在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。盡管它可能并未獲得和其他更為熟知的半導(dǎo)體材料，如硅（Si）、砷化鎵（GaAs）或氮化鎵（GaN）等同樣的關(guān)注，但它的重要性是毋庸置疑的?？梢赃@么說，絕大多數(shù)芯片都會用到這種材料。

1.為什么是SiNx?

細(xì)心的小伙伴已經(jīng)注意到，我在書寫氮化硅化學(xué)式的時候用的是SiNx.學(xué)過高中化學(xué)的朋友都應(yīng)該知道，N是第五主族元素，按理說化合價應(yīng)該為-3，而硅的化學(xué)價為+4，氮化硅的化學(xué)式應(yīng)該為Si3N4才對，怎么會是SiNx?

首先，要說說氮的多價態(tài)：

氮元素具有多種價態(tài)，這主要是因為它具有5個價電子，且氮原子能以不同方式共享這些電子，氮元素可以形成不同的價態(tài)，這主要取決于它與其他元素共享電子的數(shù)量。

對于氮來說，它最穩(wěn)定的價態(tài)是-3，如在氨（NH3），氮化鎵（GaN）中。然而，氮也可以通過損失電子形成正價態(tài)，如在硝酸（HNO3）中的+5價態(tài)。此外，氮也可以形成介于-3和+5之間的價態(tài)，如在亞硝酸（HNO2）中的+3價態(tài)，或在一些有機化合物中的+1和+2價態(tài)。

其次，說說氮化硅這種材料：

在半導(dǎo)體工業(yè)中，用于各種應(yīng)用的氮化硅往往是非定比的，一般用SiNx表示。SiNx是一種非晶態(tài)材料，其性質(zhì)取決于氮和硅的比例，即x的值。當(dāng)x的值改變時，氮化硅的物理和化學(xué)性質(zhì)也會改變。氮化硅的確有多種形式，包括Si3N4，Si2N2，SiN等。

而Si3N4是一種晶態(tài)材料，這意味著它的硅和氮的比例是固定的。當(dāng)x的值等于4/3時，SiNx等于Si3N4。但在實際應(yīng)用中，SiNx往往是非定比的，其硅和氮的比例可以通過改變PVD或CVD過程的參數(shù)進(jìn)行調(diào)控。

2.SiNx在芯片制造中的作用？

氮化硅的絕緣性能非常優(yōu)秀，電阻率可以高達(dá)10^14 Ω·cm，遠(yuǎn)超過一些常見的絕緣材料，如氧化硅（SiO2）。而它的低介電常數(shù)又使得它在微波和射頻應(yīng)用中成為理想的隔離層。氮化硅層在芯片中也起到阻擋雜質(zhì)擴散的作用。它可以阻止硼、磷等摻雜物通過擴散改變器件特性。此外，它還可以阻止金屬離子等的擴散，以防止短路等故障。

氮化硅的熱穩(wěn)定性極佳，是由其特殊的化學(xué)性質(zhì)和晶體結(jié)構(gòu)決定的。它可以在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定，而不會像其他材料那樣發(fā)生化學(xué)分解或者物理形狀的變化。那是因為在氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，每一個硅原子都與四個氮原子以四面體的形式結(jié)合在一起，每一個氮原子也都與四個硅原子以四面體的形式結(jié)合在一起。這種結(jié)構(gòu)使得氮化硅的晶體格極為穩(wěn)定，不易發(fā)生形變。因此在制造高電子遷移率晶體管（HEMTs）時作為柵極絕緣層。

3.SiNx相對于SiO2的優(yōu)勢？

熱穩(wěn)定性更好、硬度更硬、更難刻蝕。





審核編輯：劉清