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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>一文了解SiC MOS的應(yīng)用

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

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2018-07-30 09:58:0816532

SiC-MOS與IGBT抗短路能力對(duì)比

在IGBT為主流的時(shí)代,提到抗短路能力,就是有或者沒有。如果器件具備抗短路能力,那就是比較能抗,般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺就是不那么皮實(shí),魯棒性并沒那么讓人放心。
2025-11-06 09:15:276852

徹底掌握MOS

基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢(shì)必要來(lái)篇文章,徹底掌握mos管!
2022-07-05 11:56:0532692

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件,在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:481554

了解電機(jī)的原理及分類

成長(zhǎng)計(jì)劃 了解電機(jī)的原理及分類 電機(jī)是傳動(dòng)及控制系統(tǒng)中的重要部分,目前電機(jī)應(yīng)用的重點(diǎn)也從過去簡(jiǎn)單的傳動(dòng)向電機(jī)的速度、位置、轉(zhuǎn)矩的精確控制轉(zhuǎn)移; ? 電機(jī)為何能夠轉(zhuǎn)動(dòng)?電機(jī)又有哪些分類?不同工
2022-11-03 12:54:406139

詳解MOS管的工作原理

mos管是種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn),如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以mos管可以稱為FET的高級(jí)形式。
2023-05-16 09:24:2013703

詳解MOS的寄生模型

引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮寫,具有高速和低損耗的特性,廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。和普通的阻容樣,MOS也有其寄生模型,了解其等效寄生模型有助于我們?cè)诟咚賾?yīng)用中快速掌握其特性。
2023-06-08 11:56:064493

徹底了解MOS

要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
2023-07-05 10:15:405528

了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)

三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中,是家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-18 17:35:531913

如何用雙脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力?

的關(guān)注。這是由于在開關(guān)過程中,得益于SiC MOS的高電子飽和漂移速度,載流子能迅速在導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)間切換,從而顯著減少開關(guān)時(shí)間。與此同時(shí),SiC MOS單極型器件在續(xù)流過程中沒有p型襯底的電荷存儲(chǔ),使得反向恢復(fù)損耗低于Si IGBT這雙極性器件,SiC MOS的反向恢復(fù)電荷僅為同規(guī)
2025-12-02 09:36:222299

SIC MOSFET

有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

效率,并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上,有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。  就像二十世紀(jì)八十年代的IGBT革命樣,今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅(SiC)再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。  因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)?! ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)

方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對(duì)象,對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總SiC
2018-11-30 11:51:17

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢(shì)?

基于SiC/GaN的新代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03

SiC46x是什么?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?

SiC46x是什么?SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)?SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
2021-07-09 07:11:50

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

%。如該例所示,毫無(wú)疑問,SiC功率元器件將成為能源問題的大解決方案。SiC的優(yōu)點(diǎn)如前文所述,利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然,這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn),接下來(lái)希望再了解下低阻值、高速工作、高溫
2018-11-29 14:35:23

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導(dǎo)通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是種以個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1

從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng),在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評(píng)估事項(xiàng):柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹
2018-11-30 11:31:17

了解BLDC與PMSM的區(qū)別

參考文件:了解BLDC與PMSM的區(qū)別? ?????BLDC和PMSM電機(jī)區(qū)別???? ? STM32 FOC BLDC與PMSM的區(qū)別PS:總結(jié)語(yǔ)句用紅色標(biāo)出,看紅色字體即可。現(xiàn)代電機(jī)與控制
2021-08-30 08:38:10

了解LVGL的學(xué)習(xí)路線

“本文大部分內(nèi)容來(lái)自LVGL官方文檔,手翻版,如有錯(cuò)誤歡迎指正。”系列文章目錄、LVGL系列(了解LVGL的學(xué)習(xí)路線輕松了解LVGL的全部二、LVGL系列(二)之 LVGL必讀介紹
2021-12-07 12:55:03

了解透?jìng)髟苹A(chǔ)知識(shí)

了解透?jìng)髟苹A(chǔ)知識(shí)講透?jìng)髟?,我們?b class="flag-6" style="color: red">了解它的定義,首先了解下****透?jìng)魍競(jìng)鳎?透明傳輸。即在傳輸過程中,不管所傳輸?shù)膬?nèi)容、數(shù)據(jù)協(xié)議形式,不對(duì)數(shù)據(jù)做任何處理,只是把需要傳輸?shù)膬?nèi)容數(shù)據(jù)傳輸?shù)侥康?。?/div>
2023-02-25 10:32:23

帶你了解步進(jìn)電機(jī)的相關(guān)知識(shí)

帶你了解步進(jìn)電機(jī)的相關(guān)知識(shí):相、線、極性和步進(jìn)方式2017-09-07 16:45這里不說(shuō)步進(jìn)電機(jī)的 “細(xì)分” 實(shí)驗(yàn),只說(shuō)下有關(guān)步進(jìn)電機(jī)的基礎(chǔ)概念以及步進(jìn)電機(jī)的三種工作方式——單拍、雙拍、單雙
2021-07-08 06:48:29

了解SiC器件的未來(lái)需求

引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展,針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件,來(lái)了解SiC器件的未來(lái)需求。我們從前段時(shí)間的報(bào)道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00

了解ST Microelectronics SCT50N120

`電子元器件碳化硅(Sic) MOSFETSCT50N1201200V65AHiP247-3深圳市英特洲電子科技有限公司,專業(yè)供應(yīng)碳化硅功率管(SIC/MOS/DIODES全系列)ST、ROMH.需要和了解更多的產(chǎn)品信息,請(qǐng)關(guān)注英特洲電子,QQ584140894原廠優(yōu)勢(shì)貨源!!`
2017-08-05 10:58:20

GaN和SiC區(qū)別

和GaN的特性比較 氧化鎵(GaO)是另種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料,GaO的導(dǎo)熱性較差,但其帶隙(約4.8 eV)超過SiC,GaN和Si,但是,GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩⑿枰嗟难邪l(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】+單管測(cè)試

` 首先萬(wàn)分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第次試用體驗(yàn),先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試,由于沒有大功率電源,暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

,MOSFET的稍微高些65KHZ-100KHZ,我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率,縮小設(shè)備體積,提高效率,所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng),望批準(zhǔn)!項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】開箱報(bào)告

`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板,感謝羅姆,感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖,sic-mos有兩種封裝形式的,SCT3040KR,主要參數(shù)如下:SCT3040KL,主要參數(shù)如下:后續(xù)準(zhǔn)備搭建個(gè)DC-DC BUCK電路,然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究

提高功率密度,計(jì)劃今年上半年完成此項(xiàng)工作,可以采購(gòu)羅姆器件,所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng),望批準(zhǔn)!
2020-04-29 18:26:12

【轉(zhuǎn)】看懂MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

不斷縮小,MOS器件面臨系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(Short Channel Effect - SCE),熱載流子注入效應(yīng)(Hot Carrier Inject - HCI)和柵氧化層漏電等
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什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

SiC功率模塊介紹

從本文開始進(jìn)入新的章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來(lái)介紹下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第篇,想讓大家了解SiC
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018(第4賽季)”的圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季(第
2018-12-04 10:24:29

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是種以個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18

淺析SiC-MOSFET

應(yīng)用看,未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù),那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05

深愛級(jí)代理SIC953xD系列 /SIC全系列支持

深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25

深愛代理SIC953XD..SIC9531D.SIC9532D.SIC9533D.SIC9534D.SIC9535D

低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06

用推挽電路做大功率sic-mos管的驅(qū)動(dòng),有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號(hào)嘛?

用推挽電路做大功率sic-mos管的驅(qū)動(dòng),有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號(hào)嘛?
2022-04-19 10:47:30

羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的體化封裝

低,可靠性高,在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70%以上,實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12

超結(jié)MOSSiC MOS各有什么優(yōu)缺點(diǎn)

如題,最近個(gè)項(xiàng)目需要用到,但還沒確定用哪種MOS
2018-12-17 10:52:58

SiC器件的核心挑戰(zhàn)#硬聲創(chuàng)作季

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14.1 SiC基本性質(zhì)(下)

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SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

各種多種晶型,它們的物性值也各不相同。其中,4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外,SiC是唯能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導(dǎo)體,所以適合制備MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05:4111764

了解PCB中常見14大錯(cuò)誤

了解PCB中常見14大錯(cuò)誤,具體的跟隨小編一起來(lái)看一下。
2018-07-22 11:29:116415

學(xué)會(huì)MOS管相關(guān)問題

型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。 1、MOS管的構(gòu)造 在塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻
2018-11-28 14:27:013008

SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn),第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284962

了解通信技術(shù)的常用名詞解釋

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2020-06-19 17:55:306848

詳解MOS管的米勒效應(yīng)

MOS管的等效模型 我們通??吹降?b class="flag-6" style="color: red">MOS管圖形是左邊這種,右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3731522

了解SiP封裝資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供了解SiP封裝資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-25 08:52:4913

了解錘式破碎機(jī)軸承位維修的過程

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2022-01-10 14:46:327

讀懂MOS管驅(qū)動(dòng)電路

、MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是
2022-02-11 15:18:3134

了解MOS管寄生電容是如何形成的?

功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié),從二極管、三極管到場(chǎng)效應(yīng)管,都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型,其中絕緣柵型也稱MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。
2022-04-07 15:23:2811556

深入了解SiC MOSFET柵-源電壓的行為

具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312

SiC供不應(yīng)求 國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展將進(jìn)入到個(gè)新階段

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(/梁浩斌)SiC供不應(yīng)求,已經(jīng)是行業(yè)共識(shí)。自從電動(dòng)汽車興起,特斯拉率先在電動(dòng)汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件,需求開始爆發(fā)后,產(chǎn)能不足成為了SiC應(yīng)用擴(kuò)張的最大障礙。
2022-07-13 09:35:442018

了解電動(dòng)汽車的中樞神經(jīng)

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2022-10-14 11:16:371

SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來(lái)越多,但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V,每個(gè)人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù),有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:584406

徹底了解射頻收發(fā)信機(jī)系統(tǒng)指標(biāo)計(jì)算

徹底了解射頻收發(fā)信機(jī)系統(tǒng)指標(biāo)計(jì)算
2022-12-12 13:45:062042

詳解p溝道耗盡型mos管開關(guān)電路

在設(shè)計(jì)mos管開關(guān)電路時(shí),就要充分了解mos管的工作原理。在我上篇文章中,有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。
2023-01-05 09:39:1919653

從Tesla特斯拉Model 3拆解來(lái)了解碳化硅SiC器件的未來(lái)需求

引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展,針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件,來(lái)了解SiC器件的未來(lái)需求。 ? 我們從前段時(shí)間的報(bào)道了解
2023-02-20 15:56:442

詳解MOS電容器

MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件,是構(gòu)成高集成度的基本單元,而MOS電容器是MOSFET的核心,理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基礎(chǔ),因此本文主要對(duì)MOS電容器進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹,希望可以對(duì)此有個(gè)概念上的理解。
2023-04-17 12:05:5513853

看懂SiC功率器件

、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:583239

了解氣象觀測(cè)站是什么?

了解氣象觀測(cè)站是什么?
2023-09-12 13:17:272155

了解LED有關(guān)的光源定義?

了解LED有關(guān)的光源定義?光源的定義是很廣泛的,LED 陣列、LED 模塊以及LED 燈都屬于光源。
2023-10-11 15:51:411981

凌銳半導(dǎo)體正式推出新代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導(dǎo)體正式推出新代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異,開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng),能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:261670

帶你了解真正的PCB高可靠pdf.zip

帶你了解真正的PCB高可靠pdf
2022-12-30 09:21:002

了解pcb電路板加急打樣流程

了解pcb電路板加急打樣流程
2023-11-08 14:21:197427

了解 PCB 的有效導(dǎo)熱系數(shù)

了解 PCB 的有效導(dǎo)熱系數(shù)
2023-11-24 15:48:373617

了解SiC器件的命名規(guī)則

了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:491930

為什么血氧監(jiān)測(cè)很重要?快速了解它的“奧秘”

為什么血氧監(jiān)測(cè)很重要?快速了解它的“奧秘”
2023-11-29 11:46:411194

了解剛?cè)峤Y(jié)合制造過程

了解剛?cè)峤Y(jié)合制造過程
2023-12-04 16:22:191762

了解單向晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性

了解單向晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性
2023-12-05 15:52:502717

SiC設(shè)計(jì)干貨分享():SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

SiC設(shè)計(jì)干貨分享():SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737

了解相控陣天線中的真時(shí)延

了解相控陣天線中的真時(shí)延
2023-12-06 18:09:393604

帶你了解 DAC

了解 DAC
2023-12-07 15:10:3613511

了解皮膚電活動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、開發(fā)與評(píng)估

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2023-11-24 10:42:450

SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對(duì)比

在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場(chǎng)和較低的損耗特性,逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前,它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而,在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何種角色?
2023-11-30 16:12:412690

SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:131122

SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:421218

了解AN90048高效SiC參數(shù)和穩(wěn)定的設(shè)計(jì)

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2024-01-03 16:36:510

pcb應(yīng)變測(cè)試有多重要?了解

pcb應(yīng)變測(cè)試有多重要?了解!
2024-02-24 16:26:351789

了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜
2024-06-21 08:24:361191

SiC MOS卓越性能的材料本源

。本文通過對(duì)比Si,4H-SiC和GaN的材料特性,系統(tǒng)的闡述SiC MOS卓越性能的材料本源。 參見圖對(duì)于平面MOS來(lái)說(shuō)其導(dǎo)通電阻主要由三部分組成,即溝道電阻(Rch), 器件外延層電阻 (Repi)和襯底電阻Rsub。其中器件外延層電阻和器件耐壓有著強(qiáng)相關(guān)的關(guān)系。表列出30V,100V和
2024-09-23 15:14:001544

方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬(wàn)片

年底將增至1.4萬(wàn)片/月,并在2025年具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車規(guī)級(jí)SiC MOS的生產(chǎn)能力。同時(shí),GaN(氮化鎵)產(chǎn)能已達(dá)4000片/月。此外,方正微電子還計(jì)劃在2024年底啟動(dòng)Fab2的8英寸SiC
2024-10-16 15:27:214088

詳解MOS管電容參數(shù)

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中,MOS管無(wú)疑是最常用的電子元件之。
2024-11-06 09:55:547330

詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-11-14 14:51:322891

詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷,對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-11-14 14:53:373521

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。
2024-11-14 14:55:093480

深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體,因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能存在的晶體缺陷。
2024-11-14 14:57:048707

詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。
2024-11-20 17:38:411536

SiC MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

硅碳化物(SiC)是種重要的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管
2025-03-03 16:03:451428

GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2025-03-14 18:05:172381

方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡(jiǎn)介

方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA(1200V 2.1mΩ)是款專為新能源車主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)的高性能SiC MOS功率模塊,旨在提供高效、可靠的主驅(qū)電控解決方案。
2025-07-31 17:22:171297

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