`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
項(xiàng)目名稱：電池充放電檢測(cè)設(shè)備試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：現(xiàn)有的充放電設(shè)備的功率密度較低，打算使用SiC來提供功率密度。 使用項(xiàng)目：電池充放電檢測(cè)設(shè)備計(jì)劃：了解并測(cè)試demo的驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)有產(chǎn)品的的驅(qū)動(dòng)是否適用
2020-04-24 18:09:35
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一個(gè)適用于高頻開關(guān)電路的mosfet，極間電容要小一點(diǎn)，越小越好
2019-08-19 13:47:23
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱
SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似
MOSFET的組件，使
電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，
SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的不同之處。主要的不同點(diǎn)是SiC-MOSFET在驅(qū)動(dòng)時(shí)的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計(jì)的范疇。但是，柵極驅(qū)動(dòng)電壓
2018-11-27 16:54:24
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
驅(qū)動(dòng)25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57
SI9114采用MOSFET電路圖
2009-05-12 14:33:00
766 
通過對(duì)商用計(jì)算機(jī) CPU 供電電路功率管耐壓 30V MOSFET 的寄生參數(shù)的研究和試驗(yàn)，設(shè)計(jì)了一個(gè) 250kHz 開關(guān)頻率下的自舉推挽驅(qū)動(dòng)電路和門極快速放電回路。推挽電路阻抗小，類恒流源性質(zhì)，
2011-09-14 16:12:56
159 MOSFET管自舉升壓驅(qū)動(dòng)電路
2016-12-16 22:00:4619 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí)，它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出另兩個(gè)碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用于各種
2020-03-12 14:55:513302 Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低
2020-09-29 10:44:009 近年來，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件得到了廣泛重視與發(fā)展。SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長(zhǎng)期的門極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。本文闡述了如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2020-07-20 08:00:006 、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲(chǔ)存等應(yīng)用場(chǎng)景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性，其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介電擊穿強(qiáng)度大約是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:278492 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2022-12-01 10:23:192335 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202593 
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:513205 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:201443 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213058 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034586 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 16:13:004117 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105631 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:191294 
ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:121911 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:061343 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:211731 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261149 
SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:491695 怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:521410 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:132620 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于Si和SiC MOSFET的 BiCMOS 低功耗電流模式PWM控制器UCCx8C5x數(shù)據(jù)表 .pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 10:54:220 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過對(duì)比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002733 Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
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