方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）是一款專為新能源車主驅(qū)逆變器設(shè)計的高性能SiCMOS功率模塊，旨在提供高效、可靠的主驅(qū)電控解決方案。

該模塊SiCMOS芯片采用自研平面工藝，性能、可靠性處于行業(yè)領(lǐng)先水平，封裝采用芯片銀燒結(jié)、DTS等先進工藝，確保產(chǎn)品在高壓、高功率及各種惡劣工況、環(huán)境下都能穩(wěn)定可靠運行。

模塊簡介：

FA120P002AA模塊內(nèi)部拓撲為三相全橋，同時集成了熱敏電阻（NTC）以監(jiān)測溫度；該模塊控制端子具有開爾文引腳，能在SiC MOSFET高速開關(guān)時抑制電壓尖峰，保證高頻開關(guān)應(yīng)用的安全與可靠。

方正微HPD模塊FA120P002AA圖片和內(nèi)部全橋拓撲圖

主要參數(shù)：

模塊特點：

采用方正微電子自研自產(chǎn)車規(guī)級SiC MOS芯片；

模塊滿足AQG-324可靠性標準；

同時芯片加嚴質(zhì)量要求，關(guān)鍵可靠性項目可輕松通過3000h認證，3倍于行業(yè)通用車規(guī)認證要求；

采用高性能Si3N4陶瓷絕緣，高熱導(dǎo)率，并通過直接液冷PinFin基板實現(xiàn)了高效散熱，Rthjf=0.112°C/W；

模塊內(nèi)芯片布局合理緊湊，降低了功率回路路徑，有效減小了寄生電感~8nH，可降低電壓尖峰、電壓震蕩、開關(guān)損耗、EMI噪聲等；

滿足絕緣耐受電壓測試：DC，4.3kV，t=1s；

芯片擊穿電壓BV（Ids=1mA）>1450V，可輕松滿足高電壓平臺應(yīng)用；

芯片采用銀燒結(jié)和DTS工藝，提升了模塊的可靠性和壽命。

應(yīng)用測試：

針對新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用場景，F(xiàn)A120P002AA模塊進行了電機臺架的多工況測試，以模擬模塊在電控系統(tǒng)中的性能表現(xiàn)，包括波形、芯片溫度、堵轉(zhuǎn)、循環(huán)工況、老化等。也采用了較嚴苛的條件運行，850V母線電壓，開關(guān)頻率12kHz，冷卻液流量8L/min、50%水+50%乙二醇、冷卻液溫度70℃，芯片結(jié)溫最高≈175℃。

方正微FA120P002AA模塊電機臺架運行芯片結(jié)溫圖

方正微FA120P002AA電機臺架波形圖

綜上，F(xiàn)MIC推出的HPD 1200V 2.1mΩ SICMOS模塊具有出色的性能，可為新能源純電汽車、混合電動汽車等主驅(qū)逆變器提供最優(yōu)解。