電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）近日，一篇發(fā)布在《美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)·光子學(xué)》雜志上面的論文得到廣泛關(guān)注，荷蘭和英國(guó)科學(xué)家借助一種納米紋理結(jié)構(gòu)，使薄膜硅光伏電池變得不透明，并因此增強(qiáng)了其吸收太陽(yáng)光的效率
2022-03-31 06:39:00
5361 非晶硅太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的展望
1.
2009-12-28 09:10:273151 除了天然的特性，工藝方面，二者也大不相同。納米銀線(xiàn)技術(shù)是把納米銀線(xiàn)通過(guò)涂布工藝做出納米銀導(dǎo)電薄膜；而金屬網(wǎng)格則需要通過(guò)制作模具，把薄膜壓出線(xiàn)條，再把微米級(jí)的銀顆粒填充進(jìn)去。微米級(jí)的銀顆粒比納米級(jí)的銀線(xiàn)更粗，導(dǎo)電性固然更好。
2015-10-22 08:09:561874 的替代物。利用鍺有源層的高晶體質(zhì)量和非晶硅波導(dǎo)的易制造性，在鍺硅晶片上成功地實(shí)現(xiàn)了與非晶硅無(wú)源波導(dǎo)單片集成的低暗電流鍺波導(dǎo)PIN光電探測(cè)器。 介紹 近幾十年來(lái)，硅光子學(xué)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。其中，將阿格薄膜引入硅基平臺(tái)被證明
2021-12-24 10:42:402746 
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
【作者】：楚合群;陳劍鳴;吳光敏;周瑩;【來(lái)源】：《納米科技》2010年01期【摘要】：設(shè)計(jì)了一個(gè)以納米晶PZT為壓電薄膜的疊層型體聲波濾波器(SCFBAF),并在ANSYS11.0中用3D有限元
2010-04-24 09:00:23
納米硅粒子有較大的比表面，無(wú)色透明；粘度較低，滲透能力強(qiáng)，分散性能好。納米硅的二氧化硅粒子是納米級(jí)別，其粒徑小于可見(jiàn)光光波長(zhǎng)度，不會(huì)對(duì)可見(jiàn)光形成反射和折射等現(xiàn)象，因此不會(huì)使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
也表示，太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的大量電力也使得太陽(yáng)光吸收進(jìn)入納米線(xiàn)。 克羅格斯拉普稱(chēng)，多年來(lái)一直被視為太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率瓶頸的肖克利-奎伊瑟極限(SQ極限)看來(lái)有可能突破。盡管目前的研究結(jié)果只提高了幾個(gè)百分點(diǎn)
2013-12-03 12:38:29
求納米銀導(dǎo)電油墨在天線(xiàn)/RFID中的應(yīng)用前景
2020-01-21 08:51:34
Mesh印刷用納米銀漿特點(diǎn)：1、 低溫?zé)Y(jié)，可適用于PET、PI、環(huán)氧、PC等有機(jī)薄膜；2、 低阻值、導(dǎo)電效果好，少量充填即可達(dá)到低阻抗的導(dǎo)電線(xiàn)路；3 、納米等級(jí)離子可充填微孔；4 、熔融成高導(dǎo)通線(xiàn)路二
2020-04-14 09:26:12
永發(fā)金屬再生公司，專(zhuān)業(yè)回收..廢菲林..廢定影水。銀渣.報(bào)廢冷光片，橡皮布.醫(yī)院X光..電鍍水.脫金水，擺金水.含金銀鈀廢渣，電子鍍件.印.線(xiàn)路版.膠片.薄膜開(kāi)關(guān)，擦銀布，銀漿瓶，等..[中介有酬 歡迎有貨源的朋友合作回收].聯(lián)系電話(huà)***
2009-10-27 20:41:10
，極好的絲印效果；太陽(yáng)能電池、光伏電池（FV）專(zhuān)用。用于電池的引出電極和太陽(yáng)能電池硅片上的修補(bǔ)導(dǎo)電線(xiàn)路。BQ-6991：太陽(yáng)能電池非結(jié)晶硅電極用銀漿，具有很好的絲印特性。BQ-6993，耐高溫導(dǎo)電銀膠
2008-12-05 15:21:40
，極好的絲印效果；太陽(yáng)能電池、光伏電池（FV）專(zhuān)用。用于電池的引出電極和太陽(yáng)能電池硅片上的修補(bǔ)導(dǎo)電線(xiàn)路。BQ-6991：太陽(yáng)能電池非結(jié)晶硅電極用銀漿，具有很好的絲印特性。BQ-6993，耐高溫導(dǎo)電銀膠
2008-12-05 15:25:06
使用這些納米線(xiàn)陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對(duì)具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線(xiàn)太陽(yáng)能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
、纖維、超細(xì)粒子、多層膜、粒子膜及納米微晶材料等，一般是由尺寸在1～100nm的物質(zhì)組成的微粉體系。那么究竟什么是新型納米吸波涂層材料？ 新型納米吸波涂層材料有什么特性？
2019-08-02 07:51:17
低溫多晶硅制程是利用準(zhǔn)分子雷射作為熱源，雷射光經(jīng)過(guò)投射系統(tǒng)後，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的雷射光束，投射于非晶矽結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當(dāng)非晶矽結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準(zhǔn)分子雷射的能量后，會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)，因整個(gè)處理過(guò)程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可適用。
2019-09-18 09:11:05
薄膜太陽(yáng)能電池也是現(xiàn)在發(fā)展的比較好一點(diǎn)的電池，下面給大家分享四種薄膜太陽(yáng)能電池，大家可以對(duì)比一下看看哪一種最好。1.非晶硅。非晶硅薄膜是太陽(yáng)能電池核心原材料之一，也稱(chēng)微晶硅。按照材料的不同，當(dāng)前硅
2016-01-29 15:46:43
基于硅納米線(xiàn)的生物氣味傳感器是什么？硅納米線(xiàn)表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線(xiàn)的氣味識(shí)別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
的布線(xiàn)形成的過(guò)程。演示時(shí)，在事先用波長(zhǎng)為172nm的紫外線(xiàn)烙上圖案的薄膜上，滴下數(shù)滴每滴為1μL的銀納米墨，然后用刮刀掃過(guò)，形成圖案。 還做了設(shè)想用于觸摸面板傳感器的演示，在PET基材上，將布線(xiàn)寬度和布線(xiàn)
2016-04-26 18:30:37
了更加安全、便捷的使用體驗(yàn)。
這些實(shí)際案例充分證明了低溫納米燒結(jié)銀漿在提升指紋模組靈敏度方面的顯著效果，也讓我們看到了這種新型材料在指紋識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域的巨大應(yīng)用潛力 。
行業(yè)發(fā)展新契機(jī)
低溫納米燒結(jié)銀漿
2025-05-22 10:26:27
35KHZ，560V的方波輸入，選用納米晶磁環(huán)，重量約20kg左右，最大可以做到多少功率？
2022-07-21 11:44:35
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非晶硅太陽(yáng)電池電性能的測(cè)試方法的一般原則。本標(biāo)準(zhǔn)適用于各類(lèi)單非晶硅太陽(yáng)電池，集成型非晶硅太陽(yáng)電池，非晶硅太陽(yáng)電池組件，非晶硅太陽(yáng)電池板及方陣的測(cè)
2009-02-23 22:05:12
29 采用過(guò)濾陰極真空電弧技術(shù)以相同的工藝條件在p（100）單晶硅襯底上制備了不同厚度的四面體非晶碳薄膜，并利用表面輪廓儀測(cè)試薄膜的厚度和應(yīng)力，利用納米壓入儀測(cè)試薄膜的
2009-04-26 22:18:1127 高磁損耗納米晶顆粒是新型電磁波吸收材料的重要研究方向。該文以納米晶結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，從磁性納米晶交換耦合作用和納米小尺寸表面效應(yīng)出發(fā)，歸納了納米晶顆粒靜態(tài)磁化特性
2009-05-12 21:41:1833 研究了采用非晶退火法制備的Fe72. 7CuNb2V1. 8Si13. 5B9 納米晶合金材料制成的新型弱電流傳感器。它利用多諧振蕩橋勵(lì)磁的單納米晶磁芯雙繞組差動(dòng)對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。介紹了傳感器的工作原理,
2009-06-22 11:21:5420 非晶硅太陽(yáng)能電池:盡管單晶硅和多晶硅太陽(yáng)能電池經(jīng)過(guò)多年的努力已取得很大進(jìn)展，特別是轉(zhuǎn)換效率已超過(guò)20%，這些高效率太陽(yáng)能電池在空間技術(shù)中發(fā)揮了巨大的作用。但在地面應(yīng)
2009-11-24 17:54:4750 采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / IT
2010-10-26 16:27:2633 非晶硅 (ａ-硅)太陽(yáng)能技術(shù)光伏太陽(yáng)能發(fā)電板將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電力. 晶體硅技術(shù)是光伏工業(yè)使的原始材料技術(shù). 傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能發(fā)電板首先被廣泛應(yīng)用于太空衛(wèi)
2009-02-23 21:16:441969 什么是非晶硅，非晶硅的有什么作用？
目前研究得最多，實(shí)用價(jià)值最大的非晶態(tài)半導(dǎo)體主
2009-04-08 17:15:445720
光吸收率測(cè)量電路圖
2009-06-29 10:23:48836 
我們生產(chǎn)的非晶硅太陽(yáng)能電池板圖片
2009-10-31 11:04:431523 非晶硅太陽(yáng)能電池的應(yīng)用案例有哪些？
薄膜太陽(yáng)能電池作為一種新型太陽(yáng)能電池，由于其原材料來(lái)源廣泛、生產(chǎn)成本低、便于大規(guī)模生產(chǎn)，因而具有廣闊的市場(chǎng)前景。
2009-10-31 11:08:563562 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池有哪些優(yōu)點(diǎn)？
非晶硅太陽(yáng)能電池之所以受到人們的關(guān)注和重視,是因?yàn)樗哂腥缦轮T多的優(yōu)點(diǎn):
1.非晶硅具有較高的光吸收系數(shù).特別是在0.3-0
2009-10-31 11:13:592597 總投資12億元建設(shè)非晶硅薄膜電池項(xiàng)目落戶(hù)雙流
2009年11月5日7:36:09
11月4日，雙流縣、成都工業(yè)投資集團(tuán)、河北東旭集團(tuán)、韓國(guó)TES公司共同簽約
2009-11-05 07:33:17536
薄膜太陽(yáng)能電池主要有非晶硅、碲
2009-11-07 16:17:10526 材料，光吸收系數(shù)高，原料的使用非常少，因而成本較晶體硅太陽(yáng)能電池低很多。同時(shí)，薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工序能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)化，能夠生產(chǎn)大尺寸電池，易于規(guī)?；a(chǎn)。另外薄膜太陽(yáng)能電池還可使用柔性材料（如不
2009-11-07 16:19:381920
非晶硅光電池 a－Si（非晶硅）光電池一般采用高頻輝光放電方法使硅烷氣體分解沉積而成。由于
2009-11-09 09:21:16608 薄膜電池與晶硅電池的比較差異
薄膜電池發(fā)電原理與晶硅相似，當(dāng)太陽(yáng)光照射到電池上時(shí)，電池吸收光能產(chǎn)生光生電子—空穴對(duì)，在
2009-11-20 15:06:234801 非晶納米晶軟磁材料和電子變壓器市場(chǎng)分析
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，有源器件的進(jìn)步，電子產(chǎn)品體積和重量大為減少，這就推
2009-12-12 09:44:231658 非晶硅電池的優(yōu)點(diǎn)有哪些?
非
2009-12-28 09:28:403678 非晶硅薄膜電池的特性
2009-12-28 09:48:391836 非晶硅薄膜電池制造原理
2009-12-28 09:52:343072 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池原理第一篇
2009-12-29 08:37:351678 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池原理第二篇
2009-12-29 08:49:24879 可卷對(duì)卷制造的薄膜型非晶硅太陽(yáng)能電池
TDK在“CEATEC JAPAN 2009”上參考展出了可采用卷對(duì)卷(roll-to-roll)技術(shù)一條龍生產(chǎn)的
2010-01-13 09:14:551913 非晶和納米晶合金的比較
鐵基非晶合金在工頻和中頻領(lǐng)域，正在和硅鋼競(jìng)爭(zhēng)。鐵基非晶合金和硅鋼相比，有以下優(yōu)缺點(diǎn)。1）鐵基非晶合金的飽和
2010-02-06 15:38:229924 多晶硅四川230億資本轉(zhuǎn)戰(zhàn)薄膜太陽(yáng)能
曾瘋狂一時(shí)的多晶硅行業(yè)還在遭受陣痛，另一新領(lǐng)域——薄膜太陽(yáng)能已開(kāi)始受到資本追捧。3月19日，一座耗資12億元的非晶硅薄膜
2010-03-05 08:51:14783 非晶硅薄膜技術(shù)受追捧 電池產(chǎn)業(yè)化尚需謹(jǐn)慎
無(wú)錫尚德有關(guān)人士在17日舉行的第二屆中國(guó)國(guó)際太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)高峰論壇上表示，目前公
2010-03-18 08:43:14844 四川非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池和模組生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)建
一期投資12億元，我市首條60MW非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及模組生產(chǎn)線(xiàn)昨日在雙流開(kāi)工。國(guó)
2010-03-20 08:30:231217 雙流12億非晶硅項(xiàng)目開(kāi)工資本盯緊薄膜光伏電池
目前多晶硅產(chǎn)業(yè)因產(chǎn)能過(guò)剩正在遭受陣痛，多個(gè)企業(yè)命懸一線(xiàn)，然而光伏發(fā)
2010-03-20 08:35:531228 非晶硅薄膜電池成資本新寵
在2日、17日和經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報(bào)記者的兩次通話(huà)中，山東瑞陽(yáng)硅業(yè)科技有限公司總經(jīng)理張燦華先后講述了他的一
2010-03-20 08:45:571411 非晶硅薄膜技術(shù)受追捧
核心提示：從目前公布2010年項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃的地區(qū)來(lái)看，非晶硅薄膜電池生產(chǎn)線(xiàn)被列為不少地區(qū)的重點(diǎn)建設(shè)
2010-03-22 08:39:531070 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池和模組生產(chǎn)線(xiàn)在北京開(kāi)建
一期投資12億元，我市首條60MW非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及模組生產(chǎn)線(xiàn)昨日在雙流開(kāi)
2010-03-22 08:43:14976 我國(guó)薄膜電池組件成熟 有望國(guó)產(chǎn)化
以非晶硅薄膜電池為代表的薄膜太陽(yáng)能電池(以下簡(jiǎn)稱(chēng)薄膜電池)技術(shù)，以耗能低、零排放、能
2010-03-24 08:31:41753 又一非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池落戶(hù)內(nèi)蒙古
來(lái)自?xún)?nèi)蒙古自治區(qū)通遼市政府的消息，由通遼市人民政府、河北東旭投資集團(tuán)有限公司、
2010-04-07 08:50:591201 晶硅電池？還是薄膜電池？太陽(yáng)能電池兩大主要技術(shù)路線(xiàn)的對(duì)決，從2005年開(kāi)始就已經(jīng)狼煙四起，在經(jīng)歷了多晶硅價(jià)格的沖高回落和雙方技術(shù)提升你追我趕之后，這場(chǎng)影響太陽(yáng)能電池
2010-06-18 11:32:381129 1）等離子化學(xué)氣相沉積法 該法主要是采用H2稀釋的硅烷氣體的熱分解，硅烷分解生成硅原子，沉積在襯底材料上形成非晶硅薄膜。
2010-07-18 11:23:162293 首先我們確定一個(gè)思路：先分析并列舉光子經(jīng)過(guò)非晶硅電池時(shí)主要損失，然后就各點(diǎn)得出相應(yīng)的對(duì)策以避免或減少損失。
1.欠能和過(guò)能損失：
即能量低于
2010-09-01 18:19:531240 低壓化學(xué)氣相沉積、固相晶化、準(zhǔn)分子激光晶化、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)氣相沉積等是目前用于制備多晶硅薄膜的幾種主要方法。它們具有各自不同的制備
2011-10-18 12:04:043493 據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，新加坡科學(xué)家將一個(gè)新奇的納米結(jié)構(gòu)(比人的頭發(fā)絲小數(shù)千倍)置于非結(jié)晶硅制成的太陽(yáng)能電池的表面，研制出了一種轉(zhuǎn)化效率高、成本低的新型薄膜太陽(yáng)
2011-10-26 09:15:451092 MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 根據(jù)硅片厚度的不同，可分為晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜硅太陽(yáng)能電池兩大類(lèi)。本文主要論述以下幾種硅基太陽(yáng)能電池的基本原理：?jiǎn)尉?b class="flag-6" style="color: red">硅太陽(yáng)能電池，多晶硅太陽(yáng)能電池，多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，微晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。
2017-05-09 15:58:2626076 
非晶硅薄膜電池非晶硅薄膜電池是目前公認(rèn)的環(huán)保性能最好的太陽(yáng)電池。非晶硅薄膜電池材料是硅和氫的一種合金，是一種資源豐富和環(huán)境安全的材料。非晶硅對(duì)陽(yáng)光的吸收系數(shù)高（ 太陽(yáng)電池的活性層只需要 / 0 厚
2017-09-15 17:01:077 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及制造工藝 內(nèi)容提綱 一、非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)、制造技術(shù)簡(jiǎn)介 二、非晶硅太陽(yáng)能電池制造工藝 三、非晶硅電池封裝工藝 一、 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)、制造技術(shù)簡(jiǎn)介 1、電池結(jié)構(gòu)
2017-09-27 17:37:2228 的制程技術(shù)，而且總體上已經(jīng)被證明是可靠的。不過(guò)晶體硅吸收光線(xiàn)能力差，這可能是其超小型結(jié)構(gòu)的天生缺陷，因此必須相當(dāng)厚且堅(jiān)固。 2、薄膜太陽(yáng)能電池板： 即使采用廢棄硅片，考慮到其效率水平，硅晶圓并不一定成本低廉。薄膜太陽(yáng)能電池比傳
2017-09-30 14:26:308 升高。特別是在陽(yáng)光較強(qiáng)溫度較高的夏季，組件的結(jié)溫甚至高達(dá)70℃以上。工作溫度越高，非晶硅電池的優(yōu)勢(shì)越明顯，非晶硅電池的年平均發(fā)電量比晶體硅電池多10%左右。 任何太陽(yáng)能電站都是由若干組件串聯(lián)，最后通過(guò)匯流并聯(lián)而成。設(shè)
2017-09-30 14:31:067 1、更低的成本 目前，主流的光伏組件產(chǎn)品仍以硅為主要原材料，僅以硅原材料的的消耗計(jì)算，生產(chǎn)1兆瓦晶體硅太陽(yáng)電池，需要10-12噸高純硅，但是如果消耗同樣的硅材料用以生產(chǎn)薄膜非晶硅太陽(yáng)電池可以產(chǎn)出
2017-10-30 15:36:456 沉積速率超過(guò) 1nm/ s 高速率器件質(zhì)量級(jí)微晶硅薄膜 ，并且也初步獲得了效率達(dá) 613 %的高沉積速率微晶硅太陽(yáng)電池。 本文采用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù) ，在較高氣壓和較高功率的前提條件下 ，獲得了沉積速率達(dá) 1 nm/ s 以上的器件
2017-11-08 10:12:5812 介紹了非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池和支撐設(shè)備的技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和市場(chǎng)情況，針對(duì)我國(guó)薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的需求情況，探討了發(fā)展薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的途徑。太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)作為太陽(yáng)能利用中最具意義的技術(shù)，成為世界各國(guó)
2017-11-12 11:13:4715 復(fù)旦大學(xué)光科學(xué)與工程系吳翔教授、陸明教授和光源與照明工程系張樹(shù)宇副教授合作團(tuán)隊(duì)，基于所研發(fā)的高增益硅納米晶薄膜，成功研制出世界上首個(gè)全硅激光器。
2018-01-23 15:38:476540 傳統(tǒng)能源存儲(chǔ)量有限，不能過(guò)度開(kāi)發(fā)使用，各國(guó)都積極推廣可再生能源，希望改變能源結(jié)構(gòu)，其中太陽(yáng)能成為新能源中的焦點(diǎn)。本文對(duì)光伏電站系統(tǒng)做了簡(jiǎn)單介紹，并就在電站設(shè)計(jì)中，對(duì)使用的晶硅組件與雙結(jié)硅基薄膜組件
2018-01-24 11:42:3111989 
很多在選擇晶硅電池與薄膜電池的時(shí)候會(huì)糾結(jié)選哪個(gè)，那么首先我們得了解晶硅電池與薄膜電池的差別與優(yōu)勢(shì)，本文將詳細(xì)介紹
2018-01-24 13:59:5330140 
薄膜電容器在我們的生活中無(wú)處不在，它的應(yīng)用是很廣的，例如我們常見(jiàn)的空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、熱水器等等，今天小編帶大家了解一下薄膜電容器，什么是薄膜電容的吸收系數(shù)，薄膜電容吸收系數(shù)的作用和發(fā)生異常的情況
2018-06-13 10:44:166609 納米晶軟磁合金是非晶態(tài)帶材通過(guò)特殊的熱處理工藝實(shí)現(xiàn)的。首先把具有特定成分的非晶態(tài)帶材放進(jìn)熱處理爐里通過(guò)定向控制生成100納米以?xún)?nèi)的晶粒，實(shí)際上形成的是非晶和納米晶的混合結(jié)構(gòu)。
2018-09-29 14:14:3053671 由于非晶硅沒(méi)有晶體所要求的周期性原子排列，可以不考慮制備晶體所必須考慮的材料與襯底間的晶格失配問(wèn)題。因而它幾乎可以淀積在任何襯底上，包括廉價(jià)的玻璃襯底，并且易于實(shí)現(xiàn)大面積化。
2019-04-16 14:24:4911641 目前光伏市場(chǎng)上，制作太陽(yáng)能電池使用的最多的材料就是硅，其中主要分為單晶硅太陽(yáng)能電池，多晶硅太陽(yáng)能電池以及非晶硅太陽(yáng)能電池，前兩種，由于所用材料是間接帶隙半導(dǎo)體——吸收太陽(yáng)能時(shí)需要一定的厚度，PN結(jié)
2019-05-02 14:41:0022122 根據(jù)NREL（美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室）公布的數(shù)據(jù)，目前薄膜電池已發(fā)展出十幾種技術(shù)路線(xiàn)，其中發(fā)展勢(shì)頭最好的有碲化鎘（CdTe）、銅銦鎵硒（CIGS）、染料敏化電池和非晶硅電池。根據(jù)NREL的最新統(tǒng)計(jì)
2020-05-19 15:51:455581 
非晶硅TFT-LCD單片驅(qū)動(dòng)器GC930數(shù)據(jù)手冊(cè)
2021-07-16 11:46:163 針對(duì)半導(dǎo)體材料光電特性的初期研究過(guò)程中，光子到電子的轉(zhuǎn)換過(guò)程是半導(dǎo)體材料對(duì)光子的吸收以及由此產(chǎn)生的一系列的效應(yīng)，例如光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)等。之后通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料光吸收效應(yīng)的深入研究，將其應(yīng)用在光
2021-08-16 10:45:1713864 
薄膜晶體管TFTs采用氧化鋅等非晶氧化物半導(dǎo)體，如ZnO, Ga-In-Zn-O, or Hf-InZn-O HIZO，由于其在平板顯示器上的高應(yīng)用潛力，目前是深入研究的課題。由于其相對(duì)于非晶硅
2022-01-14 13:54:351000 
我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽(yáng)能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度?；?b class="flag-6" style="color: red">非晶硅
2022-04-13 15:24:372644 
大功率激光器廣泛用于各種領(lǐng)域當(dāng)中，例如激光切割、焊接、鉆孔等應(yīng)用中。由于鏡頭材料的體吸收或表面膜層帶來(lái)的吸收效應(yīng)，將導(dǎo)致在光學(xué)系統(tǒng)中由于激光能量吸收所產(chǎn)生的影響也顯而易見(jiàn)
2022-11-07 17:44:323452 納米顆粒膜，特別是Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體CdSxSe1-x。以及Ⅲ-V族半導(dǎo)體CaAs的顆粒膜，都觀察到光吸收帶邊的藍(lán)移和帶的寬化現(xiàn)象。有人在CdSxSe1-x／玻璃的顆粒膜上觀察到光的“退色現(xiàn)象”，即在一定波長(zhǎng)光的照射下
2022-12-13 11:41:575033 太陽(yáng)能電池需要硅晶片來(lái)提高效率并吸收更多的陽(yáng)光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽(yáng)能電池效率提高近 25%。
2023-06-12 09:18:065368 
異質(zhì)結(jié)電池作為太陽(yáng)能
新型電池，因具有眾多理論和實(shí)際優(yōu)勢(shì)，使它能在太陽(yáng)能電池市場(chǎng)中大放異彩。
非晶硅薄膜作為異質(zhì)結(jié)電池中的關(guān)鍵材料，可保證太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率，是異質(zhì)結(jié)電池的重要組成部分?！该滥芄夥?/div>
2023-08-19 08:37:002436 
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2. 薄膜太陽(yáng)能電池：薄膜太陽(yáng)能電池采用薄膜材料作為光吸收層，包括銅銦硒硫（CIGS）、銅銦鎵硒（CIGS）和非晶硅（a-Si）等。
2023-08-28 15:58:575300 在晶硅電池中，銀漿成本僅次于硅片，是電池第一大非硅成本。據(jù) Solarzoom 數(shù)據(jù)，截止 2023 年 7 月統(tǒng)計(jì)，在電池片環(huán)節(jié)中，硅片成本占比約 70%，其次就是銀漿（正銀+背銀）成本占比 10.0%。
2024-01-03 11:47:322160 
在同等光照條件下，非晶硅薄膜電池比單晶硅電池年發(fā)電量增加15%左右。非晶硅電池還具有最高的效率質(zhì)量比(即材料輕而效率又比較高)，其效率質(zhì)量比是單晶電池的6倍，適宜將來(lái)太空太陽(yáng)能電站的發(fā)展。
2024-04-24 12:35:143913 
依然是難以解決銅對(duì)1064nm波長(zhǎng)激光的高反射率問(wèn)題。有學(xué)者對(duì)純銅板材及球形純銅粉末進(jìn)行了激光吸收率實(shí)驗(yàn)，檢測(cè)結(jié)果表面純銅板對(duì)1064nm波長(zhǎng)激光的吸收率只有4%，球形度較高的銅粉激光吸收率為44%，近球形銅粉的激光吸收率為32%，激光吸收率較低直接導(dǎo)致激
2024-07-08 11:26:332594 
HJT太陽(yáng)能電池已經(jīng)在正、背表面實(shí)現(xiàn)了鈍化接觸，因此獲得了較高的開(kāi)路電壓，明顯高于TOPCon電池和PERC電池。但正表面的非晶硅層存在較為嚴(yán)重的寄生吸收，造成HJT電池在短路電流方面并不
2024-07-23 08:33:561733 非晶逆變器是一種采用非晶硅材料的光伏逆變器，具有較高的轉(zhuǎn)換效率和較低的成本。然而，非晶逆變器也存在一些弊端和優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)非晶逆變器的弊端與優(yōu)勢(shì)的分析： 一、非晶逆變器的優(yōu)勢(shì) 高轉(zhuǎn)換效率：非晶逆變器
2024-08-15 14:18:489143 非晶納米晶磁芯是一種具有特殊磁性特性的材料，廣泛應(yīng)用于電子和電力領(lǐng)域。這種材料的磁性能主要來(lái)源于其獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu)，即非晶態(tài)和納米晶態(tài)的結(jié)合。 1. 非晶納米晶磁芯的基本概念 非晶納米晶磁芯是一種由非
2024-10-09 09:10:282895 非晶納米晶磁芯的工作頻率范圍相對(duì)較廣，通常適用于50Hz至100kHz的頻率范圍，且最佳頻率范圍在20kHz至50kHz之間。然而，也有資料指出，非晶納米晶磁芯的頻率可以達(dá)到數(shù)百兆赫茲的水平，這
2024-10-09 09:15:065395 本文介紹了一種利用全息技術(shù)在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。 研究人員提出了一種在硅晶圓內(nèi)部制造納米結(jié)構(gòu)的新方法。傳統(tǒng)上，晶圓上的微結(jié)構(gòu)加工，僅限于通過(guò)光刻技術(shù)在晶圓表面加工納米結(jié)構(gòu)。 然而，除了晶
2024-11-18 11:45:481189 的應(yīng)用前景。 本文聚焦于鐵硅硼碳成分系列的非晶軟磁材料，展開(kāi)全面而深入的探討，涵蓋其性能特點(diǎn)、粒度分布的影響機(jī)制以及納米晶化技術(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)，旨在為非晶軟磁材料和納米晶軟磁材料相關(guān)領(lǐng)域的研究與實(shí)際應(yīng)用提供具有重要價(jià)值
2025-07-24 11:56:20758 
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