恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51:27
4629 通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場效應管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區(qū)域位于源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場效應晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
場效應晶體管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOS）、平面雙擴散型場效應晶體管（Planar MOS）和溝槽雙擴散型場效應晶體管（Trench MOS）。N溝道的橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據(jù)其分別可支持的開關速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據(jù)其分別可支持的開關速度
2019-03-27 06:20:04
`NPN中功率晶體管系列，采用表面貼裝器件（SMD）塑料封裝，具有大電流，高功耗，出色的導熱性和導電性等優(yōu)勢。n具有中等功率能力的無鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:00
26 30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 N加P溝道增強型MOSFET管
N加P溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 MOSFET的類型很多，按導電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導電溝道出現(xiàn)的關系可分為耗盡型和增強型。功率場效應晶體管一般為N溝道增強型。
2019-10-11 10:33:2910007 
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589888 
SPTECH硅NPN功率晶體管2N5240規(guī)格書.pdf
2021-12-28 11:22:148 N溝道增強型場效應晶體管LT10N02SI資料說明
2022-01-23 10:25:445 N溝道增強型場效應晶體管JHW10N60數(shù)據(jù)手冊
2022-01-23 10:53:161 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC54PA-Q_SER
2023-02-07 19:10:360 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP54_SER
2023-02-07 19:10:530 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCX54_SER
2023-02-07 19:11:100 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC54PA_SER
2023-02-07 19:11:210 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP54-Q_SER
2023-02-07 19:11:320 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCX54-Q_SER
2023-02-07 19:11:480 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BC53XPAS_SER
2023-02-07 20:11:320 45 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BC51XPAS_SER
2023-02-07 20:11:480 60 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BC52XPAS_SER
2023-02-07 20:12:060 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BC53XPAS-Q_SER
2023-02-07 20:32:420 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BSR43
2023-02-08 18:58:550 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BSR41
2023-02-08 18:59:060 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCX55_SER
2023-02-09 18:47:470 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCX55-Q_SER
2023-02-09 19:02:460 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP55-Q_SER
2023-02-09 19:10:380 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC55PA_SER
2023-02-09 19:11:100 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP55_SER
2023-02-09 19:14:180 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP56_SER
2023-02-09 19:14:540 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP56T_SER
2023-02-09 19:15:050 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP56T-Q_SER
2023-02-09 19:17:560 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCX56_SER
2023-02-09 19:19:091 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP56-Q_SER
2023-02-09 19:19:280 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC56PA_SER
2023-02-09 19:19:400 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BC56PA-Q_SER
2023-02-09 19:20:040 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCX56-Q_SER
2023-02-09 19:24:141 20 V、2 A NPN 中等功率晶體管-BC68PA-Q_SER
2023-02-09 21:26:470 20 V、2 A NPN 中等功率晶體管-BCP68-Q_SER
2023-02-09 21:27:000 20 V、2 A NPN 中等功率晶體管-BC868-Q_SER
2023-02-09 21:27:140 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BSR43-Q
2023-02-15 18:39:150 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BSR41-Q
2023-02-15 18:39:300 20 V、2 A PNP 中等功率晶體管-BC69PAS_SER
2023-02-17 19:00:120 20 V、2 A NPN 中等功率晶體管-BC68PAS_SER
2023-02-17 19:00:310 N溝道增強型垂直D-MOS晶體管-BSP89
2023-02-20 19:23:011 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP55T_SER
2023-02-20 19:55:450 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP54T_SER
2023-02-20 19:56:050 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP53T_SER
2023-02-20 19:56:191 60 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP52T_SER
2023-02-20 19:56:360 45 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP51T_SER
2023-02-20 19:56:470 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP56H_SER
2023-02-21 18:31:100 20 V、2 A PNP 中等功率晶體管-BCP69_BC869_BC69PA
2023-02-21 19:04:490 20 V、2A NPN 中等功率晶體管-BCP68_BC868_BC68PA
2023-02-21 19:05:090 60 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP55_BCX55_BC55PA
2023-02-21 19:05:200 45 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP54_BCX54_BC54PA
2023-02-21 19:05:340 60 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP52_BCX52_BC52PA
2023-02-21 19:05:470 45 V、1A PNP 中等功率晶體管-BCP51_BCX51_BC51PA
2023-02-21 19:06:020 80 V、1 A NPN 中等功率晶體管-BCP56_BCX56_BC56PA
2023-02-21 19:14:543 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP53_BCX53_BC53PA
2023-02-21 19:15:121 80 V、1 A PNP 中等功率晶體管-BCP53H_SER
2023-02-23 19:17:410 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 柵極則負責控制這個通道的導電性。 MOS晶體管既可以是N溝道（n-channel）型的，也可以是P溝道（p-channel）型的。N溝道型MOS晶體
2023-11-30 14:24:542649 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶體管BC53xPAS系列數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-19 10:24:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC56xPAS-Q系列NPN中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:21:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69-Q系列 PNP中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:34:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP69系列PNP中等功率晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:37:450 選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導通損耗
2025-11-05 15:53:52213 
選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設計用于通用放大器應用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實現(xiàn)最佳自動光學檢測（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12443 
整流、負載開關等中功率領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導
2025-11-27 14:53:22202 
開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_
2025-11-27 16:52:11394 
領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(
2025-11-28 12:03:51205 
選型手冊：VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威兆半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借
2025-11-28 12:14:04242 
領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS
2025-12-03 09:53:50220 
威兆半導體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01257 
/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適
2025-12-03 09:23:07272 
威兆半導體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32252 
威兆半導體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-08 10:59:34254 威兆半導體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型
2025-12-12 15:59:34330 威兆半導體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-15 15:03:39272 威兆半導體推出的VS6662GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-15 15:36:24225 
威兆半導體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-17 18:09:01211 
威兆半導體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品
2025-12-18 17:42:57177 
威兆半導體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-23 11:18:11199 威兆半導體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-262封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-26 11:50:1394 威兆半導體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-26 11:58:4295 
威兆半導體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451196 威兆半導體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-31 17:20:351311 威兆半導體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型
2026-01-04 16:31:5656 威兆半導體推出的VS3620GPMC是一款面向30V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2026-01-06 11:17:5474
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