壓、振蕩和損耗問(wèn)題日益突顯。
一、線路寄生電感
在電路布局中，導(dǎo)線并非理想的無(wú)感導(dǎo)體。電流通過(guò)導(dǎo)線時(shí)，導(dǎo)線周?chē)鷷?huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，磁場(chǎng)變化又會(huì)在導(dǎo)線中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，形成寄生電感
2025-07-02 11:22:49
`磁芯對(duì)電感寄生電容的影響`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯對(duì)電感寄生電容的影響`
2012-08-14 09:49:47
高速信號(hào)PCB布線中降低寄生電感的具體措施
2021-03-08 08:49:46
鐵氧體電感器在較高頻率時(shí)可等效為“電阻、電感”的串聯(lián)支路與一寄生電容的并聯(lián)，該電容的存在對(duì)電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環(huán)形電感器2D平行平面場(chǎng)和3D
2009-04-08 15:45:17
66 利用PCB 線圈消除濾波電容器的寄生電感
摘要：電源系統(tǒng)中，EMI 濾波器是抑制電磁干擾的重要部件，但是其高頻性能受限于元器件的寄生效應(yīng)。本文針對(duì)差模
2009-11-16 11:38:3733 有效抑制IGBT模塊應(yīng)用中的過(guò)電壓寄生雜散電感會(huì)使快速IGBT關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓尖峰，通常抑制過(guò)電壓法會(huì)增加IGBT開(kāi)關(guān)損耗或外圍器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5250 全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要：文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的IGBT脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過(guò)程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路
2009-07-27 08:41:101382 
IGBT(NPT型結(jié)構(gòu))的寄生組件和等效電路
2010-02-17 17:21:382249 
具有寄生晶體管的IGBT等效電路
2010-02-17 23:09:371156 
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
2010-02-17 23:13:351646 
Econo FourPACK IGBT模塊是一種專(zhuān)門(mén)為緊湊型全橋輸出的雙變換不闖斷電源開(kāi)發(fā)的低寄生電感模塊。與傳統(tǒng)的IGBT半橋模塊設(shè)計(jì)習(xí)慣采用兩條直流母線排的形式不同，Econo封裝使用焊接式引腳方便使用PCB板疊層母線。這種封裝形式的模塊已在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中大量使用。通過(guò)
2011-03-15 00:45:53184 基于課題建設(shè)的需要，需對(duì)某型雷達(dá)脈沖調(diào)制器進(jìn)行固態(tài)化改造，為達(dá)到經(jīng)濟(jì)省時(shí)的目的，采用了設(shè)計(jì)與仿真的方法。應(yīng)用新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT替代電真空器件，設(shè)計(jì)了單片機(jī)控制的固
2011-05-05 15:56:3272 文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的 IGBT 脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過(guò)程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路采用全橋 PWM 工作方式，該電源具有很高的可靠性和良好的動(dòng)態(tài)
2011-12-19 13:42:14101 提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成，由單片機(jī)來(lái)控制IGBT的觸發(fā)，其設(shè)計(jì)輸出為方波，電壓幅值在50 100 kV可調(diào)，脈沖寬度在l～10 s可調(diào)，頻率在1～
2011-12-19 14:04:33125 全橋型IGBT脈沖激光電源電路V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲(chǔ)能電容.
2011-12-19 14:44:262675 
隨著各種要求提高，PCB布線技術(shù)需要滿足新興轉(zhuǎn)換器的要求。為了比較各種布線缺陷的影響，我們重點(diǎn)研究電路中寄生電感的影響，尤其是那些與開(kāi)關(guān)MOSFET的源、漏、柵極相關(guān)的寄生電
2013-01-21 10:54:3711748 
MOS門(mén)極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過(guò)電容器，會(huì)看到它的極板是用長(zhǎng)達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的，其層狀就像一個(gè)幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5545254 
的重要因素?；趬航邮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法，分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系，并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 本文開(kāi)始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測(cè)量?jī)x的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過(guò)孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。
2018-03-28 14:50:4244534 
IGBT的雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體，首先：
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:002 寄生電感一半是在PCB過(guò)孔設(shè)計(jì)所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中，過(guò)孔的寄生電感帶來(lái)的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來(lái)簡(jiǎn)單地計(jì)算一個(gè)過(guò)孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3321439 最近在整理電感的內(nèi)容，忽然就有個(gè)問(wèn)題不明白了：寄生電感怎么來(lái)的呢？一段直直的導(dǎo)線怎么也會(huì)存在電感，不是只有線圈才能成為電感嗎？
2022-02-12 09:22:594790 
最近在整理電感的內(nèi)容，忽然就有個(gè)問(wèn)題不明白了：寄生電感怎么來(lái)的呢？一段直直的導(dǎo)線怎么也會(huì)存在電感，不是只有線圈才能成為電感嗎？
2021-03-01 10:04:4219 在關(guān)斷IGBT過(guò)程中，IGBT電流急劇變化，由于有寄生電感的存在，會(huì)在IGBT上產(chǎn)生電壓尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如圖1所示。
2021-03-15 15:39:394598 
大功率的大電流大電壓中對(duì)于雜散電感Ls的關(guān)注就比較多，而小功率中可能就不會(huì)太看重。今天我們就來(lái)聊聊IGBT中涉及到的寄生參數(shù)。
2021-06-12 10:29:0013680 
對(duì)雙脈沖測(cè)試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測(cè)試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容 寄生電容： 本質(zhì)上還是電容，滿足i=c*du/dt。 電容是用來(lái)衡量?jī)?chǔ)存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5519876 
LP6451內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管，構(gòu)成同步Buck電路中所必須的上管和下管，同樣由于PCB上的走線，Die與芯片引腳之間Bonding線都會(huì)帶來(lái)寄生電感，我們?cè)诜治鯨P6451的MOS管應(yīng)力時(shí)，就需要把這些寄生電感都考慮進(jìn)來(lái)，而圖1就是LP6451功率部分的實(shí)際等效電路圖。
2022-11-15 09:27:272733 在實(shí)際電路中，寄生電感最主要的來(lái)源是PCB上的走線以及過(guò)孔，PCB板上的走線長(zhǎng)度越長(zhǎng)，過(guò)孔的深度越大,寄生電感就越大。
2022-12-28 18:05:494132 
；若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊上管，則下管截止。 當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，電容池給空心電感充電；當(dāng)下管截止時(shí)，空心電感與上管的二極管構(gòu)成回路并續(xù)流。 二、短路測(cè)試。 仍然使用雙脈沖測(cè)試的框圖。 有兩種短路測(cè)試方法： 1
2023-02-22 15:16:184 ； IGBT關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩； IGBT開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間； 測(cè)量母線的雜散電感。（二）IGBT雙脈沖測(cè)試的原理 所謂IGBT雙脈沖測(cè)試就是 上管持續(xù)關(guān)斷 、 下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2023-02-22 15:07:1519 開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被
測(cè)雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測(cè)這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測(cè)試法’。
2023-02-22 14:25:005 ??在LTspice中沒(méi)有雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個(gè)雙脈沖的波形只能用電壓源來(lái)進(jìn)行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫(xiě)了一個(gè)雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。 雙脈沖波形發(fā)生器?！ ∪缦?，該元器件可以
2023-02-23 15:47:208 該信號(hào)發(fā)生器主要用于IGBT單脈沖、雙脈沖、短路測(cè)試發(fā)波控制，使用單USB口連接，集成供電、發(fā)波控制、程序升級(jí)于一體，
上位機(jī)串口發(fā)波控制，可靈活控制發(fā)送1~200uS波形，最小精度1uS，同時(shí)提供+5V和+15V兩種電平方便匹配不同驅(qū)動(dòng)板，上位機(jī)
控制方便易上手配置簡(jiǎn)單。
2023-02-23 15:30:085 IGBT雙脈沖測(cè)試matlab仿真模型，電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測(cè)試驗(yàn)證，學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開(kāi)關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測(cè)試驗(yàn)證資料，全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被
2022-05-26 09:52:273761 
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類(lèi)功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動(dòng)態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測(cè)試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。通過(guò)對(duì)動(dòng)態(tài)特性
實(shí)驗(yàn)平臺(tái)關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行有限元仿真計(jì)算，實(shí)現(xiàn)平臺(tái)回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:281 如何減少導(dǎo)線的寄生電感？? 引言： 隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，對(duì)于高速數(shù)據(jù)傳輸和高頻信號(hào)的傳輸要求也越來(lái)越高。然而電學(xué)特性的限制使得對(duì)導(dǎo)線的寄生電感逐漸成為制約高頻電路性能的瓶頸之一。降低寄生電感
2023-09-05 17:29:319178 了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法，借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:322891 
雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)對(duì)于電力電子工程師來(lái)說(shuō)，功率元件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象，而IGBT由于其優(yōu)良的特性被廣泛應(yīng)用于功率元件。功率元件的效率、保護(hù)功能、EMC等性能與IGBT的應(yīng)用設(shè)計(jì)密切相關(guān)
2023-10-13 10:34:334422 
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)；
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:328494 
寄生電感的影響
2023-11-29 16:32:261988 
寄生電感的介紹
2023-11-29 16:41:123605 
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:354596 
從式中可以看出：過(guò)孔的直徑對(duì)寄生電感的影響較小，而長(zhǎng)度才是影響寄生電感的關(guān)鍵因素。所以，在設(shè)計(jì)電路板時(shí)，要盡量減小過(guò)孔的長(zhǎng)度，以提高電路的性能。
2024-02-27 14:28:573118 本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生
2024-03-07 08:13:082241 振蕩的原因 寄生參數(shù)的影響 寄生電容 ：IGBT的寄生電容包括柵極-發(fā)射極電容（C_{GE}）、柵極-集電極電容（C_{GC}）和發(fā)射極-集電極電容（C_{EC}）。這些電容在開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生充電和放電，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)振蕩。 寄生電感 ：IGBT的寄生電感主要來(lái)自于驅(qū)動(dòng)電路
2024-07-25 10:38:5110022 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)速度和性能。 一、IGBT寄生
2024-08-07 17:49:252947 貼片合金電阻在電子電路中應(yīng)用廣泛，尤其是在高精度測(cè)量和功率應(yīng)用中被頻繁使用。然而，在高頻或?qū)纫筝^高的應(yīng)用中，寄生電感成為一個(gè)不可忽視的問(wèn)題。
2024-11-06 09:52:201545 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等； 2、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002623 
是否過(guò)關(guān)，雙脈沖測(cè)試（Double Pulse Test）成為了一項(xiàng)重要的測(cè)試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT雙脈沖測(cè)試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
?無(wú)需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測(cè)試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測(cè)試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 寄生電感是誘發(fā)電流采樣失真的典型隱性干擾源，其主要源于PCB布線、元件引腳及外接導(dǎo)線等環(huán)節(jié)。在電流變化過(guò)程中，寄生電感會(huì)感應(yīng)生成電動(dòng)勢(shì)，直接破壞采樣精度。尤其在高頻、大電流應(yīng)用場(chǎng)景下，即便nH級(jí)
2025-12-09 09:46:16191 
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