設(shè)備載荷，但同時(shí)對(duì)散熱要求就更高。這也意味著需要更加先進(jìn)，更匹配，更環(huán)保的PCB板———
氮化硅陶瓷基板。為什么說(shuō)
氮化硅陶瓷基板是最適合新能源汽車(chē)的PCB板呢？
氮化硅在高溫下具有高強(qiáng)度和斷裂韌性?？梢?/div>
2021-01-21 11:45:54
了母線設(shè)計(jì)，減少系統(tǒng)中的諧波電流電感。低電感設(shè)計(jì)：兼容快速開(kāi)關(guān)，減少動(dòng)態(tài)損耗，提高了整體效率。氮化硅AMB基板和高穩(wěn)定性焊料：提高了產(chǎn)品使用壽命和安全可靠性。直接門(mén)驅(qū)動(dòng)器配合：實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計(jì)，同時(shí)保證
2025-06-25 09:13:14
堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)用于自動(dòng)拾取和插入聚酰亞胺劃痕保護(hù)快速切換速度：20nSLow Capacitance：50FF氮化硅鈍化MA4FCP305產(chǎn)品詳情MA4FCP305列由硅芯片倒裝PIN二極管
2018-11-16 11:53:06
可以做得更大，成長(zhǎng)周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無(wú)線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問(wèn)題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來(lái)阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品?！ ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
`氮化鋁陶瓷基板因其熱導(dǎo)率高、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)低及高頻性低損耗等優(yōu)點(diǎn)廣為人知，在LED照明、大功率半導(dǎo)體、智能手機(jī)、汽車(chē)及自動(dòng)化等生活與工業(yè)領(lǐng)域得到大量應(yīng)用。但氮化鋁陶瓷散熱基板制備廠商主要
2020-11-16 14:16:37
的產(chǎn)品應(yīng)用，氮化硅后續(xù)的應(yīng)用要求銅厚也有低的（一些要求電流不高的IGBT模塊）碳化硅陶瓷優(yōu)勢(shì)：在高達(dá)1400℃的溫度下，碳化硅甚至仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高
2021-04-25 14:11:12
氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱 9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層 10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅 11、利用光刻技術(shù)和離子
2011-12-01 15:43:10
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái)，低碳生活也是隨之而來(lái)，隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場(chǎng)也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
膜，以及高分子膜和金屬膜等。由于在表面硅MEMS加工技術(shù)中最常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它們通常采用LPCVD或PECVD來(lái)制作。2、PECVD制膜技術(shù)PECVD法是利用輝光放電的物理作用
2018-11-05 15:42:42
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國(guó)Aviza工藝公司開(kāi)發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進(jìn)行氮化硅沉積。這個(gè)工藝使用一
2009-06-12 21:08:29
1232 PECVD原理
PECVD作用：在硅片表面鍍上一層深藍(lán)色的氮化硅膜，可以充分吸收太陽(yáng)光，降低反射，并且氮化硅膜有鈍化的作用，保護(hù)電池
2010-07-18 11:29:189295 在太陽(yáng)電池表面形成一層減反射薄膜是提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率比較可行且降低成本的方法。應(yīng)用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)，采用SiH4和NH3氣源以制備氮化硅薄膜。研究探
2011-07-25 11:30:287663 
針對(duì)激光在傳輸過(guò)程中的光能損失 ，本文根據(jù)光學(xué)薄膜理論，設(shè)計(jì)制備了減反射膜和抗激光的高反射膜，并對(duì)激光膜的鍍膜材料 、膜系設(shè)計(jì)、沉積工藝及離子輔助沉積等參數(shù)進(jìn)行了深入研究。研究結(jié)果表明，制備的減反膜
2017-11-09 11:14:11
6 針對(duì)目前氮化硅陶瓷球材料性能評(píng)價(jià)體系不完善，以及各個(gè)廠家生產(chǎn)的陶瓷球質(zhì)量參差不齊的問(wèn)題，對(duì)3個(gè)較著名廠家（記為A、B、C）的陶瓷球的密度、顯氣孔率、硬度、斷裂韌性及壓碎載荷等主要性能參數(shù)進(jìn)行了研究
2018-03-20 15:53:131 CMOS 工藝流程介紹
1.襯底選擇：選擇合適的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；
2. 開(kāi)始：Pad oxide 氧化，如果直接淀積氮化硅，氮化硅對(duì)襯底應(yīng)力過(guò)大，容易出問(wèn)題；
2020-06-02 08:00:000 瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)，得到了創(chuàng)記錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。
2021-05-06 14:27:393272 據(jù)報(bào)道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學(xué)性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無(wú)法實(shí)現(xiàn)所需的各項(xiàng)功能，因此出現(xiàn)了新的材料平臺(tái)。氮化硅（Si3N4）就是其中
2021-05-07 16:00:103887 
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386263 在中紅外波長(zhǎng)下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過(guò)層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:572046 
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來(lái)了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A林科納使用淺溝槽隔離技術(shù)將半導(dǎo)體制造成無(wú)漏
2021-12-28 16:38:088494 
摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻?b class="flag-6" style="color: red">氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋光。金剛石成核和生長(zhǎng)運(yùn)行在微波等離子體化學(xué)氣相
2022-01-21 15:02:041353 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在
2022-02-15 11:11:144832 
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長(zhǎng)下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術(shù)制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:591360 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過(guò)所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:382023 
硅局部氧化(LOCOS)的隔離效果比整面全區(qū)覆蓋式氧化效果好。LOCOS工藝使用一層很 薄的二氧化硅層200-500A作為襯墊層以緩沖LPCVD氮化硅的強(qiáng)張力。經(jīng)過(guò)氮化硅刻蝕、光 刻膠剝除和晶圓清洗后，沒(méi)有被氮化硅覆蓋的區(qū)域再生長(zhǎng)出一層厚度為3000?5000 A的氧化 層。
2022-08-12 11:18:0510822 在半導(dǎo)體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝， 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā)， 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素， 并通過(guò)
2022-08-30 16:41:597112 
通過(guò)圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過(guò)程稱為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 材料。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡，也是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。因此，Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領(lǐng)域具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 過(guò)去，電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料，以滿足整
2022-10-07 10:22:002711 
。但是，作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導(dǎo)體元件是散熱還是冷卻，提高作為熱傳導(dǎo)介質(zhì)的氮化硅陶瓷基板的熱傳導(dǎo)性是主要問(wèn)題。
2022-10-13 16:29:581356 如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機(jī)械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件，適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里，我們概述了制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的最新進(jìn)展。
2022-11-10 10:01:333478 2022年9月，威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模，高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平，突破了西方先進(jìn)國(guó)家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)我國(guó)“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:576784 
針對(duì)越來(lái)越明顯的大功率電子元器件的散熱問(wèn)題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機(jī)械性能和介電性能等方面的最新研究進(jìn)展作了詳細(xì)論述
2022-12-06 09:42:401771 綜合上述研究可發(fā)現(xiàn)，雖然燒結(jié)方式不一樣，但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)，需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素，因此找到一種快速、簡(jiǎn)便、低成本的燒結(jié)工藝是關(guān)鍵。
2022-12-06 10:30:395497 優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子器件封裝。 由于具有優(yōu)異的硬度、機(jī)械強(qiáng)度和散熱性，氮化硅陶瓷和氮化鋁陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板，同時(shí)它們也具有不同的性能和優(yōu)勢(shì)。以下就是區(qū)別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導(dǎo)熱
2022-12-09 17:18:242741 
采用如圖2所示工藝制備獲得石墨烯納米孔。首先，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法在硅片兩側(cè)沉積200 nm的低應(yīng)力氮化硅（Si3N4）薄膜。隨后，通過(guò)光刻與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）工藝在背面Si3N4薄膜上刻蝕出硅基體釋放窗口。接著使用氫氧化鉀（KOH）刻蝕基體硅
2022-12-15 16:45:001727 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第三代半導(dǎo)體材料也相繼問(wèn)世，將當(dāng)代的信息技術(shù)推向了更高的臺(tái)階。
2023-02-06 17:02:523512 來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 12/1月刊 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車(chē)級(jí)CMOS生產(chǎn)線。在過(guò)去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料
2023-02-10 17:10:041381 現(xiàn)今，氮化硅（SiN）為光子集成提供了更多的途徑，包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車(chē)級(jí)CMOS生產(chǎn)線。在過(guò)去的幾年里，SiN緊隨確立已久的硅光子學(xué)之后，該材料平臺(tái)已經(jīng)成熟，并在光子集成電路（PIC）市場(chǎng)上，為那些需要非常低傳播損耗、可見(jiàn)波長(zhǎng)或高激光功率的應(yīng)用提供了新的機(jī)會(huì)。
2023-02-15 16:37:091407 
。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強(qiáng)度和模量確實(shí)優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強(qiáng)度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，被認(rèn)為是增強(qiáng)金屬和陶瓷材料的理想增強(qiáng)組元。
2023-02-21 09:13:470 國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
2023-03-15 17:22:552353 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場(chǎng)景中快速的上下運(yùn)動(dòng)，氮化硅磨介圈在大的球磨機(jī)里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅磨介圈
2023-03-31 11:40:351977 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:402778 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過(guò)添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無(wú)壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:463457 新能源電動(dòng)汽車(chē)爆發(fā)式增長(zhǎng)的勢(shì)頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，對(duì)提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:452666 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:161374 
的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點(diǎn)也日益突出，如較低的理論熱導(dǎo)率和較差的力學(xué)性能等，嚴(yán)重阻礙了其發(fā)展。相比于傳統(tǒng)陶瓷基板材料，氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:123349 
目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國(guó)家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開(kāi)始退出歷史的舞臺(tái)。
2023-06-27 15:03:561588 
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:064579 
氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:232822 氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過(guò)摻雜來(lái)調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:438300 等技術(shù)，在聚合物基材上形成?層透明導(dǎo)電膜。其中，物理?相沉積和溶液法是?前應(yīng)?最?泛的制備?法。 ?、柔性光電膜的制備過(guò)程需要控制好制備條件，以保證薄膜的質(zhì)量和均勻性。?般來(lái)說(shuō)，柔性光電膜的制備過(guò)程包括以下步驟： 透明導(dǎo)電膜
2023-07-17 15:29:021713 以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池片
2023-09-27 08:35:497025 
）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)，工藝良率超95%。 ? 相對(duì)于傳統(tǒng)硅光技術(shù)，氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優(yōu)點(diǎn)。此外，氮化硅硅光芯片也是優(yōu)異的多材料異質(zhì)異構(gòu)平臺(tái)，可集成磷化銦（InP）、鈮酸鋰（LiNbO?）等材料，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用更
2023-11-17 09:04:543703 、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細(xì)介紹碳化硅和氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結(jié)構(gòu)，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點(diǎn)、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:514542 京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡(jiǎn)稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:061243 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:094881 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計(jì) PECVD 路線有望成為未來(lái)新方向。
2023-12-26 14:59:1117304 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 、介電常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，在集成電路制造領(lǐng)域被廣泛用作表面鈍化層、絕緣層、擴(kuò)散阻擋層、刻蝕掩蔽膜等。 LPCVD?和?PECVD?制備氮化硅薄膜特性對(duì)比（下表） 低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）氮化硅工藝需要高溫，通常在?700~800°C，而等離子體增強(qiáng)
2024-11-24 09:33:392761 
小、化學(xué)穩(wěn)定性好以及介電常數(shù)高等一系列優(yōu)點(diǎn)。本文將主要介紹了氮化硅薄膜的制備方法、特性及其在半導(dǎo)體器件制造中的具體應(yīng)用，重點(diǎn)對(duì)比低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）兩種制備工藝，并詳細(xì)解析低應(yīng)
2024-11-29 10:44:513427 
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
2025-02-07 09:44:141237 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051133 
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531996 
在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開(kāi)它的參與。從其構(gòu)成來(lái)看，氮化硅屬于無(wú)機(jī)化合物，由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合，卻蘊(yùn)含著諸多獨(dú)特的性質(zhì)，在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
2025-04-22 15:23:332495 
很多行業(yè)的人都在好奇一個(gè)問(wèn)題，就是spm清洗會(huì)把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實(shí)踐與理論，給大家找到一個(gè)結(jié)果，感興趣的話可以來(lái)看看吧。 SPM清洗通常不會(huì)去除氮化硅（Si?N?），但需注意特定條件
2025-04-27 11:31:40867 本文介紹了通過(guò)LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛，可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學(xué)腐蝕，疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
2025-05-09 10:07:121114 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231755 
在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問(wèn)題卻成為了制約其產(chǎn)品
2025-07-05 18:04:002005 氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合，已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性，為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、氮化硅
2025-07-12 10:17:2014194 
氮化硅陶瓷導(dǎo)熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能，在電子行業(yè)，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域，正扮演著越來(lái)越重要的角色。
2025-07-25 17:58:54827 氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
2025-07-25 17:59:551453 在新能源汽車(chē)快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術(shù)演進(jìn)直接影響著整車(chē)的能效和可靠性。在眾多陶瓷材料中，氮化硅(Si?N?)憑借其獨(dú)特的性能
2025-08-02 18:31:094296 氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環(huán)境（H2, CO）中的應(yīng)用分析 在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電等領(lǐng)域的功率模塊應(yīng)用中，逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰(zhàn)，有時(shí)還需耐受如氫氣（H2）、一氧化碳（CO
2025-08-03 11:37:341292 氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場(chǎng)封裝的關(guān)鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其獨(dú)特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場(chǎng)環(huán)境下電磁干擾引發(fā)的信號(hào)失真、串?dāng)_和成型缺陷
2025-08-05 07:24:00858 熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動(dòng)化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過(guò)程中的可靠性和耐久性。本文首先分析氮化硅陶瓷的物理化學(xué)性能，然后
2025-11-23 10:25:252123 
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發(fā)
2025-12-21 08:46:471582 
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